در این رساله یک ماسفت سیلیکون برعایق جدید به منظور کاهش اثرات کانال کوتاه ارائه شده است. ترانزیستور استفاده شده دارای دو گیت مجزا دارای طول های متفاوت می باشد. در این ساختار پیشنهادی بایاس گیت دوم که نزدیک درین قرار دارد به ولتاژ درین وابسته می باشد؛ به عبارتی به وسیله ولتاژ درین کنترل می شود. هدف این است که با انتخاب ولتاژ مناسب برای گیت دوم، از تاثیر ولتاژ درین بر پتانسیل کانال جلوگیری شود. د...

مدارهای مرجع ولتاژ از بلوک های اصلی در مدارهای آنالوگ و دیجیتال هستند که هدف از به کار گیری آنها تولید ولتاژ مرجع با وابستگی بسیار کم به تغییرات دما، پروسس و منبع تغذیه برای قسمتهای دیگر مدار مجتمع است. یک نمونه از این مدارات، مدارهای مرجع شکاف انرژی هستند که ولتاژ مرجع دقیق متناسب با اختلاف پتانسیل بین باند هدایت و ظرفیت نیمه هادی تولید می کنند زیرا این پارامتر دارای تغییرات بسیار جزیی با تغیی...

امروزه، ماسفت سیلیکون بر روی عایق، ماسفت قابل توجه پژوهشگران در مقیاس نانو می باشد. تفاوت این ماسفت با ماسفت بدنه تهی، وجود یک پرش بزرگ در پاسخ فرکانسی هدایت خروجی به دلیل وجود مقاومت بدنه مخالف صفر می باشد. دو پارامتر مهم که تحت تاثیر این تغییر رفتار هدایت خروجی قرار می گیرند عبارتند از: 1- اعوجاج هارمونیک کلی 2- نقطه تقاطع دامنه خروجی هارمونیک اصلی و هارمونیک سوم که از پارامترهای مهم جهت بررس...

ماده ابردگررسان مغناطیسی ترفنل-دی در ساخت بسیاری از حسگرها از قبیل نیروسنج کاربرد دارد. در این حسگرها نیروی خارجی به واسطه تغییر در شار مغناطیسی گذرنده از ترفنل-دی اندازه گیری می شود. به منظور بهبود عملکرد این حسگرها، ترفنل-دی تحت تاثیر میدان مغناطیسی بایاس و پیش تنش مکانیکی قرار می گیرد. در این مقاله، اثر این دو عامل بر حساسیت و محدوده اندازه گیری خطی حسگر مورد بررسی قرار می گیرد و مقادیر بهین...

افزودن کارکردهای هر چه بیشتر به سیستم، نیاز به افزایش کارایی و در عین حال کاهش قیمت در مدارهای مجتمع با چگالی بسیار بالا، روند کوچک-مقیاس شدن تکنولوژی را موجب شده است. اما کوچک-مقیاس شدن شتابان تکنولوژی شرایط لازم طراحی را سخت تر کرده و به ویژه در گره های تکنولوژی کوچکتر از 90nm چالشهای بزرگی را ایجاد نموده است. در این گره های تکنولوژی افزایش شدت میدان الکتریکی و چگالی توان در کنار افزایش دماها...

ماهوارة گوس، در مأموریت در نظر گرفته شده، تغییرات کوچک جرم را در مسیر حرکت خود به دور زمین حس خواهد کرد. در این مقاله اثر توپوگرافی و جوّ زمین را روی داده های ماهواره گوس بررسی می کنیم. این اثرات به اندازه ارتفاعات توپوگرافی وابسته است و بنابراین، منطقه به منطقه تغییر می کند. از آنجا که اثرات جوّ و توپوگرافی از بی هنجاری جاذبه قبل از تعیین ژئوئید بایستی برداشته شود، این اثرات همچنین بایستی برای س...

مدارهای مجتمع روز به روز به سوی کوچکتر شدن پیش می¬روند و با کوچک شدن ابعاد، ناگزیر از منبع ولتاژ با مقادیر پایین¬تر استفاده می¬شود. استفاده از منبع ولتاژ بامقادیر پایین¬تر، به معنی داشتن بیشینه محدوده ولتاژ پایین¬تر برای نوسان در ورودی و خروجی می¬باشد. از طرفی قسمتی از این محدوده ولتاژ صرف بایاس مدارها می¬شود،که در ولتاژهای پایین، درصد بالایی از کل محدوده ولتاژ قابل دسترس را شامل می¬شود. از این...

کشف همزیستی بین فرومغناطیس و ابررسانایی در موادی مثل uge2 ، zrzn2 ، urhge باعث به وجود آمدن دسته جدیدی از مواد شده است که به ابررساناهای فرومغناطیس (fs) مشهور شده اند. سوال بسیار مهم، مکانیسمجفت کوپر در این مواد است که توجه زیادی را در فیزیک دمای پایین به خود جلب کرده است. در این رساله به مطالعه رسانش تونلی در نانو اتصال بین یک ابررسانای فرومغاطیس و یک فلز در چارچوب نظریه btk می پردازیم که ابرر...

در این پروژه مداری برای تولید جریان بایاس و قرائت خروجی دیود سالیتانی (jfd) ارائه شده است.دیود مذکور یک آشکارساز امواج گیگا هرتزی با حساسیت بسیار بالا است. این قطعه الکترونیکی در دمای فوق سرد کار می کند و باید مانند سایر قطعات الکترونیکی، در نقطه کارِ مناسب بایاس شود. امواج گیگا هرتزی مقدار جریان شکست دیود (ibr) را تغییر می دهد؛ بنابراین با اندازه گیری مقدار این جریان می توان تشعشعات گیگا هرتزی...

چکیده ضرب کننده های آنالوگ یکی از بلوک های مهم در ساختار سیستم های پردازش سیگنال و همچنین سیستم های مخابراتی می باشند. از مهمترین کاربرد این مدارات می توان به مدولاتورها، چند برابر کننده های فرکانس، شبکه های عصبی، سیستم های اندازه گیری، فیلترهای تطبیقی، حلقه های قفل فاز و… اشاره نمود. تابع خروجی ضرب کننده ایده-آل بصورت ضرب دو سیگنال x و y می باشد. اولین ضرب کننده آنالوگ نیمه هادی توسط گیلبر...