در این پایان نامه در ابتدا ساختار لایه و ناخالصی یک لیزر مبتنی بر مواد inp/ingaasp و ساختار بالک را بررسی و تحلیل نموده ایم. در این ساختار لایه ingaasp به عنوان لایه فعال و لایه های inp با ناخالصی تدریجی به عنوان لایه های تحدید استفاده شدند. این لیزر درطول موج µm 55/1 تشعشع خواهد داشت. سپس بجای لایه فعال ingaasp از سه جفت لایه inp/ingaas چاه کوانتومی استفاده گردید. ساختار جدید نشان می دهد که مش...

چکیده ندارد.

نانوساختارهای اورانیا با استفاده از یک روش نهشت ساده، تمیز و قابل اجرا در دو زمان نهشت متفاوت تهیه شد. ساختارها و ریخت‌­شناسی محصول­‌ها با استفاده از تکنیک پراش پرتو ایکس (XRD) و میکروسکوپی الکترون پویشی (SEM) مشخصه‌­یابی شدند. ریزنگارهای میکروسکوپی الکترون پویشی نشان دادند که ریخت‌­شناسی نمونه‌­ی تهیه شده در مدت زمان نهشت 10 دقیقه دارای ساختار یکنواخت سکه مانند با ابعاد نانومتر (قطر صفحه‌­ها ح...

در این پروژه به سنتز نانولوله های کربنی با ویژگی ها و بهره بالا توسط روش نهشت از فاز بخار شیمیایی روی کاتالیست های co-mo/mgo و ni-mo/mgo آماده شده به روش تلقیح مرطوب پرداخته شد، اثر چندین پارامتر موثر در سنتز از جمله دمای رشد، نوع و ترکیب کاتالیست و نسبت ترکیب درصد وزنی در غلظت ثابت( 20%) روی نانولوله های کربنی تولید شده به روش cvd مورد بررسی قرار گرفت. کاتالیست های آماده شده و نانولوله های رشد...

لایه ی نازک اکسید سیلسیم به علت دارا بودن ضریب شکست پایین و در عین حال شفاف بودن در محدوده ی مریی کاربرد بسیار زیادی در قطعات اپتیکی و اپتوالکترونیکی دارد همچنین این ترکیب به علت دارا بودن خواص الکتریکی ویژه در قطعات میکروالکترونیک از جمله در مدارات مجتمع به طور وسیع مورد استفاده قرار می گیرد برای تولید ترکیب اکسید سیلسیم به صورت لایه نازک به روش رسوب گذاری بخار شیمیایی استفاده از گاز سیلان به ...

لایه¬های نازک نیمرسانای سولفید روی (zns) از جمله نیمه هادیهای ترکیبی گروههای ii-vi می¬باشد که به دلیل کاربرد وسیعش دراپتو الکترونیک، مانند دیودهای منتشرکننده نور آبی، قطعات الکترولومینسانس و سلولهای فوتو ولتائیک تحقیقات فراوانی روی آن صورت گرفته است. در این تحقیق لایه¬های نازک سولفید در دو دمای مختلف زیر لایهc º 25 وcº 200 و در ضخامتهای مختلفnm 600-nm 100 بر روی زیرلایه شیشه¬ای به روش تبخیر د...

چکیده ندارد.

چکیده ندارد.

چکیده لایه¬های نازک سولفید روی با ضخامت¬های مختلف nm 75 وnm 200بر روی زیرلایه¬های شیشه¬ایی به روش تبخیر در خلا (pvd) لایه نشانی شدند. دمای زیرلایه در محدوده ?(200-75) متغیر بود. لایه¬هایی که بر روی زیر لایه با دمای ?200 سنتز شدند به مدت 1 ساعت در هوا و در دماهای متفاوت 0c 300 ، 0c400 و0c 500 مورد بازپخت قرار گرفتند. تغییر در خواص اپتیکی و ساختاری لایه¬ها توسط طیف پراش اشعه ایکس، طیف¬سنجی uv/v...