در این تحقیق پارامترهای تاثیرگذار در ساخت نانوساختارهای نیمرسانای اکسید مس به روش رسوب الکتریکی جهت کاربرد در تجزیه فتوالکتروشیمیایی آب مورد مطالعه قرار گرفته است. این پارامترها شامل اثر pH الکترولیت، پتانسیل اعمال شده، مدت زمان سنتز نمونه و دمای الکترولیت می‌باشند. اکسید مس به دلیل دارا بودن بالاترین بازده نظری برای تجزیه فتوالکتروشیمیایی آب، بسیار مورد توجه می‌باشد. از آزمون‌های پراش پرتو ایک...

در مقالۀ حاضر، مشخصه جریان-ولتاژ یک دیواره‌ مغناطیسی 2π رادیان ایجاد شده در میان دو نانوسیم از جنس نیمرسانای مغناطیسی نوع p با قطبش اسپینی بسیار بالا در دمای معین T مطالعه و بررسی شده است. در این راستا، احتمال عبور و بازتاب حامل‌ها از دیواره 2π رادیان با حل معادله جفت شده شرودینگر برای مؤلفه‌های تابع موج اسپینی با اسپین بالا و پائین تعیین شده و سپس چگرادیان با حل معادلات جفت شده شرودینگر برای م...

در سال های اخیر ترابرد جریان اسپین قطبیده از ساختار های چند لایه ای نیمرسانای غیرمغناطیسی / نیمرسانای مغناطیسی رقیق شده (dms/nms) به دلیل کاربرد آنها در اسپینترونیک توجه زیادی را به خود معطوف کرده است. در این پایان نامه به طور نظری آثار جفت شدگی اسپین- مدار راشبا را روی مغناطومقاومت و قطبیدگی اسپینی ساختار سد دو گانه dms/nms در حضور میدان مغناطیسی بررسی نمودیم. نتایج به دست آمده نشان می دهد که ...

اکسیدروی یک ترکیب نیمرسانای دیامغناطیس هست، که در سه ساختار بلوری ورتزایت، بلِندروی و سنگ نمک یافت می¬شود. ساختار بلوری ورتزایت پایدارترین ساختار است. اکسیدروی نیمرسانای نوع n بوده که می¬توان تهی¬جای¬های ذاتی اتم روی و اکسیژن را عامل بروز این خاصیت دانست. علاوه بر¬این، نقص¬های ذاتیِ شبکه¬ی بلوری اکسیدروی موجب بروز خصلت فرومغناطیس و ممان مغناطیسی 2?_b در سیستم می¬شود. محاسبات آغازین ساختار الکترو...

در این پایان نامه به مطالعه ی خواص ترابرد الکترونی در نیمرسانای گالیم آرسناید به روش نظری پرداخته شده است. در ابتدا روش شبیه سازی بر پایه ی معادلات نفوذ رانش نیمه کلاسیک انجام شد و پس از بررسی ناکارامدی نسبی روش نیمه کلاسیک در بیان مشخصات قطعات نانومتری، بر روی معادلات تصحیحات کوانتومی اعمال گردید. با این تصحیحات نتایج شبیه سازی به مقادیر قابل انتظار تبدیل گردید و اثرات پدیده هایی چون تونل زنی...

گرافین دولایه هم مانند تک لایه یک نیمرسانای بدون گاف است، اما مطالعات توری و تجربی اخیر نشان داده اند که می توان گاف نواری قابل توجهی را با کاهش دادن تقارن سیستم با استفاده از یک میدان الکتریکی عمود بر لایه ها به وجود آورد. بنابراین ماده ای با گاف نواری قابل کنترل داریم که استفاده از آن در وسایل الکترونیکی و اپتوالکترونیکی که وجود یک گاف نیمرسانایی لازم است، را ممکن می سازد. به خصوص گافی به اند...

نانوبلورهای نیمرسانای pbse به روش شیمیایی تهیه شدند. سپس نانوبلورهای تهیه شده توسط دستگاه-های، طیف سنجی تبدیل فوریه مادون قرمز(ft-ir)، دستگاه پراش سنج اشعه ایکس(xrd) و میکروسکوپ الکترونی روبشی(sem)مشخصه یابی شدند. اطلاعات بدست آمده از ft-ir حاکی از این است که سه قله جذب در 1-cm38/2955، 1-cm73/2918و1-cm31/2849 مربوط به اولئیک اسید هستند. الگوی xrd اندازه، گاف انر‍ژی و ثابت شبکه این نانوبلورها را...

در این تحقیق تجربی مورفولوژی سطح، خواص ساختاری، اپتیکی، ترمو الکتریکی و الکتریکی و هم چنین خواص فوتورسانش نانو ساختارهای نیمرسانای اکسید مس (cuo) رشد داده شده به روش افشانه تجزیه حرارتی را بر روی زیرلایه شیشه مورد بررسی قرار داده ایم. برای مشخصه یابی نمونه ها از دستگاه های میکروسکوپ الکترونی روبشی گسیل میدانی (fesem)، پراش پرتو ایکس (xrd)، دستگاه طیف سنج نوری (uv-vis) و اندازه گیری جریان- ولتاژ...

هدف اصلی این پایان نامه بررسی ویژگیهای حسگری گازی لوله های نانومتری کربنی زیگزاگ و نوارهای نانومتری کربنی آرمچیر است. مطالب این پایان نامه به ترتیب زیر ارائه می شود. در فصل اول انواع مختلف حسگرها معرفی می شوند و حسگرهای گازی حالت جامد به طور مفصل مورد مطالعه قرار می گیرند. فصل دوم به به بررسی روشهای سنتز و ویژگیهای الکتریکی دو دسته از ساختارهای مهم کربنی – لوله های نانو متری کربنی و نوارهای نان...

پایان نامه حاضر به مطالعه و بررسی مقاومت مغناطیسی تونل زنی در نانو ساختار نامتجانس gaas/ gamnas مبتنی بر نیمرسانای مغناطیسی رقیق در حضور میدان مغناطیسی خارجی و همچنین بایاس اعمالی خارجی به صورت تئوری می پردازد .محاسبات در مدل الکترون تقریبا آزاد (جرم موثر) ودر چهارچوب تئوری ماتریس انتقال در رژیم همدوسی صورت گرفته است