در این پژوهش نانوسیم های اکسید روی به روش تبخیر حرارتی پودر zn ، بر روی زیرلایه های شیشه، کوارتز، سیلیکون و فولاد ، تحت شارش گاز آرگون به عنوان گاز حامل و هوا به عنوان گاز واکنش دهنده در دمای 620 درجه سانتیگراد به طور موفقیت آمیزی رشد داده شدند. نمونه های بدست آمده توسط پراش پرتوی ایکس و میکروسکوپ الکترونی روبشی مورد آنالیز قرار گرفتند. برای بررسی تأثیر کاتالیست بر روی رشد نانوسیم ها، زیرلایه ه...

نانوسیم های کبالت به لحاظ ناهمسانگردی مغناطوبلوری تک محوری، به شدت مورد علاقه محققان جهت ساخت حافظه های مغناطیسی عمودی می باشند. بررسیهای نظری نشان داده است که ساخت نانوسیم های تک بلور کبالت با جهت گیری مناسب، امکان دسترسی به وادارندگی های بالا را فراهم می سازد. برای ساخت نانوسیم های کبالت در تحقیق حاضر، از روش الکتروانباشت پالس در داخل قالب های آلومینا تهیه شده از روش آندایز دومرحله ای در ا...

امروزه تولید و مطالعه نانوساختار ها بویژه نانوساختارهای تک بعدی با ترکیبات مختلف فلزی (آلیاژ)، اکسید ها و نیمه رساناها، با روند رو به رشدی همراه بوده است. هم چنین نسل جدید دستگاه های الکترونی مینیاتوری سبب شده اند که نانوساختارها مورد توجه بیشتری قرار گیرند. در چند سال گذشته سیم های کوانتومی با عنوان نانوسیم ها و نانومیله ها توجه زیادی را به خود جلب کرده اند. نانو سیم های نیمرسانا دارای خصوصیات...

در این پایان نامه، نانوساختارهای یک بعدی tio2 به روش vls تهیه شدند. بطور کلی ساخت نانوسیم های tio2 شامل سه مرحله ی اساسی می باشد: نخست، لایه نازکی از تیتانیوم به روش پرتوالکترونی در خلاء mbar 5-10×5/1 بر زیرلایه کوارتز لایه نشانی شد. سپس به روش کندوپاش لایه نازکی از طلا به ضخامت nm 3 بر روی تیتانیوم پوشش داده شد. در مرحله ی نهایی محصول بدست آمده در کوره ی استوانه ای قرار داده شد و نانوسیم های t...

مطالعه خواص مغناطیسی و بلوری نانوسیم ها در ساخت حافظه های مغناطیسی و نانوسیم-های چند لایه بسیار مورد توجه قرار گرفته اند. تا کنون آرایه هایی از این نانوسیم ها ساخته شده-اند که از آن جمله می توان به نانوسیم های فرومغناطیس تک عنصری و یا نانوسیم های آلیاژی دوتایی fm/fm مانند cofe و cozn و آلیاژهای سه تایی مانند fecocu اشاره نمود. از آنجا که افزودن هر عنصر غیر مغناطیسی به عناصر مغناطیسی رفتاری من...

در این مقاله با استفاده از روش تابع گرین در رهیافت تنگ بست و رژیم پاسخ خطی، به مطالعه ی رسانش الکتریکی یک نانوسیم شامل اتم های سطحی مرتعش که بین دو هادی صلب ساده قرار گرفته است، پرداخته ایم. با بهره گیری از فضای فوک، اثر برهمکنش الکترون ـ فونون را در ضریب عبور الکترونی مورد بررسی قرار داده ایم. نتایج نشان می دهد که مکان قله های تشدیدی رسانش با افزایش قدرت برهمکنش الکترون ـ فونون به سمت انرژی ها...

در این تحقیق برای اولین بار از قالب آلومینای آندی که به روش آندایز سخت با الکترولیت اسید اگزالیک در ولتاژ130 ولت تولید شده بود به عنوان قالب برای ساخت نانو سیمهای آلیاژی fe0.5co0.5استفاده شد. برای مطالعه ی میزان و شدت برهمکنش های مغناطواستاتیک بین آرایه ی نانوسیمها از سیستم آنالیز forc که با مشارکت و پشتیبانی شرکت مغناطیس دقیق کویر برای اولین بار در غرب آسیا طراحی و ساخته شده است، استفاده گردید...

کاربردهای فوق العاده ی نانوسیم های مغناطیسی و اهمیت و ارزش پدیده gmr در نانوسیم های متشکل از مواد مغناطیسی و غیرمغناطیسی ما را بر آن داشت تا برای تحقیق و پژوهش در این عرصه گام نهیم و سعی کنیم تا با بررسی اثر شرایط الکتروانباشت پالسی بر کاهش مقدار مغناطش در نانوسیم های آلیاژی cocu در غلظت های مختلف مس، به شرایط بهینه برای ساخت نانوسیم های چند لایه ای دست یابیم. در تحقیق و پژوهش حاضر علاوه بر تلا...

نانوسیمهای مغناطیسی با توجه به کاربرد آنها در زمینه ی ساخت حافظه های مغناطیسی عمودی چگالی بالا و خواص مقاومت مغناطیسی بزرگ (gmr) آنها مورد توجه بسیاری از دانشمندان و پژوهشگران قرار گرفته است. تاکنون نانوسیم های مغناطیسی مختلفی شامل نانوسیم های تک عنصری و آلیاژی مورد بررسی قرار گرفته است. با توجه به اثرات مطلوب افزودن عناصر غیرمغناطیسی بر خواص مغناطیسی نانوسیم ها، ساخت نانوسیم های آلیاژی nizn و ...

نانوسیم های coxmn1-x به روش الکتروانباشت متناوب در قالب اکسید آلومینیوم آندی ساخته و تاثیر غلظت منگنزدر الکترولیت بر خواص مغناطیسی آن ها بررسی شد. نمونه ها با استفاده از میکروسکوپ الکترونی روبشی، میکروسکوپ نیروی اتمی، پراش پرتو x و مغناطومتر agfm مورد مطالعه قرار گرفتند. نتایج مربوط به اندازه گیری حلقه ی پسماند نشان می دهد که افزایش مقدار منگنز در ابتدا باعث کم شدن مقدار وادارندگی می شود به طور...