مشاهده رویدادهای با گاف تندی بزرگ در hera تصور فیزیکی ناکشسان ژرف (dis) را در اذهان تغییر داد. دراین پایان نامه با معرفی مدل های رژٍ و qcd و فرض تبادل پامرون در فرایند dis پراشیده به توضیح تئوری آنها پرداخته شده است. توابع چگالی پارتون پراشیده با استفاده از عامل بندی رژٍ پارامتربندی شده اند و آنالیز داده ها توسط معادله dglap در مرتبه دوم انجام شده است.نتایج بدست آمده با نتایج آزمایشگاهی گروه h1 ...

گرافین به عنوان نازک ترین ماده دوبعدی خواص منحصر به فردی از خود نشان می دهد. استحکام مکانیکی و رسانندگی حرارتی قابل مقایسه با الماس، اثر هال کوانتومی و عدم وجود جایگزیدگی از جمله خواص منحصر به فرد آن است . حامل های بار در گرافین مانند فرمیون های بدون جرم رفتار کرده و از معادله دیراک پیروی می کنند. به همین دلیل حرکت حامل ها در گرافین صد برابر سریع تر از حرکت حامل ها در سیلیکون است. همین ویژگی با...

در این پایان نامه به محاسبه ی ضریب رسانندگی گرمایی ترکیب sr2ruo4 در حالت عادی خواهیم پرداخت که پیش زمینه ی کار اصلی ما یعنی محاسبه ی رسانندگی گرمایی ترکیب sr2ruo4 در حالت ابررسانایی می باشد. محاسبات خودمان را در هر دو حالت با استفاده از معادله ی بولتزمن و انتگرال برخوردی شروع خواهیم کرد و با تعریف پارامترها و در نظر گرفتن محدودیت ها به محاسبه می پردازیم. محاسباتی که ما انجام خواهیم داد در دو بع...

: در این تحقیق ساختار باند فوتونی در بلورهای فوتونی دو بعدی با شبکه مثلثی از میله­ های تلوریم با اشکال هندسی متفاوت در زمینه پلاسما مورد بررسی قرار می­گیرد. نتایج محاسبات عددی بر پایه روش تفاضل های متناهی در حوزه زمان نشان می­دهد که در ساختارهای ذکر شده به ازای پارامترهای ساختاری بهینه، گاف فوتونی کامل با پهنای قابل ملاحظه­ای وجود دارد. پهنای گاف فوتونی کاملِ به دست آمده در این تحقیق از تمامی مق...

نظریه تابعی چگالی (DFT) و نظریه اختلال بس ذره‌ای G0W0 به منظور بررسی تغییر خواص الکترونی پلیمر پلی‌تیوفین (PT) در مجاورت گرافین به کار گرفته شدند. نتیجه تحلیل تغییر چگالی بار نسبت به قبل از برهمکنش متقابل، نشان دهنده‌ی شکل-گیری دوقطبی الکتریکی قوی و جذب از نوع فیزیکی در سطح می‌باشد. تغییر پتانسیل الکتریکی محاسبه شده نشان‌دهنده‌ی تغییر تابع کار به مقدار از مقدار اولیه آن است. نتایج به دست آمده ا...

برای بررسی عبور امواج الکترونی در ابرشبکه گرافین گاف دار، از روش ماتریس گذار استفاده کردیم. در گرافین برخلاف سیلیکون نیم رسانا، بین باندهای هدایت و ظرفیت فاصله ای ندارد. چنین گافی(باند گپی) برای کاربردهای الکترونیکی ضروری است. زیرا به ماده اجازه می دهد که جریان الکترونها را قطع و وصل کند. راه حل برای برطرف کردن این مشکل، ایجاد گاف در طیف گرافین است. از دیدگاه فرمیون های دیراک، این معادل تولید ج...

در این مقاله تاثیر گاف ‎نوار فوتونی بر سرعت انتشار پالس انعکاسی از یک بره دی الکتریک آلاییده شده با اتم های دو ترازی یا سه‎ترازی مطالعه می‎شود. فرض می شود بره دی الکتریک میان یک محیط یکنواخت (مانند خلاء) و یک بلور فوتونی یک بعدی قرار دارد. نشان داده می شود که اگر فرکانس حامل پالس گوسی فرودی به بره در ناحیه گاف ‎نوار فوتونی قرار بگیرد انتشار پالس انعکاسی از بره آلاییده شده توسط اتم های دوترازی (...

در این پایان نامه، در مرحله ی اول یک موجبر بلور فوتونی تخت با سلول واحدی متشکل از سه لایه ی متفاوت دی الکتریک بدون اتلاف را در نظر می گیریم. با مدلسازی این موجبر با خطوط انتقال، بازتابش از یک ساختار متناوب نیمه نامحدود را با استفاده از مفهوم خطوط انتقال و روابط تبدیل امپدانس به دست می آوریم. آنگاه معادله ی مشخصه ی موجبر را بر اساس شرط تشدید عرضی در هسته ی آن محاسبه و تغییرات ثابت انتشار بهنجار ...

در این پژوهش، نانوذرات اکسید تیتانیوم آلاییده با آهن در غلظت مولی Fe/Ti از 1 تا 10% و دمای بازپخت 400 تا oC800 توسط طیف سنجی پراش اشعه x ، تصویربرداری میکروسکوپ الکترونی تراگسیلی (TEM) و طیف سنجی بازتاب پخشی (DRS) مورد مطالعه قرار گرفت. اندازه نانوذرات سنتز شده با استفاده از تصویربرداری میکروسکوپ الکترونی تراگسیلی از 6 تا nm 100 تخمین زده شد. مطالعات اپتیکی طیف سنجی بازتاب پخشی نشان داد که آلای...

ترکیب بس بلور  ndba2-xlaxcu3o7-δ  با 3 0 / 0 ،2 0 / 0 ، 15/ 0 ، 1 0 / 0 ، 0 5/ 0 ، 0 =x به روش استاندارد واکنش حالت جامد ساخته شدند. خواص ترابردی و ابررسانایی آن با اندازه گیری مقاومت ویژه الکتریکی به صورت تابعی از دما و تراکم آلایش مطالعه شده است. به منظور اندازه گیری تراکم حاملها در صفحات 2 cuo ، توان گرماالکتریسته در دمای اتاق به صورت تابعی از تراکم آلایش la اندازه گیری شده است. با افزایش تر...