در این تحقیق لایه نازکی از نانوذرات تیتانیم دی‏ اکسید با متوسط قطر ذرات nm8 بر روی شیشه تهیه و خواص بلوری و نوری آن قبل و بعد از کلسینه کردن بررسی گردید. الگوی XRD با زاویه پایین نشان داد که لایه نازک تیتانیم دی ‏اکسید قبل از کلسینه کردن دارای ساختار مزو حفره ای است و بر خلاف معمول، کلسینه کردن سبب افزایش طبیعت مزو حفره ای آن شده است. الگوی XRD با زاویه پایین لایه نازک تیتانیم دی‏ اکسید قبل و ب...

یک دیود نورگسیل از یک لایه فیلم نازک ماده آلی یا غیر آلی تشکیل شده است که بین دو الکترود قرار می گیرد. با اعمال ولتاژ به الکترودها، الکترون ها و حفره ها به لایه آلی وارد می شوند و در آنجا تشکیل اکسایتون می دهند و سرانجام نور تولید شده از دیود خارج می شود. دیودهای نورافشان به دو دسته آلی و غیر آلی تقسیم می شوند. دیودهای نورافشان آلی در دو دهه گذشته مورد توجه بسیاری از جامعه محقیقن قرار گرفته است...

اکسید روی (ZnO) به عنوان ماده نیمه ‌رسانا با شکاف نواری مستقیم و پهن، اهمیت زیادی در ساخت قطعات الکترونیکی مانند ترانزیستورهای اثر میدانی و قطعات اپتو الکترونیکی نظیر دیود های نور گسیل و همچنین آشکار سازی نوری دارد. در این پژوهش با استفاده از لایه ‌نشانی به روش سل – ژل، پوشش ‌های لایه نازک از اکسید روی آلاییده شده با درصدهای مختلف منیزیم (6%، 8%، 10%) تولید شد. ایجاد لایه نازک به روش پوشش چرخشی...

در این تحقیق، لایه های نازک اکسید ایندیوم آلاییده با قلع ( ito ) در ضخامت های مختلف به روش تبخیر با پرتو الکترونی بر روی بستره شیشه ای در دمای اتاق تهیه شده است. ضخامت لایه ها 100 ، 150 و 250 نانومتر می باشد. با استفاده از تحلیل فرکتالی، فرآیند رشد لایه (افزایش ضخامت) بر خصوصیات مورفولوژیکی سطح در حالت آمورف مورد بررسی قرار گرفت. مشاهده شد که با افزایش ضخامت، ناهمواری سطح ( rms ) w و طول همبستگ...

هدف از تحقیق حاضر بررسی تأثیر افزایش مدت زمان رسوب دهی و در نتیجه افزایش ضخامت بر خواص لایه های نازک تیتانیم ایجاد شده روی زیرلایه فولاد زنگ نزن 316l با استفاده از روش رسوب دهی فیزیکی بخار (pvd) است. به این منظور، عملیات رسوب دهی در مدت زمان های مختلف 5، 10، 15 و 20  دقیقه انجام شد تا لایه هایی با ضخامت های مختلف ایجاد شود. سپس ضخامت لایه های نازک تیتانیم با استفاده از دستگاه پروفیل سنج اندازه ...

هدف اصلی این تحقیق، بررسی خواص ساختاری و مغناطیسی لایه نازک fept نسبت به دمای بازپخت است. لایه های نازک fept به روش کندوپاش روی زیرلایه شیشه ای با نرخ                          6 و با توان w 110 رسوب داده شدند. خلأ اولیه محفظه کندوپاش برابر torr 7-10 5 و فشار گاز آرگون mtorr 3 در نظر گرفته شد. پس از تهیه نمونه ها، در محدوده 650-450 به مدت 30 دقیقه بازپخت شدند. شناسایی فازی لایه نازک با استفاده ا...

در این تحقیق لایه نازک نانو ساختار اکسید روی دارای آلایش آلومینیوم و تیتانیم (ATZO) به روش سل‌ ژل تهیه گردید. آنالیز فازی توسط تکنیک پراش پرتو ایکس (XRD)، مشاهدات ریز ساختاری و آنالیز عنصری توسط میکروسکوپ الکترونی روبشی گسیل میدانی (FE-SEM) و ابزار طیف سنج تفکیک انرژی (EDX) انجام شده و زبری سطح با استفاده از میکروسکوپ نیروی اتمی (AFM) مورد بررسی قرار گرفت. نتایج XRD نشان داد که حضور اتمسفر احیا...

ضریب شکست نور یکی از ثوابت مهم در طراحی لایه‌های نازک اپتیکی است و بسته به ضخامت،  دانسیته لایه، شبکه کریستالی و عیوب داخلی تغییر می‌کند. امواج الکترومغناطیسی تابشی بر روی سطح لایه به تناسب ضریب شکست در مقادیر مختلف، جذب، منعکس و یا عبور می‌کند و مقداری از آن نیز بدلیل معایب سطحی و داخلی لایه پراکنده می‌شود. لایه‌های نازک سیلیکا بصورت منفرد و یا در ترکیب با سایر اکسیدها در تولید خواص اپتیکی کار...

در این مطالعه لایه های نازک اکسید روی و اکسید روی آلاییده با قلع‎‎ به روش اسپری پایرولیزیز بر روی بسترهای شیشه ای‏ تهیه شده اند. خواص مختلف آماری و ریختی لایه ها مانند ممان های آماری درجه اول و دوم‏، بعد فرکتالی ‎و همچنین دینامیک رشد این سطوح با استفاده از تصاویر ‎afm‎ ‎ نمونه های تهیه شده‏، بررسی شده اند. بنابراین دنبال کردن رشد این سطوح در طول افزایش ضخامت لایه های نازک امکان پذیر گردیده و ...