یک سلول uhv شکست اتمی هیدروژن جهت تولید هیدروژن اتمی به منظور تمیز سازی درجای نمونه های نیمه هادی ساخته شده است. این سلول به منظور تمیز سازی نمونه های گروه سه تا پنج جدول تناوبی عناصر نظیر gaas تنظیم و مورد آزمایش قرارگرفته است. درکارحاضر فرایند شیمیایی تمیزسازی هیدروژن نمونه های gaas توسط طیف سنجی جرمی مورد مطالعه قرارگرفت. روش xps روی نمونه ها در مراحل مختلف تمیزسازی به کارگرفته شد. دفع اکسید...

در این پروژه اثر نسبت گازهای قابل احتراق روی عملکرد اکسیدهای فلزی نیمه هادی پایه دی اکسید قلع (نیمه هادی نوع - n) در دماهای مختلف بررسی شده است. برای بالا بردن حساسیت سنسور، پلاتین به ‏‎sno2‎‏ اضافه شده و گازهای قابل احتراق مورد بررسی ‏‎co‎‏ در هلیم و ‏‎c2h6‎‏ در هلیم و مخلوطی از آن دو گاز( ‏‎c2h6 , co‎‏ در هلیم) و دماهای تست شده برای ‏‎(c300-440)co‎‏، برای ‏‎c2h6‎‏ (‏‎c 400-460‎‏) و برای مخلوط...

در این مقاله راجع به نیمه هادیها و ترانزیستور کلیاتی مورد بحث قرار میگیرد که مطالعه آن برای کلیه علاقه مندان مفید می باشد .

نرم افزاری جهت شبیه سازی عملکرد سلول های خورشیدی رنگدانه ای تدوین گردیده است. با کمک این نرم افزار عملکرد سلول های خورشیدی رنگدانه ای بر پایه الکترودهای نوری اکسیدروی و دی اکسید تیتانیوم مورد بررسی قرار گرفت. بازده سلولهای خورشیدی به طور مستقیم به پارامترهای ساخت سلول بستگی دارد . بر پایه این پارامترها جریانهای داخلی و تراکم حامل های بار و نمودار جریان-ولتاژ و نمودار توان- ولتاژ و تاثیر قابلیت ...

در تکنولوژی ساخت نیمه هادی ها، به کوره هایی با دقت زیاد در دمای بالا نیاز است تا در آنها عملیات آلیاژسازی، نفوذ، رشد اکسید و غیره انجام گیرد. برای داشتن ادوات نیمه هادی با مشخصات یکسان، کنترل یکنواخت درجه حرارت کوره در محدوده 1 درجه سانتیگراد ضروری است . در این پروژه کوره الکتریکی جهت عملیات روی نیمه هادی مطالعه و بررسی شده است . پس از بررسی ساختاری، مراحل شناسائی، شبیه سازی و کنترل دما روی یک ...

در این مطالعه اثر قلع دوپه شده بر روی ساختار و مشخصات نوری نانوذارت مس (2) که به روش هیدروترمال در شرایط ملایم بدون نیاز به تنظیم pH و سورفکتانت ارائه شده است. ساختار و خواص نوری نانوذرات  مس اکسید و مس اکسید دوپه شده با قلع توسط فنون طیف سنجی پراش اشعه ایکس (XRD) ، میکروسکوپ الکترونی روبشی (SEM) ، مادون قرمز(IR) و فوتولومینسانس (PL) مورد بررسی و مطالعه قرار گرفت. آنالیز اشعه ایکس نشان ده...

دو رویکرد متداول برای شبیه سازی ادوات نیمه هادی، روش های مبتنی بر معادلات موازنه و مونت کارلو هستند. در روش مونت کارلو، تابع توزیع بولتزمن محاسبه می شود و سپس از روی آن کمیت های فیزیکی بدست می آیند. اما در روش های مبتنی بر معادلات موازنه، تابع توزیع محاسبه نمی شود، بلکه مستقیماً کمیت های فیزیکی مورد نیاز بدست می آیند. از آنجائیکه روش مونت کارلو به شدت نویز پذیر است و به زمان پردازش زیادی نیاز دا...

سنسور میدان مغناطیسی مبدلی است که میدان مغناطیسی را به یک سیگنال الکتریکی تبدیل می کند. سنسورهای نیمه هادی گالوارنومگنتیک ، با توجه به نیروی لورنتس که به حاملهای بار وارد می شود، به میدان مغناطیسی حساس می باشند. در این پایان نامه ابتدا به فیزیک اثر هال که یکی از مشهودترین آثار گالوانومگنیک می باشد، در نیمه هادیها پرداخته شده است . ابتدا یک تحلیل تقریبی ارائه شده و سپس روابط دقیقتر برای ضرایب اس...

تری اکسید تنگستن به عنوان فتوکاتالیستی در ناحیه ناحیه مرئی نسبت به نیمه هادی های دیگر مانند tio2 و zno بسیار مناسب تر است ولی به دلیل بازترکیب الکترون و حفره راندمان خوبی ندارد. برای افزایش راندمان فتوکاتالیستی wo3 راهکارهایی مانند بهینه کردن خصوصیات فیزیکی مانند اندازه و مورفولوژی نانوذرات، اصلاح ساختار آناز طریق آلاییدن آن با فلزات نجیب و یا یون های فلزی، کامپوزیت کردن آن با نیمه هادی های دیگ...

جریان تونل زنی اکسید گیت در ماسفت ها یکی از مهمترین عوامل در تحلیل و اندازه گیری پارامترهای این قطعات است. در رساله حاضر، ابتدا اثر جریان گیت در ترانزیستورهای ساخته شده در فناوری روز نیمه هادی بررسی شد و لزوم محاسبه آن ذکر شد. سپس با استفاده از مدلی جدید به محاسبه ی عرض چاه پتانسیل ایجاد شده در ناحیه ی وارونگی و همچنین تابع موج الکترون ها در واسط بین اکسید و نیمه هادی پرداخته شد. در نهایت به کم...