ابتدا ساختار یکپارچه ای برای اینورتر گرافنی شامل ترانزیستور اثر میدان گرافنی و خط ارتباطی گرافنی ارائه می شود. دلیل ارائه ساختار یکپارچه برای اینورتر گرافنی حذف مقاومتهای اتصال اهمی، شاتکی و اثرات پارازیتی در محل اتصال خطوط ارتباطی فلزی متداول به گیت، سورس و درین ترانزیستور است. سپس با استفاده از مدل مداری ادوات گرافنی به کار رفته در ساختار پیشنهادی، مدل ماتریس انتقال مدار اینورتر گرافنی ...

در این پایان نامه، یک تکنیک جدید خطی سازی در تقویت کننده های کم نویز فرکانس بالا ارائه شده است. در فرکانس های موج میلی متری به دلیل کاهش گین ذاتی ترانزیستور ها برای تامین بهره ی مناسب تقویت کننده از ساختار های چند طبقه استفاده می شود که این امر علاوه بر افزایش توان مصرفی، میزان خطسانی بلوک طراحی شده را نیز کاهش می دهد. بیشتر تکنیک های خطی سازی فرکانس پایین در این باند، مشخصات اولیه ی تقویت کنند...

در این پایان نامه بلوک مبدل dc-dc برای تگ پسیو rfid طراحی شده است. مبدل dc-dc پیشنهادی، دارای نسبت تبدیل ولتاژ بالا و سطح تراشه کوچکی می باشد. مدار پمپ شارژ با گیت کنترل شونده نوعی مبدل dc-dc است که در هر طبقه شامل یک سوئیچ انتقال شارژ nmos می باشد. برای کنترل دینامیکی ورودی سوئیچ انتقال شارژ از دو ترانزیستور nmos و pmos استفاده می شود. در حالت پایدار ترانزیستورهای سوئیچ انتقال شارژ در ناحیه زی...

در این تحقیق ابتدا به مطالعه و برررسی نحوه تشکیل چاه کوانتوم دوبعدی در ساختارهای نامتجانس algan و gan می‏پردازیم . که در این بررسی تمامی پتانسیل‏های موجود ، اثر قطبش خود به خودی و پیزوالکتریک که بر چاه کوانتومی تاثیر می‏گذارند را در نظر خواهیم گرفت . سپس با اعمال پتانسیل خارجی تحرک الکترونی و تراکم الکترونی را محاسبه می‏کنیم . با مشخص شدن رفتار تراکم الکترونی تحت پتانسیل خارجی می‏توان جریان الک...

مطالب گفته شده در این پایان نامه بر مبنای طراحی، تحلیل و بهینه سازی تقویت کننده کم نویز cmos فراپهن باند است. در ابتدا، مفاهیم بنیادین تقویت کننده کم نویز تشریح می شود و سپس براساس مقالات مروری، تقویت کننده هایی معرفی شده اند. در مدار طراحی شده اول، یک تقویت کننده در محدوده ghz 18 با استفاده از تکنولوژیcmos 0.13 µm معرفی شده است. در تقویت کننده طراحی شده، از ساختار کاسکود یک طبقه همراه با سلف ...

در فوریه 2002 میلادی برای اولین بار توسط کمیسیون مرکزی مخابرات، باند فرکانسی3.1-10.6ghz به مخابرات uwb اختصاص داده شد. از آن پس دنیای سیستم های با پهنای باند بسیار عریض، به سرعت وارد تغییر و تحول شد. ویژگیهای جذاب این سیستم ها از جمله نرخ انتقال بسیار بالا و ظرفیت کانال بالا به دلیل پهنای باند فوق العاده زیاد، برای طراحان جالب توجه بود و از آن پس روزبروز به گسترش این استاندارد و طراحی سیستم های...

در این پایان نامه،مشخصات الکتریکی ترانزیستور اثر میدان نفوذ افقی با تکنولوژی سیلسیم روی عایق(soi-ldmos) مورد بررسی قرار گرفته است. همچنین دو ساختار جدید برای بهبود پارامترهای الکتریکی این نوع ترانزیستور نیز پیشنهاد شده است. در این ساختارها با توجه به کاربردهای این افزاره در الکترونیک قدرت و مخابرات ،بهبود همزمان مشخصه های dc وفرکانسی مد نظر قرار گرفته است. در ساختار پیشنهادی اول قطعه فلزی از ج...

در این مقاله مدل بسته­ای برای منحنی مشخصه جریان – ولتاژ ترانزیستورهای اثر میدانی شبه ماسفت با کانال نانولوله کربنی ارائه شده است. به منظور مدل سازی این نوع افزاره­ها باید معادله یک بعدی جریان درین – سورس که از مدل­سازی عمومی بالستیک به کمک فرمول لاندور به دست می­آید به همراه معادله­ای که وابستگی بین سطح فرمی و تراکم حامل­ها را ارائه می­دهد به صورت خودسازگار[i] حل شوند. همچنین برای محاسبه تراکم ...

در این مقاله روشی جدید برای بهبود اثرات کانال کوتاه بدون پیچیدگی در فرآیند ساخت افزاره‌های سیلیسیم روی عایق در مقیاس نانو ارائه شده است. فکر اساسی در این مقاله تحقق اکسید U شکل با استفاده از ماده Si3N4 در داخل اکسید مدفون و ناحیه کانال است. مسیر میدان الکتریکی جانبی از سمت درین و سورس پس از برخورد به اکسید تعبیه شده منحرف شده و مقدار کمتری از خطوط میدان الکتریکی توانایی کافی برای عبور از اکسید ...

با مشخص شدن مزایای ترانزیستورهای تونلی برای استفاده در کاربردهای توان پایین، نیاز به یک مدل تحلیلی برای توصیف مشخصه های آنها همانند جریان، شیب زیرآستانه و خازن نیز بیشتر می شود. وجود یک مدل تحلیلی علاوه بر ایجاد دید فیزیکی لازم برای درک عملکرد ترانزیستور، برای استفاده درمدل¬های مداری نیز بسیار ضروری است. ما در این پایان نامه به ارائه یک مدل تحلیلی دو بعدی برای ترانزیستورهای تونلی دوگیتی پرداختی...