به منظور میراکردن پدیده انتشار هارمونیک، فیلترهای فعال قدرت روی سیستم‌های توزیع نصب می‌شوند. نصب فیلتر فعال قدرت روی باس‌ها ممکن است باعث ایجاد پدیدة نوسان هارمونیکی «Whack-a-mole» شود. در این مقاله فیلتر فعال قدرت موازی که بر اساس آشکارسازی ولتاژ کار می‌کند و با هدف کاهش مؤثر و جبرانسازی پدیده های انتشار و نوسان هارمونیکی به کار رفته، مورد بررسی و مطالعه قرار گرفته است. دو مطالعه موردی اتصال م...

به منظور میراکردن پدیده انتشار هارمونیک، فیلترهای فعال قدرت روی سیستم‌های توزیع نصب می‌شوند. نصب فیلتر فعال قدرت روی باس‌ها ممکن است باعث ایجاد پدیدة نوسان هارمونیکی «Whack-a-mole» شود. در این مقاله فیلتر فعال قدرت موازی که بر اساس آشکارسازی ولتاژ کار می‌کند و با هدف کاهش مؤثر و جبرانسازی پدیده های انتشار و نوسان هارمونیکی به کار رفته، مورد بررسی و مطالعه قرار گرفته است. دو مطالعه موردی اتصال م...

با پیشرفت فناوری cmos سطح ولتاژ منابع تغذیه کاهش و سرعت سوئیچینگ افزایش یافته است. کاهش سطح ولتاژ تغذیه دست یابی به دقت بالا در مبدل های داده ای که در حوزه ولتاژ کار می کنند را با مشکل روبرو می سازد. در مقابل افزایش سرعت سوئیچینگ موجب کارکرد بهتر مبدل های داده مبتنی بر زمان می شود. در مبدل های داده مبتنی بر vco سیگنال در حوزه زمان کوانتیزه می شود، به علاوه این مبدل ها خاصیت ذاتی شکل-دهی نویز دا...

اسیلاتور ها قسمت مهمّی در سیستم های مخابراتی rf می باشند. از این مدارات در ترکیب کننده های فرکانسی مورد استفاده در pll ها و همچنین در سیستم های دیجیتالی برای تولید پالس ساعت استفاده می گردد. در بسیاری از مدارات کاربردی، اسیلاتور های استفاده شده باید قابل تنظیم باشند، یعنی فرکانس خروجی آنها باید تابعی از یک سیگنال ورودی که معمولاً یک ولتاژ است، باشد. به این نوع اسیلاتور ها، اسیلاتور های کنترل شده ...

به منظور میراکردن پدیده انتشار هارمونیک، فیلترهای فعال قدرت روی سیستم های توزیع نصب می شوند. نصب فیلتر فعال قدرت روی باس ها ممکن است باعث ایجاد پدیدة نوسان هارمونیکی «whack-a-mole» شود. در این مقاله فیلتر فعال قدرت موازی که بر اساس آشکارسازی ولتاژ کار می کند و با هدف کاهش مؤثر و جبرانسازی پدیده های انتشار و نوسان هارمونیکی به کار رفته، مورد بررسی و مطالعه قرار گرفته است. دو مطالعه موردی اتصال م...

مدل جامعی برای یک خازن MOS، که به صورت یک MOSFET n- کانال نوع تخلیه ای در یک فن آوری CMOS زیر میکرونی پیاده سازی شده است، ارائه می شود. این مدل وابستگی ظرفیت خازنی به ولتاژ گیت را روی تمام گستره ولتاژ های عملیاتی منظور می کند و برازش آن به داده های اندازه گیری شده ظرفیت خازنی بر حسب ولتاژ گیت با ضریب همبستگی 99/0 مشخص می شود. با در نظر گرفتن خازن گیت و مقاومت سری مربوط به آن به صورت یک شبه RC گ...