در این رساله موجبرهای پلاسمونیک سه لایه در حضور اثرات مگنتواپتیک مورد بررسی و ارزیابی قرارگرفته اند. مروری کوتاه بر کارهای انجام شده در بررسی اثرات مگنتواپتیک و استفاده از ویژ گی های آن در انتشار spp ها صورت گرفته است. نظریه پلاسمون های سطحی مطرح و رابطه ها ی پاشندگی برای مد tm یک سطح مشترک مسطح بین یک دی الکتریک و یک فلز و موجبرهای لایه ای سه لایه یادآوری و چگونگی و شرط تحریک پلاسمون های سطح...

اتصالات نوری، به عنوان جایگزینی مناسب برای اتصالات الکتریکی در بوردها و تراشه های کامپیوتری، توسط فوتونیک سیلیکونی مجتمع مبتنی بر تکنولوژی CMOS قابل تحقق هستند. موجبر شیاری عایقی، به عنوان یکی از جدیدترین ساختارهای موجبر نوری، می تواند زیرساخت قطعات پسیو و اکتیو این مدارهای مجتمع را تشکیل دهد. قطعات پسیو دارای رفتار خطی هستند. از اثرات غیرخطی در موجبرهای فوتونیک سیلیکونی نیز می توان به منظور تح...

بهینه سازی مدت حرارت دهی تراشه نقره سیلانکاری شده توسط آمینوپروپیل تری اتوکسی سیلان در محیط آبی مورد استفاده در حسگرهای تشدید پلاسمون سطح هدف از انجام این تحقیق بوده است. در این تحقیق تراشه نقره با ضخامت nm 50 توسط محلول آبی آمینوپروپیل تری اتوکسی سیلان سیلانکاری شده و در زمانهای مختلف در دمای c°100 حرارت دهی شد. تراشه های سیلانه شده در نهایت با کمک روش های میکروسکوپ نیروی اتمی، حسگر تشدید پلاس...

در این مقاله موجبرهای پلاسمونیکی با هدف کنترل آهنگ نشر خودبه‌خودی نقاط کوآنتومی کلوئیدی طراحی شده‌اند. برای این کار، با در نظر گرفتن موجبرهایی از جنس نقره و آلومینیوم، وابستگی آهنگ نشر پلاسمونیکی نقطه کوآنتومی به ابعاد موجبر، جنس موجبر و مکان نقطه کوآنتومی بررسی شده است. نتایج نشان می‌دهد که نقطه کوآنتومی در فاصله 5 نانومتری از لبۀ موجبری از جنس نقره و با ضخامت (h)20 نانومتر و عرض گاف(w) 30 نان...

در این مقاله کاربرد یک موجبر مجتمع شده در زیر لایه با تیغه زیگ زاگی شکل، برای تحریک آنتن شکافی طولی موازی نشان داده شده است. دو رابطه ی اصلی یرای طراحی ساختار موجبر مجتمع شده در زیر لایه و به دست آوردن پارامترهای ساختار مورد نظر، برای تحریک شکاف موازی طولی توسط تیغه زیگ زاگی شکل، در موجبر مجتمع شده در زیر لایه تعیین شده است. تیغه زیگ زاگی درست زیر شکاف طولی قرار گرفته است. شکاف مورد نظر در امتد...

در این تحقیق، قابلیت روش جدید ساخت موجبرهای تپه ای در لیتیوم نایوبایت مبتنی بر سونش فیزیکی با گاز آرگون و نفوذ تیتانیوم بررسی می شود. برای این منظور سهم مد انتشاری در قسمت برآمده موجبر تپه ای، اندازه­گیری و شبیه­سازی شده است. همینطور  اثرات نقص های دیواره های موجبر تپه ای که یکی از چالشهای این نوع موجبرها است، در مقدار تلفات نور منتشر شده در موجبر، شبیه سازی شده است. ارتفاع قسمت برآمده موجبر سا...

در این مقاله یک جفتگر فلزی کم اتلاف و پر بازده به منظور هدایت موج از یک موجبر سیلیکونی به یک موجبر پلاسمونیک معرفی و مشخصه یابی شده است. عملکرد جفتگر در ابعاد مختلف بررسی و بهینه سازی شده است. محاسبات نشان می دهد که در جفتگر پیشنهادی، محدودسازی نور از موجبر سیلیکونی  .   به موجبر پلاسمونیک تا ابعاد2   nm 200×200 با بازده 70 % ( db 8/ 0 )در طول موج µm 55/1 رخ می­دهد .

در این مقاله حسگر تشدید پلاسمون سطحی را با در نظر گرفتن دو فلز، یک بار فلز طلا و در حالت بعدی فلز نقره مطالعه کرده و با استفاده از روش حسگری چند مدی امکان دسترسی به حساسیت طیفی بالا را در آنها مورد بررسی قرار می دهیم. نشان می دهیم که حساسیت طیفی قابل توجه حسگر تشدید پلاسمون سطحی، اندازه گیری ضخامت لایه جاذب را امکان پذیر می سازد

امروزه نانوساختارهای فلزی برای تحقق ادوات نوری بسیار کوچک در فرکانس های بالا و غلبه بر حد پراش نور، بسیار مورد توجه قرار گرفته اند. در این پایان نامه، فیزیک پلاسمون ها، نحوه انتشار آن ها در مرز مشترک فلز-عایق-فلز و تعدادی از کاربردهای پلاسمونیک مطرح می شوند. همچنین فیلترهای میان گذر و میان نگذر پلاسمونیکیِ مبتنی بر تشدیدگرهای حلقویِ مربعی با روش تفاضل محدود در حوزه ی زمان مورد بررسی و تحلیل عددی...

اتصالات نوری، به عنوان جایگزینی مناسب برای اتصالات الکتریکی در بوردها و تراشه های کامپیوتری، توسط فوتونیک سیلیکونی مجتمع مبتنی بر تکنولوژی cmos قابل تحقق هستند. موجبر شیاری عایقی، به عنوان یکی از جدیدترین ساختارهای موجبر نوری، می تواند زیرساخت قطعات پسیو و اکتیو این مدارهای مجتمع را تشکیل دهد. قطعات پسیو دارای رفتار خطی هستند. از اثرات غیرخطی در موجبرهای فوتونیک سیلیکونی نیز می توان به منظور تح...