گیت XOR یکی از بلوک های سازنده پایه در یک مدار تمام جمع کننده می باشد که بهبود عملکرد آن می تواند به یک تمام جمع کننده بهبود یافته منجر شود. بدین منظور، در این مقاله، یک سلول XOR جدید ولتاژ پایین مبتنی بر ترانزیستور های اثر میدان نانو لوله کربنی (CNTFET) پیشنهاد شده است. اهداف طراحی اصلی برای این مدار جدید، اتلاف توان کم، جریان نشتی پایین و سوئینگ ولتاژ کامل در یک ولتاژ تغذیه کم (Vdd = 0.5 V) م...

ترانزیستورهای اثر میدان فلز-اکسید-نیمه هادی (mosfet (ماسفت)) با تکنولوژی سیلیسیم روی عایق (soi) به طور گسترده در مدارات مجتمع به کار می روند. بنابراین، دست یابی به ترانزیستورهای ماسفت سیلیسیم روی عایق در ابعاد بسیار کوچک نیازی مهم برای توسعه صنعت الکترونیک به حساب می آید. در این مقاله یک ترانزیستور ماسفت سیلیسیم روی عایق دو گیتی جدید در مقیاس نانو پیشنهاد می گردد که در آن یک پنجره از اکسید سیلی...

اتوماتای سلول کوانتومی (qca) ابتدا توسط جناب آقای لنت در سال 1993 پیشنهادشده و از آن هنگام تاکنون تحقیقات بسیاری بر روی آن به صورت تئوری و آزمایشگاهی انجام شده است. مهم ترین کارکرد فنّاوری qca درزمینه δ استفاده از نقاط کوانتومی می باشد. گرچه ابزارهای اولیه ای براین اساس ساخته شده اند امّا این علم هنوز در ابتدای راه خود می باشد. پیشرفت ها در این زمینه بسیار قابل توجه است. به عنوان مثال افزایش 10ب...

با رشد سریع تکنولوژی، ساخت مدارهای الکتریکی به سمت نانو پیش می رود که با کاهش ابعاد قطعات، می توان از قطعات بیشتری در مدارات بهره برد. یکی از محتمل ترین جایگزینهای ترانزیستورهای سیلیکونی، به خاطر خصوصیات الکترونی عالی و ظرفیت بالای حمل جریان، ترانزیستورهای نانو لوله کربنی است. با نانو متری شدن ابعاد قطعات با توجه به محدودیتها و بروز اثرات مکانیک کوانتم محاسبه معادلات پیچیده و زمانبر می شود و ای...

تمام مدارات الکترونیکی غیرخطی هستند، این یک واقعیت پایه در الکترونیک است. فرض خطی بودن که زیربنای اکثر تیوری های مدرن مداری امروزی را تشکیل میدهد، در واقعیت یک نوع تقریب بشمار می آید. بعضی از مدارات مانند تقویت کننده های سیگنال کوچک در اصل به صورت ضعیف غیرخطی هستند، با این حال در مدار به صورت المان های خطی درنظر گرفته می شوند. گونه ای دیگر از مدارات مانند چندبرابر کننده های فرکانسی از این قابلی...

در این پژوهش، به منظور بهبود عملکرد سلول های فوتوولتائیک حساس شده با رنگدانه، نانو لوله های-کربنی تک دیواره (swcnt) به ژل الکترولیت حاوی پلی اتیلن گلیکول (peg)، پلی وینیل-پیرولیدن(pvp) ، ید (i2) و پتاسیم یدید (ki) افزوده شد. ولتاژ مدار باز (voc) برابر v 47/0، جریان مدار بسته (jsc) برابر ma/cm2 82/3 و بازده ای برابر با 85/0% برای این dssc به دست آمد. طیف سنجی امپدانس الکتروشیمیایی (eis) برای تعی...

هایبرید 90 درجه یا هایبرید ربع موج یکی از مدارات پرکاربرد در مدارات مخابراتی است. در این گزارش سعی شده است تا یک شکل بهینه از هایبرید 90 درجه به صورت فراپهن باند در بازهی بسامدی بین 30 تا 500 مگاهرتز ارائه شود. در این راستا با به کارگیری توابعی موسوم به توابع منطقی بهینه مدار نهایی هایبرید طراحی شده است. توابع منطقی بهینه، توابعی با درجات به مراتب پایین هستند که امکان طراحی مدارات فراپهن باند ر...

در این پروژه هدف بررسی و ارائه روشی برای خودکار سازی طراحی مدارات آنالوگ می باشد. خودکار کردن فرآیند طراحی در حوزه آنالوگ هدفی قدیمی و پرسابقه است که در طی 20 سال گذشته و بعد از ورود کامپیوتر به حوزه طراحی مدارات الکترونیک تلاش های زیادی در این زمینه صورت گرفته است. برای نیل به این هدف روش های گوناگونی ارائه شده است که در این تحقیق، این روش ها مورد نقد و بررسی قرار گرفته و در نهایت روشی الگوریت...

در تکنولوژیهای جدید خطای نرم به عنوان اصلی ترین عامل کاهش قابلیت اطمینان در مدارات مجتمع شناخته می شود. در این میان نقش مدارات ترکیبی در افزایش نرخ خطای نرم مدارات مجتمع غیرقابل انکار است. نکته قابل توجه در مورد وقوع خطای نرم در مدارات ترکیبی این است که برخلاف سلولهای حافظه، خطای گذرا بطور مستقیم منجر به وقوع خطای نرم نمی شود، بعبارتی یک خطای گذرا برای تبدیل شدن به خطای نرم بایستی در مدار ترکیب...

با کوچک شدن مقیاس تکنولوژی در مدارات vlsi ، تاخیر در اتصالات میانی از تاخیر در گیت بیشتر می شود. در اتصالات سرتاسری که بلند هستند این افزایش تاخیر بیشتر از اتصالات محلی حس می شود که ایجاب می کند از روش های جدیدتری به منظور بهبود هر چه بیشتر تاخیر در آن ها استفاده شود. همچنین، با توجه به افزایش سرعت زمان صعود و طولانی شدن اتصالات میانی، اندوکتانس مهم تر از قبل جلوه می کند که در مدل های جدیدتر از...