اکسیدهای نیمه رسانا باساختار نانویی، به دلیل خواص منحصربه فرد فیزیکی شان در اثرات تحدید کوانتومی، توجهات زیادی را به خود جلب کرده اند. از میان نیمه رساناها دی اکسیدقلع (sno2) با گاف انرژی پهن (ev 3.6 دردمای k 300)، یک ماده کاربردی کلیدی می باشدکه به طور گسترده ای برای وسایل اپتوالکترونیک، سنسورهای گازی، الکترودهای رسانای شفاف و کاتالیست های پشتیبان به کارمی روند. در این تحقیق فیلم های نازک دی ...

برنامه تولید شبکه با سازمان چند بلوکی mbtlns برای شبیه سازی جریان پایای فرا صوتی آشفته حول اجسام مدور (به انضمام ناحیه پشت) تدوین شده است ]1[. در این مقاله، این برنامه با الحاق روش استفاده مرکب از حل معادلات لایه نازک و سهموی ناویرـ استوکس توسعه یافته است. شبکه مرزی بین بلوک ها از نوع وصله ای انطباقی است. حل عددی معادلات به روش ضمنی تفاضل محدود و مرکزی بیم - وارمینگ صورت گرفته و آشفتگی جریان با...

در ساخت لایه نازک cuinse2 نتایج آنالیزهای کمی rbs و eds حاکی از مرجح بودن پیکربندیa نسبت به پیکربندیb با توجه به رشد 2درصدی سلنیوم در فاز نهایی است، که این را می‎توان به تامین اتمسفر فشار بالای سلنیوم در این حالت در مجاورت سطح پیش‎ماده‎های فلزی نسبت داد. این در حالی است که درصد مذکور را بازهم می‎توان با استفاده از محفظه‎های نیمه بسته افزایش داد. تاثیر مستقیم افزایش دما تا c ?560، در تقویت شدت ...

در این تحقیق، لایه های نازک اکسید ایندیم قلع (ITO) به روش تبخیر با پرتو الکترونی بر روی زیرلایه های شیشه ای. با ضخامت‌های اسمی 50، 100، 170 و 250 نانومتر، با نرخ انباشت ثابت 10/0 نانومتر بر ثانیه لایه نشانی شده اند. دمای زیرلایه ها در خلال لایه نشانی در دمای 400 درجه سانتیگراد ثابت نگه داشته شد. از تکنیک های پراش پرتو ایکس (XRD) و بازتاب سنجی اشعه ایکس (XRR) برای آنالیز ساختاری لایه های نازک اس...

در این پایان نامه، روش بدون شبکه توابع پایه نمایی در فرم محلی جهت حل معادله لاپلاس حاکم بر حرکت سیال تراکم ناپذیر غیر لزج دارای سطح آزاد مورد استفاده قرار می گیرد. معادله لاپلاس مذکور با استفاده از دو نظریه متفاوت که یکی بر پایه فشار و دیگری بر پایه پتانسیل سرعت استوار است، به دست می آید. به طورکلی، معادلات بقای جرم و بقای اندازه حرکت که تحت عنوان معادلات ناویر-استوکس شناخته می شوند، بر حرکت سی...

در این مقاله به بررسی جریان سیال و انتقال حرارت جابجایی آزاد در یک محفظه دارای لایه متخلخل میانی با استفاده از روش شبکه بولتزمن پرداخته می¬شود. روش شبکه بولتزمن به کار رفته براساس معادلات تعمیم یافته ناویر-استوکس با در نظر گرفتن تمام نیروهای وارد بر سیال و نیز نیروی درگ حاصل از ماتریس جامد می باشد. نتایج این تحقیق، شامل بررسی اثرات پارامترهای بی بعد حاکم بر مسئله از جمله عدد رایلی، عدد دارسی، ض...

لایه های نازک به طور گسترده ای در اپتیک، فوتونیک و تکنولوژی لیزر مورد استفاده قرار گرفته اند و کاربردهای فراوانی در ابزارهای اپتیکی مانند پوشش های ضدبازتاب، آینه های دی الکتریک، فیلترهای تداخلی، سلول های خورشیدی، موجبرها و ... دارند. با کشف خواص اپتیک غیرخطی و مشاهده آن در بسیاری از مواد آلی وغیرآلی، این شاخه از فیزیک وارد حیطه لایه‎‎ های نازک شد. امروزه مواد اپتیکی غیرخطی نقش مهمی در تکنولوژی...

در این پایان نامه یک روش شیمیایی برای لایه نشانی لایه های نازک نانوکریستال cus با استفاده از محلول آبی مس استات تک آبه (منبع مس)، تیواستامید (منبع گوگرد) وتری سدیم سیترات (عامل کمپلکس ساز) در دمای اتاق، پیشنهاد شده است. در این تحقیق، آب به عنوان حلال و تری سدیم سیترات به عنوان عامل کمپلکس ساز هر دو از مواد شیمیایی غیر سمی و تجدیدپذیر می باشند. لایه ها به وسیله الگوی پراش اشعه ی ایکس،xrd، آنالیز...

اگر به بررسی موبیلیتی (µ) در ترانزیستورهای لایه نازک آلی در سال های اخیر بپردازیم یک روند افزایشی را در آن به سه دلیل (1-ترکیب نیمه هادی های آلی جدید 2-اتصالات سورس ودرین وشکل بندی کلی ترانزیستور بهینه شده است 3-پارامترهای لایه رسوب شده نیمه هادی آلی بهینه شده اند) مشاهده می کنیم که ما نیز جهت رسیدن به موبیلیتی قابل قبول تحت ولتاژاعمالی گیت پایین روی آنها تمرکز می کنیم. مثلاٌ pentance یکی از عمد...

الکتروانباشت یکی از روشهای ساده ولی در عین حال پرکاربرد و قوی در زمینه رشد لایه های نازک فلزی است. با استفاده از این روش لایه های نازک ni و ni-co-cu از محلول های سولفاتی- سیتراتی تهیه گردیدند. به منظور بررسی رفتار پتانسیودینامیکی الکترولیت، منحنی cv مربوط به آنها تهیه و مورد مطالعه قرار گرفت. سپس با انتخاب ولتاژهای مناسب از روی این منحنی ها، عملیات لایه گذاری انجام گرفت. لایه ها تحت شرایط مختلف...