منابع تک فونونی که بتوانند باریکه های لیزرگونه ای از فونون ها را ایجاد کنند، اهمیت بسیاری در حوزه های پژوهشی، از جمله حوزه های پژوهشی حالت جامد دارند و ضرورت دارد که فیزیک آنها با گستردگی بیشتری مورد بررسی قرار گیرد. در این پایان نامه به تشریح لیزر فونونی (فیزر) بر اساس مولکول فوتونیکی پرداخته می شود. پایان نامه حاضر در پنج فصل تنظیم شده است. در فصل اول فیزیک لیزر، شیوه کار، و خصوصیات آن به اخ...

در این پایان نامه تأثیر ارتعاشات مولکولی روی ترابرد الکترونی از یک زنجیره اتمی از طلا که بین دو الکترود فلزی ساندویچ شده به روش تابع گرین غیرتعادلی کلدیش (روشی قدرتمند برای تحلیل ترابرد ناکشسان در حضور برهمکنش الکترون- فونون) مورد تحقیق قرار گرفته است. اخیراً روش negf به طور موفقیت آمیزی برای ترابردهای ناکشسان در نانوساختارهای مختلف به کار برده شده است از جمله سیم های اتمی و اتصالات مولکولی. ب...

بلورهای فونونی ساختارهای ترکیبی هستند که مواد تشکیل¬دهنده¬ی آن¬ها به¬گونه¬ای مرتب شده است که ویژگی¬های کشسانی آن¬ها به¬طور متناوب تکرار می¬شود. رفتار فونون در چنین ساختارهایی مانند رفتار الکترون در پتانسیل تناوبی بلور و همچنین مانند رفتار فوتون¬ها در محیط¬های دی¬الکتریک تناوبی است. بنابراین، انتشار آن¬ها را می¬توان با ساختار نواری فونونی توصیف کرد، علاوه ¬بر این، در این ساختارها گاف نواری برای ...

 In this paper, we study the phonon thermal properties of a ladder nanostructure in harmonic approximation. We present a model consisting of two infinite chains with different masses. Then, we investigate the effect of different masses on the phonon spectrum. Moreover, as a specific case, in the absence of the second neighbor interaction, we calculate the phonon density of states/modes. Finally...

لنزهای آکوستیکی در صنعت و درمان مورد استفاده قرار گرفته است. در واقع استفاده از گلوله های صوتی به عنوان روشی مقرون به صرفه در درمان تومور بوده و تنها از امواج فراصوتی استفاده می کند. گلوله های صوتی می تواند تومورهای عمیق در داخل بدن را بدون در معرض قرار دادن پرتوها یا جراحی هجومی نابود کند. کاربردهای دیگر گلوله های صوتی در تصویربرداری های بیومدیکال و سیستم دفاعی و نیز آشکارسازی آسیب در اجسام است.

هدف ما در این تحقیق مطالعه رسانندگی گرمایی نیمرساناهای gan و zno بر حسب تابعی از دما است. این نیمرساناها که از گاف نواری مستقیم پهن برخوردارند، در دستگاه های الکترونیکی و اپتوالکترونیکی در شرایط توان بالا و دمای بالا بسیار مورد توجه قرار گرفته اند. عوامل گوناگونی می توانند در بزرگی رسانندگی گرمایی یک ماده موثر باشند که برخی از آنها به خواص ذاتی ماده و برخی متأثر از عوامل غیر ذاتی نظیر دررفتگی ه...