در این رساله یک ساختار دوقطبی جانبی دوامیتری متقارن (sdelbjt) براساس فناوری soi طراحی شده است. این ترانزیستور دارای یک پایه دیگر به نام گیت است که با استفاده از آن می توانیم بهره جریان های متفاوت داشته باشیم، به این صورت که با اعمال ولتاژ به گیت عرض بیس آن تغییر می کند و باعث می شود برخورد حامل ها در بیس کمتر شده و راحتتر از امیتر به بیس بروند و در نتیجه بهره جریان تغییر می کند. شبیه سازی هایی ...

در این پژوهش تاثیر افزودن نانوذرات به روغن ترانسفورماتور، در بهبود خواص حرارتی و عایقی روغن بصورت تجربی مورد مطالعه قرار گرفته است. بدین منظور علاوه بر تهیه چند نوع نانوذرات بصورت پودر و یا سوسپانسیون از داخل و یا خارج کشور، چند نمونه نیز به روش سنتز هم رسوبی در دانشگاه زنجان تولید گردید. سپس این ذرات درون روغن ترانسفورماتور nytro libra توسط همزن و دستگاه های اولتراسونیک پخش گردید. نانوروغن تول...

واریستورهای اکسید روی به طور گسترده ای برای محافظت مدارهای الکترونیکی، تجهیزات پزشکی و لوازم الکتریکی در مقابل افزایش غیر طبیعی موج ولتاژ استفاده می شوند. تا زمانی که ولتاژ اعمالی به اندازه کافی از «ولتاژ شکست» واریستور کوچک باشد، واریستور به صورت یک قطعه نارسانا در مدار عمل می-کند. با توجه به رفتار غیرخطی نمونه ها می توان فرض کرد رسانندگی الکتریکی و هم چنین پارامترهای مهم دیگر، مانند ضریب رفتا...

یافتن بخشی از سیستم قدرت که به فروپاشی نزدیک می شود، یکی از اهداف تحلیل پایداری ولتاژ است. این بخش که ناحیه ضعیف1 از نظر پایداری ولتاژ نامیده می شود، یک ناحیه کنترل ولتاژ2 است. تعیین این ناحیه و نواحی کنترل ولتاژ مجاورش، از اهمیت خاصی در بهبود پایداری ولتاژ برخوردار است. تعیین ناحیه ضعیف ولتاژ برای طراحی به هنگام کنترل تصحیحی3 نیازمند روشی به اندازه کافی سریع و دقیق است. به این منظور در این مقا...

چکیده به خوبی می دانیم که کاهش طول گیت، یک وسیله ی قوی جهت افزایش هدایت انتقالی و فرکانس عبور ترانزیستور های اثر میدانی فلز نیمه هادی (mesfet) می باشد. البته با کاهش طول گیت بدون کاهش چگالی ناخالصی و ضخامت کانال، عملکرد قطعه بوسیله اثرات کانال کوتاه و عوامل پارازیتی کاهش می یابد. از مهمترین اثرات کانال کوتاه در ترانزیستور mesfet می توان به کاهش سد کانال بوسیله ولتاژ درین(dibl) ، شیفت منفی در و...

در این پایان نامه تاثیرات قطبش نور فرودی و ولتاژ اعمالی، در پراش مرتبه اول، در یک سیتم میهمان میزبان بر پایه خانواده جدیدی از رنگینه آزو مورد مطالعه قرار گرفته است. شدت نور پراشی نتیجه ای از اختلاف ضریب شکست نور در نواحی مختلف نمونه است.این اختلاف ضریب شکست خود ناشی از اختلاف جهت گیری مولکول های بلور مایع در نقاط روشن و تاریک می باشد.

یکی از ابزارهای کنترل ولتاژ در شبکه های قدرت، رگولاتور پیشرفته کنترل ولتاژ شین فشار قوی نیروگاه است. با استفاده از این رگولاتور، پایداری ولتاژ را می توان بهبود بخشید. در این مقاله روش تنظیم پارامترهای این رگولاتور به منظور بهبود پایداری ولتاژ مطالعه شده است. الگوریتم پیشنهادی بر روی دو شبکه آزمون، یکی 22 شین و دیگری 118 شین ieee، آزمایش شده است.