در این تحقیق تاثیر دمای زیر لایه در محدودهc˚450-100 برخواص ساختاری لایه های نیترید زیرکونیوم که به روش کندوپاش شعاع یونی روی زیر لایه شیشه وسیلیکون تهیه شده است، مورد بررسی قرار گرفته است. تعین ضخامت لایه ها با استفاده از آنالیز rbs (طیف پس پراکندگی رادرفورد)   و تعیین فازهای کریستالی با توجه به آنالیز xrd (پراش پرتو x) انجام شده است. نتایج xrd  نشان داد که با افزایش دما تا c˚400 بر میزان بلوری...

در نانو ترنزیستورهای دهه اخیر، si(100) به عنوان یک زیرلایه یا بستر مناسب به کار می رود. مسائلی نظیر افزایش جریان تونلی و نشتی با کاهش اندازه قطعات الکترونیکی و بویژه ترانزیستورهای اثر میدانی سبب شده است تا امکان به کارگیری بیشتر آن مورد تردید قرار گیرد. به همین دلیل در کار حاضر تلاش شده است تا با انجام یک سری از آزمایشات و رشد فیلم های فرانازک بر روی هر دو زیرلایه si(100) و si(111) به بررسی نان...

حسگرهای مغناطیسی بر مبنای اثر امپدانس مغناطیسی mi امروزه قابلیت خود را در عرصه های گوناگون فناوری نشان داده است. مناسب ترین مواد برای کار در اثر امپدانس مغناطیسی و حسگرهای امپدانس مغناطیسی، مواد مغناطیسی نرم همانند آلیاژهای آمورف و مواد مغناطیسی نانوبلورین هستند. بهینه سازی ویژگی های مغناطیسی آلیاژهای آمورف جهت دستیابی به پاسخ امپدانسی و حساسیت میدان مناسب به روش های گوناگونی امکان پذیر است؛ در...

کبالت مولیبدات یکی از نیمه رساناهایی است که بواسطه ساختار بلوری و فاصله نوارهای انرژی پائین کاربردهای متعددی نظیر کاتالیست، فوتوکاتالیست، حسگرهای گازی و غیره پیدا کرده است. در این تحقیق، کبالت مولیبدات نانوساختاری با دو روش همرسوبی شیمیایی و میسل معکوس با کنترل کمیت هایی نظیر ph، دما و ترکیب حلال تهیه شد. نتایج آزمایشات پراش اشعه x نشان داد که فاز co2mo3o8 علاوه بر فاز ??comoo4 تشکیل می گردد. ...

مواد تغییر فاز دهنده به عنوان محیطهای ذخیره انرژی گرمایی دارای کاربردهای گسترده ای در ذخیره انرژی خورشیدی، مدیریت انرژی ساختمان و دفع شوکهای گرمایی قطعات الکترونیکی هستند. به دلیل پایین بودن ضریب هدایت گرمایی این مواد تلاشهای زیادی برای افزایش ضریب هدایت گرمایی و کارآیی سیستمهای ذخیره انرژی گرمایی شده است. از طرفی، با توسعه فناوری نانو، تولید مواد نانوساختاری که دارای ضریب هدایت گرمایی بالایی ه...