به دلیل اهمیت اندازه گیری ضخامت و شناسایی لایه های نازک، روش های گوناگونی برای تشخیص و تعیین این لایه ها به کار گرفته شده است. بیناب نگاری شکست القایی لیزری (libs) نیز در دهه ی اخیر به عنوان یک ابزار تشخیصی برای شناسایی لایه های نازک مورد توجه قرار گرفته است. بی نیازی از آماده-سازی نمونه، سرعت به کارگیری آن برای گستره ی وسیعی از عنصر ها، حتی از راه دور، از جمله ی برتری-های این روش به شمار می آی...

اندازه ی المان های مجتمع نوری در قرن 21 به ابعاد الکترون ها و طول موج های مادون قرمز رسیده است. در حوزه ی الکترونیک این مطلب بیانگر آن است که ساختارهای آینده با استفاده از اثرات مبنایی کوانتوم همچون کوانتایی سازی بار و هدایت در ابعاد پهلویی کمتر از nm 10 طراحی می شوند. ابتدا ساختارهای مجتمع نوری همچون موجبرها و میکرو تشدیدگرها به یک مانع غیرقابل عبور که همان حد پراش است، مواجه شدند که برای طول ...

چکیده در سال های اخیر، علم لایه های نازک در میان سایر علوم رشد قابل ملاحظه ای داشته و حجم وسیعی از تحقیقات را به خود اختصاص داده است. بی شک رشد چشمگیر ارتباطات، پردازش اطلاعات، ذخیره سازی، صفحه های نمایش، صنایع تزئینی، ابزارآلات نوری، مواد سخت و عایق ها نتیجه تولید لایه های نازک براساس فناوری های نوین می باشد. در ساخت لایه های نازک نیز در سال های اخیر تحولات وسیعی صورت گرفته است که خود ناشی ا...

?روند موجود در الکترونیک حالت جامد, به سمت کوچک و کوچکتر شدن وسایل الکترونیکی, از میکروالکترونیک به نانوالکترونیک و بطور منطقی باید در انتها به الکترونیک مولکولی ختم شود. در سالهای اخیر پیشرفتهای خوبی در ساخت و توسعه سیم ها ودیودهای مولکولی که جزو سوئیچ های الکتریکی دوترمیناله( ساخته شده ازتک -مولکول) هستند شده است. ذر سال 1974 aviram and ratner ایده یکسو ساز مولکولی بر پایه ترکیبات مولکولی ازپ...

باتوجه به امکانات موجود، نتایج به دست آمده بسیار مثبت و رضایتبخش بوده است . برای انجام اکسیداسیون و تحقیق در زمینهء آهنگ اکسیداسیون و تاثیر دقیق عوامل مختلف بر روی آن احتیاج به یک کورهء اکسیداسیون مدرن دارد. کوره در دسترس برای این پروژه، فقط در یک دمای خاص (115 درجه سانتیگراد) کار می کرد (برای دماهای دیگر ضروری بود که دما در تمام نقاط داخل کوره به منظور به دست آوردن نیمرخ دمای اکسیداسیون اندازه...

مجموعه خواص ممتاز نانولوله های کربنی همچون چگالی پائین، نسبت سطح به حجم بالا، تنوع ساختاری، مقاومت شیمیایی بالا، استحکام مکانیکی مطلوب، مدول یانگ بالا و خواص الکترونی ویژه، حوزه جذابی را برای محققین جهت مطالعه و یافتن کاربردهای آن در گستر? زیاد، بعنوان تقویت کننده در نانوکامپوزیت ها گرفته تا قطعات میکروالکترونیک مانند led، fed حسگرهای مولکولی و آشکارسازها فراهم نموده است. اولین مشکل پیشرو در بک...

لایه نیترات سیلیکون ‏‎(sixny)‎‏ در صنایع میکروالکترونیک کاربرد فراوانی پیدان کرده است. به عنوان نمونه مواردی از قبیل: لایه های دی الکتریک عایق، سدهای نفوذی (در مقابل اکسیژن، رطوبت، سدیم و...) استفاده به عنوان ماسک در تهیه مدارات مجتمع و خواص فعال - غیرفعال سازی در قطعات الکترونیکی را می توان نام برد. این خصوصیات به مقدار زیادی به روش ساخت، نسبت استوکیومتری مناسب ‏‎(si3n4)‎‏ وجود ناخالصی هایی مث...

انرژی های موجود در محیط به شکل های مختلف از قبیل مکانیکی، خورشیدی، حرارتی، بادی و مغناطیسی وجود دارند که می توان آن ها را به طریق مناسبی در اختیار گرفته و به انرژی الکتریکی قابل استفاده در سیستم-های مختلف تبدیل کرد. بهره گیری از انرژی گرمایی هدر رفته در سیستم های مصرف کننده و یا تولید کننده انرژی، کاربرد نوینی از برداشت انرژی در مقیاس های میکرو و ماکرو با استفاده از ژنراتورهای ترموالکتریک است. ...

در سالهای اخیر، نانوساختارها و نانواکسیدهای فلزی به دلیل خواص منحصر به فرد و کاربردهای ویژه صنعتی در زمینه هایی چون میکروالکترونیک، اپتوالکترونیک، کاتالیست ها، فوتوکاتالیست ها، مواد مغناطیسی و ذخیره داده ها توجه زیادی را به خود جلب کرده اند. در این مطالعه، نانوذرات نیکل به روش رسوب گذاری و با کمک کمپلکس های باز شیف [ni(acacen)]، [ni(acacpn)] و [ni(acacbn)] به عنوان پیش ماده های جدید در دمای ا...

لایه ی نازک اکسید سیلسیم به علت دارا بودن ضریب شکست پایین و در عین حال شفاف بودن در محدوده ی مریی کاربرد بسیار زیادی در قطعات اپتیکی و اپتوالکترونیکی دارد همچنین این ترکیب به علت دارا بودن خواص الکتریکی ویژه در قطعات میکروالکترونیک از جمله در مدارات مجتمع به طور وسیع مورد استفاده قرار می گیرد برای تولید ترکیب اکسید سیلسیم به صورت لایه نازک به روش رسوب گذاری بخار شیمیایی استفاده از گاز سیلان به ...