از جمله مشکلات استفاده از قطعات اپتیکی در شرایط آب و هوایی مرطوب و بارانی، تشکیل قطرات کوچک آب بر روی سطح و در نتیجه  بروز مشکلاتی از جمله تشکیل مه، کاهش نور عبوری و تاری دید می­باشد. یکی از روش­های برطرف نمودن این مشکل، استفاده از  پوشش­های فوق­آبدوست می­باشد. این نوع از پوشش­ها که بر اساس خاصیت فتوشیمیایی و مورفولوژی سطحی استوار می­باشند، موجب تشکیل فیلم نازک و یکپارچه‌ای از آب بر روی سطح می...

با پیشرفت علم دانشمندان روش‌های جدید را جایگزین روش‌های قدیمی می‌کنند. امروزه خودرو سازان جهت کاهش وزن خودرو‌ها از ورق‌هایی با ضخامت پایین استفاده می‌کنند که جهت شکل‌دهی آنها نیاز به روش‌های جدیدی می‌باشد. شکل‌دهی الکترومغناطیس یک روش شکل‌دهی می‌باشد که بوسیله آن می‌توان قطعات بسیار نازک را شکل‌دهی نمود. در شکل دهی الکترومغناطیس با تخلیه انرژی الکتریکی در سیم‌پیچ‌های آن میدان مغناطیسی به وجود م...

امروزه ابعاد قطعات و تراشه های الکترونیکی وارد حوزه نانو مقیاس شده است. ترانزیستورهای فیلم نازک با مواد آلی (otft) با گیت دی الکتریک بسیار نازک هیبریدی مواد آلی و معدنی درکار حاضر دارای خواص الکتریکی خوب از جمله ثابت دی الکتریک بالا و چگالی جریان نشتی کم در ضخامت کمتر از 40 نانومتر هستند.پژوهشگران دریافتند که گیت های دی الکتریک پلیمر، دارای ثابت دی الکتریک پایین وچگالی جریان نشتی عبوری بالاهستن...

لوله های خم کاری شده جدار نازک کاربرد بسیار وسیعی در صنایع فضایی، هواپیماسازی، خودروسازی و دیگر صنایع دارد. مساله کاهش وزن و کاهش فضای اشغال شده توسط لوله ها سبب شده است تا این قطعات با شعاع خم کوچک شکل دهی شوند. خم کاری لوله با شعاع خم کوچک نیازمند به کارگیری روش های نوین خم کاری می باشد، زیرا با کاهش شعاع خم کاری امکان ایجاد عیوب چین خوردگی در شعاع داخلی خم، نازک شدگی بیش از حد جداره بیرونی ل...

فیلم های لایه نازک با ساختار نانو از بروموآلومینیوم فتالوسیانین و سرب فتالوسیانین که به روش تفنگ پرتوی الکترونی به ترتیب روی زیرلایه شیشه ای نشانده شدند، تهیه گردید. قطعه ساندویچی  al/bralpc/pbpc/alتحت خلأ  torr  5-10 در آزمایشگاه ما تهیه شد. رفتار الکتریکی قطعات با پیوند ناهمگن در بازه ی فرکانسی  hz105-  102 و در بازه ی دمای k 403 - 303 مورد بررسی قرار گرفت. تمامی اندازه گیری ها در دماهای مختل...

در این مقاله پس از ساخت لایه های  نازک tio2 و zro2 بر روی زیر لایه bk7 به روش تبخیر با باریکه الکترونی، طیف عبوری  uv-visible از لایه ها تهیه شده است. با استفاده از طیف عبوری، ضریب شکست لایه ها به دست آمده است. تصاویر afm از لایه های نازک tio2و zro2 تهیه شده است. اندازه گیری پراکندگی این لایه های نازک با روش پراکندگی تجمعی کلی یا tis و روش afm انجام شده است. همچنین، مقادیر زبری سطح و تخلخل و هد...