چکیده ندارد.

Porous silicon (PS) samples are obtained by electrochemical anodization of Si wafers in HF+DMF solution. The hydrogen complex components are formed on the inner surface walls of porous silicon. In this work the depth profile of porous silicon is estimated by measurement of hydrogen content in the depth of the sample. Since the well-known ion beam analysis simulation programs are inappropriate f...

Reflection spectra of four porous silicon samples under etching times of 2, 6, 10, and 14 min with current density of 10 mA/cm2 were measured. Reflection spectra behaviors for all samples were the same, but their intensities were different and decreased by increasing the etching time. The similar behavior of reflection spectra could be attributed to the electrolyte solution concentration which ...

در این کار نمونه های سیلیسیوم متخلخل از سونش الکتروشیمیایی ویفر سیلیسیوم نوع p با ساختار تک بلوری با جهت (100) به قطرcm ?/0 ± ?? و مقاومت ویژه ?.cm ?/?ـ?/?، در محلول الکترولیت برمبنای اسید هیدروفلوریک تهیه شده اند. نمونه های متخلخل تحت شرایط آندی سازی مختلف از جمله زمان آندی سازی و غلظت hf بدست آمدند. خواص الکتریکی dc قطعات ساندویچی ساخته شده از سیلیکان متخلخل(ps) که با نانو لایه های کلروایند...

چکیده : نانوذرات اکسید روی با ساختار هگزاگونال، یک نیمه هادی است که به خاطر خواص الکتریکی و اپتیکی و مکانیکی ویژه اش، در سالهای اخیر مورد توجه قرار گرفته است. در این پایان نامه، ابتدا ساختار بلوری و خواص الکتریکی و کاربردهای اکسیدروی را مرور کرده، سپس به بررسی خواص لایه های نازک می پردازیم. به منظور پیدا کردن روش مناسب برای ساخت نانوذرات اکسیدروی انواع روشهای ساخت و تحقیقات انجام شده را مورد ب...

در این تحقیق،ابتدا لایه های نازک نیکل با روش تبخیر باریکه الکترونی تحت شرایط انباشت یکسان بر روی زیرلایه های سیلیکان و کوارتز لایه نشانی شده و سپس تحت فلوی اکسیژن در دماهای متفاوت C° 700-400 در کوره الکتریکی بازپخت حرارتی شدند. تاثیر دمای بازپخت بر روی ویژگی های ساختاری، مورفولوژیکی و نوری نمونه ها به ترتیب با آنالیزهای پراش اشعه ایکس (XRD)، میکروسکوپ نیروی اتمی(AFM) ، میکروسکوپ الکترونی روبشی ...

در این پایان نامه با استفاده از معادلات حاکم بر گذار بین حالت های جایگزیده موجود در گاف انرژی و حالت های گسترش یافته نوارهای رسانش و ظرفیت در نیم رسانای سیلیکان هیدروژنه آمورف، قابلیت هدایت نوری حالت پایا محاسبه شده است. حالت های جایگزیده به صورت توزیع نمایی مربوط به کشیدگی نوار رسانش و ظرفیت و نیز حالت های پیوندی معلق در نظر گرفته شده است. وابستگی قابلیت هدایت نوری به دما و شدت نور تابشی مورد ...

پس از کشف نانولوله های کربنی در سال 1991, برای اولین بار در ایران گروه ما موفق به رشد نانولوله های کربنی بر روی زیر لایه های سیلیکان لایه نشانی شده با کبالت در دمای 800?c و به روش انباشت بخار شیمیایی پلاسمایی (pecvd) شد. در این روش گازهای اتیلن(c2h4) با فلوی sccm 30 به عنوان منبع تامین کربن و نیتروژن (n2) با فلوی 15sccm به عنوان رقیق کننده استفاده شده است. در اینجا یک لایه نازک کبالت نقش کاتالی...

چکیده ندارد.

در فصل اول مختصری از ضرورت و اهمیت مطالعه سلولهای خورشیدی و اساس کار سلولها و انواع مختلف سلولها نوشته شده است . در فصل دوم ویژگیهای کلی نیمه رسانا، ذاتی یا غیرذاتی بودن نیمه رسانا، گاف نواری سیلیسیوم و تغییرات آن با دما، ساختار بلوری و نوارهای انرژی سیلیسیوم، آلایش ساختار بلوری و ناخالصی ها، ترابر حاملها و معادلات حاکم بر جریان ناشی از حاملهای باری مورد مطالعه قرار گرفته است . در فصل سوم، اندر...