در چندین دهه اخیر، تکثیر جهانی کامپیوترها، سیستم های الکترونیکی و تجهیزات قابل انتقال، باعث شده که طراحان و محققان تمرکز بیشتری بر طراحی سیستم های ولتاژ و توان پایین داشته باشند. یک ota ولتاژ و توان بسیار پایین در این پروژه پیشنهاد شده است. برای طراحی مدارات ولتاژ پایین، آینه جریان ها و طبقات ورودی و خروجی بررسی می شوند. روش های زیادی برای طراحی otaهای ولتاژ و توان پایین وجود دارد. یکی از این...

در این مقاله با استفاده از روش حل چندبعدی معادلات واکنش-نفوذ (r-d)، مدل هایی برای پدیده ناپایداری در دمای بالا و بایاس منفی (nbti) در یک mosfet سه گیتی کانال p و پدیده تزریق حامل های پرانرژی (hci) در یک افزاره finfet سه گیتی توده کانال n ارائه می­شود. سپس نتایج حاصل از مدل با نتایج تجربی مقایسه شده و بستگی تغییرات توان زمان در مدل با ابعاد و شکل افزاره بررسی می شود. نتایج به دست آمده در مقاله ب...

بلوک تغذیه ازجمله بخشهای مهم واسا‎سی هرتراشه مجتمع امروزی می‎باشد . درحالت کلی، ازرگولاتورهای ولتاژخطی، به منظورتغذیه بخش آنالوگ سیستم که ازحساسیت بیشتری نسبت به نویز برخورداراست، همچنین برای تولید یک ولتاژخروجی پایدار و دقیق در وسایل قابل حمل، استفاده می‎شود. در این‎گونه مدارات بدون توجه به اندازه ولتاژ ورودی، جریان خروجی، دمای محیط ونویز تزریق شده از سوی مدارهای دیگر می‎توانند ولتاژخروجی پاید...

: امروزه از یک سو، تجهیزات الکتریکی در هر کشتی برای ارتباطات، سیستم‌های موقعیت‌یابی، راندن موتورها مورد نیازند و از سوی دیگر، امکان کنترل موتورهای الکتریکی با سرعت متغیر در یک محدوده کوچک با توان بالا، قابلیت اطمینان و قیمت تمام شده، راه حل های رقابتی، استفاده از رانش الکتریکی را ضروری ساخته است. یکی از بخش های تشکیل دهنده‏ی سیستم رانش الکتریکی کانورترها هستند که به منظور دستیابی به سطوح ولتاژ ...

در این پایان نامه طراحی و شبیه سازی چهار مخلوط کننده ی ولتاژ پایین و توان پایین برای کاربردهای مختلف مطرح شده است. ابتدا یک مخلوط کننده ی به هم تابیده ی توان پایین و ولتاژ پایین برای کاربردهای باندپهن که بازه ی فرکانسی 0.5-7.5 ghz را شامل می شود طراحی شده است. این مخلوط کننده ی مبدل کاهشی کاملاً تفاضلی با استفاده از تکنولوژی cmos µm 0.18 طراحی شده است و ساختار به هم تابیده برای بهبود بهره ی مخلو...

In biaxially strained p-MOSFET with Si channel, formation of a parasitic parallel channel due to misalignment of energy bands degrades device performance by increasing off-state current. In this paper a new approach has been introduced to eliminate this parasitic channel by increasing the dopant concentration of virtual substrate up to . Using simulation the impact of this method on the parasit...

در این مقاله یک هیدروفن با استفاده از ترانزیستور گیت معلق دندانه شانه ای در فرکانس‌های پایین طراحی و شبیه‌سازی شده است. مکانیزم عملکرد این مبدل بر اساس تغییر خازن گیت-سورس در ترانزیستور ماسفت است. گیت ترانزیستور توسط دو میله به صورت معلق بالای کانال ترانزیستور قرار گرفته است. در پاسخ به موج آکوستیکی ورودی، گیت ترانزیستور دچار خمش شده و منجر به تغییر ظرفیت خازن گیت-سورس می‌شود. در نتیجه موج آکوس...

در این مقاله مدل بسته­ای برای منحنی مشخصه جریان – ولتاژ ترانزیستورهای اثر میدانی شبه ماسفت با کانال نانولوله کربنی ارائه شده است. به منظور مدل سازی این نوع افزاره­ها باید معادله یک بعدی جریان درین – سورس که از مدل­سازی عمومی بالستیک به کمک فرمول لاندور به دست می­آید به همراه معادله­ای که وابستگی بین سطح فرمی و تراکم حامل­ها را ارائه می­دهد به صورت خودسازگار[i] حل شوند. همچنین برای محاسبه تراکم ...

رفتار دوقطبی همسان و تونل زنی نوار به نوار در ترانزیستورهای ساخته شده از نانولوله های کربنی، سد راه مجتمع سازی این افزاره ها است. از این رو، بر آن شدیم تا ساختاری را طراحی و پیشنهاد کنیم که این دو مشکل را مرتفع سازد. در این پایان نامه، ساختار ماسفت جدیدی بر پایه ی نانوله های کربنی پیشنهاد و شبیه سازی می شود. نواحی سورس درین این ترانزیستور تشکیل شده از نانولوله ی چند جداره که با پیش روی به سوی ...

چکیده ندارد.