طیف سنجی گاما با استفاده از آشکارسازهای ژرمانیوم فوق خالص با قدرت تفکیک انرژی زیاد، کاربرد وسیعی در علوم هسته ای دارد. بخش عمده ای از یک طیف تابش گاما را، زمینه کامپتون ناشی از عدم جذب کامل انرژی فوتونها تشکیل می دهد. این جذب ناقص به سبب فرار فوتونهای پراکنده شده کامپتون از آشکاساز است . پیوستار کامپتون نه تنها در شناسایی فله های کوچک ، بلکه در تعیین مکان و شدت قله های قابل مشاهده نیز موجب ابها...

در این پروژه نانوسیم های فلزیni و fe و نانوسیم های بس لایه ای ni/fe درون حفره های قالب پلی کربنات با قطر100nm به روش رسوب گذاری الکتروشیمیایی تهیه شدند.رسوب گذاری الکتروشیمیایی به صورت پتانسیواستات و با استفاده از سیستم سه الکترودی انجام شد. رشد نانوسیم های ni، fe و نانوسیم های بس لایه ای ni/fe، به ترتیب با استفاده از الکترولیتی حاوی نمک ni، نمک feو سیستم دو حمامی حاوی نمک های ni و feانجام گردی...

در سلول های خورشیدی آمورف لایه نازک با ساختار p-i-n یک لایه ذاتی ضخیم می تواند نور بیشتری برای تولید الکترون و حفره جذب کند. با این حال یک لایه ضخیم ذاتی میدان الکتریکی رانشی را برای انتقال حامل ها تضعیف می کند. از سوی دیگر یک لایه نازک نمی تواند نور کافی جذب کند. ضخامت لایه ذاتی یک پارامتر کلیدی است که می تواند عملکرد سلول های خورشیدی لایه نازک را محدود کند. تزریق اتم های ge به شبکه si در سلول...

هدف از پایان نامه، رشد و مطالعه ی نانوسیم های کبالت می باشد. از میان روش های متعدد رشد، روش الکتروانباشت به دلیل سهولت در رشد، ارزانی و فراگیر بودن آن بیش از سایر روش های موجود مورد توجه قرار گرفته است. برای انباشت و کنترل راستای رشد نانوسیم ها، ابتدا قالب های متخلخل اکسید آلومینیوم با چگالی حفره های بسیار بالا ساخته شدند. جهت ساخت قالب های متخلخل، از روش آنودایز چند مرحله ای قالب آلومینا به کم...

نانوسیم های نیکل در قطر 20 و 100 نانومتر به روش الکتروانباشتdc با استفاده از قالب اکسید آلومینیوم آندی (aao) ساخته شدند. با استفاده از سونش قالب aao در محلول سود و محلول اسید فسفریک و اسید کرومیک نانوسیم ها از حصار قالب خارج شدند. مورفولوژی سطح قالب و نانوسیم ها با استفاده از روش های afm و sem مطالعه شدند. الکترود خمیر کربن با استفاده از نانوسیم های نیکل و fad اصلاح شد. الکترود اصلاح شده برای...

‏ نانوسیم های سیلیکونی قابلیت های فراوانی در تولید ساختارهای نانوالکترومکانیکی، سامانه های تبدیل ‏انرژی، نانو حسگر ها و سلول های خورشیدی از خود نشان داده اند. در ابزارهای ترموالکتریکی، به منظور ‏بهبود بازده تبدیل انرژی، کاهش دادن رسانایی حرارتی بدون کاستن از رسانایی الکتریکی مد نظر قرار می ‏گیرد و نانوسیم های سیلیکونی گزینه مناسبی برای دستیابی به این هدف هستند. در این تحقیق، از دینامیک ‏مولکولی...

اهمیت روزافزون نانوساختارهای مغناطیسی و کاربرد های متنوع آنها، مطالعه دقیق رفتار مغناطیسی آنها را مورد توجه محققین قرار داده است. یکی از شیوه های مطالعه دقیق و جزئی رفتار مغناطیسی مواد که اخیراً مورد توجه بیشتری قرار گرفته است، روش منحنی-های بازگشتی مرتبه اول (forc) است. در این تحقیق با استفاده از روش forc رفتار مغناطیسی نانوسیم های cozn بر اثر تغییر درصدی zn و تغییر قطر نانوسیم های مورد مطالعه ...