بلورهای فوتونی که به دلیل ویژگی¬های جالب توجهشان در کنترل انتشار امواج الکترومغناطیسی، در سالهای اخیر مورد توجه زیادی قرار گرفته اند، ساختارهای متناوبی از دی¬الکتریک¬ها هستند که به صورت مصنوعی ساخته می¬شوند و در تشابه با نیم¬رساناها یک ناحیه ممنوعه فرکانسی دارند که نوار گاف فوتونی نامیده می شود. تمامی خواص جالب بلورهای فوتونی، ناشی از وجود این گاف ممنوعه فرکانسی است. بلورهای فوتونی حلقوی آثار چ...

در این مقاله تاثیر گاف ‎نوار فوتونی بر سرعت انتشار پالس انعکاسی از یک بره دی الکتریک آلاییده شده با اتم های دو ترازی یا سه‎ترازی مطالعه می‎شود. فرض می شود بره دی الکتریک میان یک محیط یکنواخت (مانند خلاء) و یک بلور فوتونی یک بعدی قرار دارد. نشان داده می شود که اگر فرکانس حامل پالس گوسی فرودی به بره در ناحیه گاف ‎نوار فوتونی قرار بگیرد انتشار پالس انعکاسی از بره آلاییده شده توسط اتم های دوترازی (...

در این مقاله به ارائۀ یک حسگرِ نانوجابه­جایی بر مبنای بلورِ فوتونی دو بعدی با ساختارِ مثلّثی متشکّل از حفره­های هوا داخل مادّۀ دی الکتریک می­پردازیم. این حسگر از دو قطعه بلورِ فوتونی تشکیل شده که یکی از آن ها ثابت و قطعۀ دیگر در راستای افقی حرکت می­کند. شدّتِ نورِ آشکار شده توسّطِ آشکارساز در این ساختار تابعی از جابه­جایی بین دو قطعه است. در این حسگر ضریب کیفیّتِ کاواک برابر45000 و حساسیّتِ حسگر 54/2 در محدودۀ...

تمرکز این مقاله روی پتانسیل مواد با ضریب شکست منفی به منظور بهتر نمودن مشخصه‌های اپتیکی و مگنتواپتیکی بلورهای فوتونی مغناطیسی یک بعدی می‌باشد. ما قابلیت مواد دوگانه-منفی در مقایسه با مواد معمولی در بلورهای فوتونی مغناطیسی را بررسی کرده‌ایم. به عنوان یک نتیجه، دریافتیم که یک پهن‌شدگی در طیف‌های اپتیکی و مگنتواپتیکی ساختارهای بلور فوتونی مغناطیسی شامل مواد دوگانه-منفی رخ می‌دهد. در واقع، نتایج نش...

موجبرها با پاشیدگی و تلفات تحدید کم، در سامانه­ های مخابرات نوری مورد استفاده قرار می­ گیرند. از فیبرهای کریستال فوتونی می­ توان به عنوان موجبر استفاده نمود. قابلیت ­های زیاد فیبرهای کریستال فوتونی باعث جایگزینی این فیبرها به جای فیبرهای معمولی شده است. در این مقاله، دو ساختار اولیه و بهبودیافته از فیبر کریستال فوتونی طراحی و مدل­ سازی شده است. طرح اول، یک فیبر کریستال فوتونی با ساختار شش­ ضلعی...

بلورهای فوتونی ساختارهای دی الکتریک متناوب هستند که بطور مصنوعی ساخته می شوند و در تشابه با نیمه هادی ها دارای یک ناحیه ی ممنوعه ی فرکانسی می باشند. انتشار امواج در این ناحیه که به گاف نواری فوتونی معروف است ممنوع می باشد. همانطور که در بلورهای معمولی، تناوب پتانسیل شبکه باعث ایجاد باندهای مجاز و ممنوع انرژی برای الکترونهای سیستم می شود، در بلورهای فوتونی نیز تناوب در مواد دی الکتریک و ضریب شکس...

در این پایان نامه، با استفاده از روش بسط موج تخت، ساختار نواری موجبر بلور فوتونی دو بعدی در دو شبکه مربعی و مستطیلی مورد بررسی قرار گرفته است. ابتدا ساختار نواری موجبر مربعی متشکل از المان هایی به اشکال و ابعاد گوناگون مورد بررسی قرار گرفته و سپس تاثیر ایجاد یک لایه درون هر المان و تغییر شکل و اندازه آن ها بررسی شده است. سپس ساختار نواری موجبرهایی با شبکه های مستطیلی قائم و افقی بررسی شده و با ...

In this paper, using plane ware expansion method the polarization-dependent band structures are investigated in two dimensional photonic crystal waveguide with a square lattice composed of GaAs elliptic elements in air background. Then, the changes of the band structure with changing ellipticity of the elliptic elements are discussed. It is observed that by increasing the ellipticity of element...

بلورهای فوتونی با شکاف نواری فوتونی، موادی هستند که دارای ساختار متناوب هستند. مطالعه ساختارهای این مواد توجه خیلی زیادی را به هر دو حوزه تئوری و تجربی به خاطر پتانسیل کاربردیشان در اپتوالکترونیک و همچنین توانایی کاربردی این مواد در ارتباطات از راه دور، شامل موجبرها، فیلترهای نوری و میکروکاواک ها جذب کرده است. با در نظر گرفتن کاربردهای بسیار وسیع قطعات اپتیکی بدست آوردن بلورهای فوتونی قابل تنظی...

در این پایان نامه ‎‎‎توزیع جدیدی از روزنه های غربال فوتونی بر پایه ی توزیع نمایی چگال ارائه شده است. توزیع چگال توزیعی است که باعث همپوشانی روزنه ها در تعدادی از حلقه های داخلی غربال فوتونی می شود. ‎‎ ‎ توزیع چگال روزنه ها از یک طرف باعث کم شدن پهنای بیشینه ی مرکزی نسبت به غربال فوتونی مرسوم و تیغه ی منطقه ای ‎‎ ‎فرنل شده ‎و‎ از طرف دیگر با افزایش تعداد حلقه های پر باعث رشد بیشینه های ثانویه ...