ساخت لایه های نازک اکسید روی با روش اسپری و بررسی مورفولوژی آنها و در ادامه ساخت دیودهای نوری zno/si از این ساختارها و مطالعه آشکارسازی نور uv در آنها و در پایان بررسی ویژگیهای فوتوولتائیک این ساختارها از مهمترین اهداف این تحقیق می باشد. ویژگیهای پیوندگاه نامتجانس zno/si با اندازه گیری مشخصه جریان-ولتاژ تحت شرایط تاریک و نیز نور uv انجام می شود. نتایج ، رفتار یکسوکنندگی در شرایط تاریک و افزای...

مقدمه: با توجه به اهمیت سرطان دهانه رحم در خانم‌ها و تشخیص زودرس آن و همچنین موارد بالای منفی کاذب پاپ اسمیر معمولی در غربالگری این بیماری، در سالیان اخیر مطالعات فراوانی جهت یافتن تست مناسب‌تر انجام شده است. تست‌های سیتولوژی بر پایه مایع از جمله روش لایه نازک بر پایه مایع1 بیشترین پتانسیل را در کاهش موارد منفی کاذب و بهبود کیفیت نمونه داشته‌اند. هدف از مطالعه حاضر، مقایسه اسمیرهای پاپانیکولائو...

در این تحقیق، لایه های نازک اکسید ایندیم قلع (ito) به روش تبخیر با پرتو الکترونی بر روی زیرلایه های شیشه ای. با ضخامت های اسمی 50، 100، 170 و 250 نانومتر، با نرخ انباشت ثابت 10/0 نانومتر بر ثانیه لایه نشانی شده اند. دمای زیرلایه ها در خلال لایه نشانی در دمای 400 درجه سانتیگراد ثابت نگه داشته شد. از تکنیک های پراش پرتو ایکس (xrd) و بازتاب سنجی اشعه ایکس (xrr) برای آنالیز ساختاری لایه های نازک اس...

در این مقاله پس از ساخت لایه های  نازک TiO2 و ZrO2 بر روی زیر لایه BK7 به روش تبخیر با باریکه الکترونی، طیف عبوری  UV-visible از لایه ها تهیه شده است. با استفاده از طیف عبوری، ضریب شکست لایه ها به دست آمده است. تصاویر AFM از لایه های نازک TiO2و ZrO2 تهیه شده است. اندازه‌گیری پراکندگی این لایه های نازک با روش پراکندگی تجمعی کلی یا TIS و روش AFM انجام شده است. همچنین، مقادیر زبری سطح و تخلخل و هد...

اکسید-دوتائی sio2-tio2 دارای ویژگی ها و خواص مناسبی است که باعث شده تا این ماده کاربردهای مختلفی در صنعت داشته باشد. از جمله کاربردهای این اکسید دوتائی می توان به کاربرد آن در زمینه های مختلف مانند صنایع اپتیکی، ساخت موجبرهای اپتیکی، حسگرها و سلول های خورشیدی اشاره کرد. به همین علت تحقیقات متعددی در دهه های اخیر در مورد خواص و روش های ساخت لایه نازک آن صورت گرفته است. در این پایان نامه، ابتدا...

لایه های نازک زیرکونیوم، به وسیله روش کندوپاش مغناطیسی dc بر روی زیرلایه سیلیکون انباشت شدند و سپس در دماهای ( 750-150) و زمان های متفاوت (min 180و60 ) با شار اکسیژن، بازپخت گردیدند. روش پراش پرتو - x برای مطالعه ساختار بلوری استفاده شد. نتایج، ساختاری مکعبی از فاز ارتورهمبیک اکسید زیرکونیوم برای لایه های بازپخت شده تحت 150 و ساختار مرکبی از منوکلینیک و تتراگونال برای لایه های بازپخت شده در دما...

اکسیدهای نیمه رسانا باساختار نانویی، به دلیل خواص منحصربه فرد فیزیکی شان در اثرات تحدید کوانتومی، توجهات زیادی را به خود جلب کرده اند. از میان نیمه رساناها دی اکسیدقلع (sno2) با گاف انرژی پهن (ev 3.6 دردمای k 300)، یک ماده کاربردی کلیدی می باشدکه به طور گسترده ای برای وسایل اپتوالکترونیک، سنسورهای گازی، الکترودهای رسانای شفاف و کاتالیست های پشتیبان به کارمی روند. در این تحقیق فیلم های نازک دی ...

در این تحقیق، لایه های نازک اکسید ایندیم قلع (ITO) به روش تبخیر با پرتو الکترونی بر روی زیرلایه های شیشه ای. با ضخامت‌های اسمی 50، 100، 170 و 250 نانومتر، با نرخ انباشت ثابت 10/0 نانومتر بر ثانیه لایه نشانی شده اند. دمای زیرلایه ها در خلال لایه نشانی در دمای 400 درجه سانتیگراد ثابت نگه داشته شد. از تکنیک های پراش پرتو ایکس (XRD) و بازتاب سنجی اشعه ایکس (XRR) برای آنالیز ساختاری لایه های نازک اس...

امروزه نانومیله­های اکسید روی بدلیل کاربرد­های متعدد در صنایع مختلف از جمله سلولهای خورشیدی، ابزارهای گسیل نور، کاتالیستها، سنسورهای گازی، انواع نانوحسگرها و سطوح فوق آبگریز توجهات زیادی را به خود اختصاص داده است. در این پژوهش ابتدا بر روی شیشه سودالایم توسط روش سل- ژل از طریق پوشش­دهی چرخشی با سرعت rpm­ 4000 لایه نازک zno با ضخامت­های 50، 150 و 300 نانومتر پوشش داده­شد و پس از آنیل زیر­لایه­ها...

همه لایه ها تقریباً شفاف هستند بنابراین بهینه سازی بر اساس کاهش مقاومت سطحی لایه صورت گرفت. در ساخت لایه zno آلاییده با al و in ابتدا درصد آلایش بهینه شد. برای این منظور، لایه هایی با حجم 20cc محلول استات روی آلاییده با al و in با درصدهای 0.7، 1، 1.5، 3 و 5% در دمای زیرلایه 450 درجه سانتیگراد لایه نشانی شدند. نتایج نشان دادند که لایه های آلاییده با in مقاومت سطحی کمتری نسبت به لایه آلاییده با al...