در مقاله حاضر، سقوط قطره سیال فرو در سیال غیر مغناطیسی تحت اثر میدان مغناطیسی یکنواخت در جریان دوفازی به صورت عددی مطالعه می شود. برای این منظور، از روش ترکیبی شبکه بولتزمن مدل شان- چن و روش حجم محدود استفاده شده است. معادله شبکه بولتزمن با استفاده از اضافه کردن ترم نیروی مغناطیسی جهت به روزرسانی میدان جریان حل می شود، در حالیکه معادله القاء مغناطیسی به روش حجم محدود برای محاسبه میدان مغناطیسی ...

فریت ها از جمله ترکیبات اسپینلی می باشند که به علت خواص مغناطیسی و الکتریکی خود توجه قابل ملاحظه ای را جلب نموده اند. فریت ها کاربردهای زیادی ازجمله در دستگاه های مغناطیسی، نوار ضبط، خواندن و نوشتن روی هد، دیسک های ضبط دیجیتال، داروهای ضد سرطان، تصویربرداری رزونانس مغناطیسی و ... دارند. هدف از این پایان نامه سنتز نانو ذرات اسپینلی mfe2o4 (m=co,ni,cu,zn) به روش احتراقی با استفاده از عصاره طبیعی ...

در این پایان نامه، جوشش جریان چرخشی یک نانوسیال رقیق ( آب و %1/0 ) در یک آنالوس با نوار پیچیده شده بر روی دیواره داخلی آن در حضور یک میدان مغناطیسی عرضی غیریکنواخت به صورت عددی و به وسیله مدل دو سیالی و تکنیک حجم کنترل، مورد بررسی قرار گرفته است. نتایج نشان می¬دهند که در جوشش جریانی چرخشی، نرخ انتقال حرارت افزایش می¬یابد. این پدیده را می-توان به تاثیر نیروی گریز از مرکز بر جریان فاز مایع سیال و...

گرافن یک ساختار دو بعدی از اتم های کربن است که اتم های کربن در آن با اوربیتال های پیوندی sp2، یک چیدمان شش ضلعی را تشکیل داده اند. ساختار هندسی منحصر به فرد و رفتار نسبیتی حامل های بار باعث ایجاد خصوصیات بسیار جالبی در گرافن می شود. به دلیل این خصوصیات جالب و قابلیت کاربردی، گرافن توجه قابل توجهی را در چند دهه گذشته به خود جلب کرده است. به علاوه مطالعه ساختار الکترونی نقطه ی کوانتومی گرافنی تحت...

یکی از محدودیت های اساسی در مینیاتورسازی ترانزیستورها، محدود بودن شیب زیر آستانه ی آن ها به 60mv/dec در دمای اتاق است. آی-ماس (i-mos) که مبتنی بر یونیزاسیون برخوردی است، این محدودیت را به حدود5mv/dec کاهش داده است. آی-ماس یک نانوترانزیستور با ساختار p-i-n دارای گیت است. گیت، بخشی از ناحیه ی ذاتی(i) واقع شده در میان سورس p یا n و درین n یا p را می پوشاند. ساز و کار تزریق حامل در این افزاره بر اس...

مدلسازی میدانهای بیوالکترومغناطیسی مغز در تشخیص و درمان بیماری های مغز ضروری است. در این مدلسازی با مسائل پیشرو و معکوس الکتروانسفالوگرافی (eeg) و مگنتوانسفالوگرافی (meg) مواجه هستیم. منابع تولید میدان های بیوالکترومغناطیسی مغز، نورون های فعال در داخل مغز می باشد که این نورون ها می توانند با دوقطبی های جریان مدل شوند. منظور از مسأله معکوس، تعیین منابع تولید این میدان ها از روی سیگنا لهای الکتری...

چکیده ندارد.

بر مبنای فرضیه تغییرات خودپذیری مغناطیسی(k) سنگها در اثر حرارت و دگرسانی ژئوشیمیایی حاصل از عمل گرمابها در منطقه اکتشافی سرعین،اندازه گیریهای تفصیلی میدان مغناطیسی در منطقه ای به وسعت 16 کیلومتر مربع صورت گرفته است. بر اساس نقشه مغناطیسی بدست آمده،دوبی هنجاری با افت مشخص میدان نسبت به میدان مغناطیسی زمینه منطقه مشخص گردیده است. پس از تعیین عمق تقریبی منابع دوبی هنجاری،نقاطی برای حفر گمانه های ا...

لایه های مغناطیسی، ترکیبی از آلیاژهای مواد مغناطیسی نرم، به عنوان دسته جدیدی از مواد مغناطیسی امروزه مورد اهمیت قرار گرفته اند. این مواد کاندیدای خوبی برای استفاده در مدارهای الکترونیکی به ویژه در فرکانسهای بالا و از طرفی برای استفاده به عنوان حسگرهای مغناطیسی هستند. در این مقاله، مطالعه خواص ترابرد لایه های مغناطیسی به شکل سیم رسانا متشکل از مواد مغناطیسی نرم با استفاده از طیفنگاری امپدانس آنه...

در سال 2004 یک گروه فیزیکدان از دانشگاه منچستر انگلستان به سرپرستی گیم و نوسلو، به کمک شیوه هاکاملاً طبیعی صفحه ی پایدار گرافن را با ضخامت یک اتم کربن جداسازی کردند و تحولی در بررسی های مربوط به کربن به وجودآوردند. آنها از گرافیت سه بعدی شروع کردند و ورقه ای تک لایه (یک لایه اتمی) را با روشی که شکافت میکرومکانیکی نامیده می شود، استخراج کردند. چنین لایه دو بعدی، یک بلور با کیفیت بالایی است، به طو...