چکیده ندارد.

در چندین دهه اخیر، تکثیر جهانی کامپیوترها، سیستم های الکترونیکی و تجهیزات قابل انتقال، باعث شده که طراحان و محققان تمرکز بیشتری بر طراحی سیستم های ولتاژ و توان پایین داشته باشند. یک ota ولتاژ و توان بسیار پایین در این پروژه پیشنهاد شده است. برای طراحی مدارات ولتاژ پایین، آینه جریان ها و طبقات ورودی و خروجی بررسی می شوند. روش های زیادی برای طراحی otaهای ولتاژ و توان پایین وجود دارد. یکی از این...

در این مقاله ساختاری جدید جهت تحقق تقویت‌کننده مقاومت انتقالی (TIA) پیشنهاد می‌شود. ساختار پیشنهادی با استفاده از یک ترانزیستور سورس پیرو و ترانزیستور سورس مشترک، به‌عنوان فیدبک ولتاژ-جریان، مقاومت ورودی و مقاومت خروجی را کاهش می‌دهد. در این ساختار به‌جای استفاده از مقاومت برای تبدیل جریان به ولتاژ، ترارسانایی ترانزیستور به ترا امپدانس تبدیل می‌شود و با تزریق جریان به درین ترانزیستور، خروجی ولت...

احداث مزارع بادی در مناطقی با عدد ایزوکرونیک بالا، زیاد بودن ارتفاع برج، شدت گرفتن میدان الکتریکی ناشی از تیز بودن نوک پره ها و تماس احتمالی پره ها با ابر های مجاور، اهمیت بررسی اضافه ولتاژ فرکانس بالای ناشی از صاعقه به مزارع بادی را روشن تر می سازد. به علاوه سیستم زمین توربین بادی باید طوری طراحی شود تا علاوه بر دست یابی به مشخصات امپدانسی با مقادیر حالت ماندگار استاندارد، جریان صاعقه را به طو...

منابع تولید پراکنده که استفاده از آن‌ها روزبه‌روز در حال افزایش است بدون سیستم کنترل دقیق عملکرد مناسب و مؤثری نخواهند داشت. منابع تولید پراکنده در مقایسه با ژنراتور سنکرون به علت عدم داشتن اینرسی کافی، تأثیر کمتری در کنترل فرکانس شبکه دارند. منابع تولید پراکنده با استفاده از مبدل‌های الکترونیک قدرت به شبکه‌های فشار ضعیف متصل می‌گردند، به‌طوری‌که این مبدل‌ها در دو مد کنترل ولتاژ و توان کار می‌ک...

در این مقاله سلول های خورشیدی حساس شده با نانوبلور های سولفید فلزی cds و pbs رشد داده شده به روش شیمیایی silar ، ساخته و مشخصه یابی شدند. سلول های ساخته شده با این روش، در مجاورت نور و تاریکی در دوره های زمانی 2، 3، 6 و10 روز پس از ساخت مورد آزمایش های فوتوولتائیک مانند : آزمایش تعیین نمودار جریان- ولتاژ سلول در مجاورت نور و در تاریکی، آزمایش افت ولتاژ مدار باز سلول و آزمایش طیف نگاری امپدانس ا...

هدف اصلی از این پایان نامه پیدا کردن راه حل جدیدی برای کاهش تلفات در مدارات cmos vlsi می باشد . بطور ویژه تمرکز بر ما بر کاهش تلفات نشتی است . اگر چه تلفات توان نشتی در تکنولوژی 18 نانومتر و بالاتر ناچیز است با این حال در تکنولوژی زیر 65 نانو متر مقدار آن قابل صرف نظر نیست و تقریبا با تلفات توان دینامیکی برابری می کند .در این پایان نامه یک ساختار جدید مداری جهت کاهش تلفات توان نشتی ارایه گردیده...

در این پایان نامه طراحی و شبیه سازی یک تقویت کننده تفاضلی سرعت بالا و گین کافی برای مبدل آنالوگ به دیجیتال pipeline با رزولوشن10-bit و فرکانس 150ms/s با طبقات درونی 4 بیتی ارائه می شود. هسته اصلی این تقویت کننده، ساختار کسکود تاشده با ورودی های تفاضلی nmos بوده و برای افزایش icmr، در طبقه ورودی علاوه بر زوج تفاضلی nmos، از زوج تفاضلی pmos نیز استفاده شده است. از آنجایی که گره های خروجی دارای ام...

در این مقاله یک اینورتر چندسطحی سه‌فاز جدید با منابع ولتاژ ورودی برابر پیشنهاد شده است. در ساختار اینورتر پیشنهادی چندسطحی در حالت کلی شش کلید قدرت یک‌طرفه وجود دارد و بقیه کلیدهای موجود دوطرفه ولتاژ و جریان می‌باشند. در ساختار این اینورتر دیود وجود ندارد. منابع DC موجود در ساختار پیشنهادی برای هر سه فاز مشترک می‌باشد. همچنین به دلیل نبود خازن الکترولیت در ساختار اینورتر پیشنهادی، کنترل این این...

هدف از این پروژه طراحی بلوک منطقی برای fpga می باشد. معماری بلوک منطقی طراحی شده در این پروژه از fpgaی cyclone که توسط شرکت altera عرضه گردیده، الگو برداری شده است. بر خلاف cyclone که در تکنولوژی 130 نانومتر از شرکت umc طراحی و ساخته شده، ما از تکنولوژی 180 نانومتر tsmc برای طراحی های خود استفاده کرده ایم. همچنین ولتاژ تغذیه برابر 1.8 ولت در نظر گرفته شده است. کلیه مراحل طراحی در نرم افزار cade...