برای تعیین بهره انرژی همجوشی و گداخت، همچنین برای تغییر دما با زمان در مورد ساچمه‌های فشردة DT، D3He، DD، H11B و 3He3He در فضای عاری از میدان مغناطیسی تاکنون محاسبات متعددی انجام شده است. مقایسة نتایج تجربی بهرة انرژی با نتایج شبیه‌‌سازی همجوشی در میدان لختی برای مدل های گداخت جرقه‌ایو گداخت حجمی، درستی و دقت مدل بکار برده شده را نشان می‌دهد. یکی از ش...

در این کار تحقیقاتی از محاسبات مبتنی بر نظریه چگالی و نظریه ترابرد نیمه کلاسیک بولتزمن برای محاسبه خواص ساختاری، الکترونی و ترموالکتریکی بلور  agsbse استفاده شده است. با توجه به اندازه گیری های تجربی منتشر شده، برای این بلور پنج ساختار محتمل را در نظر می گیریم و خواص ساختاری و الکترونی آنها را بررسی و مقایسه می نماییم. سپس خواص ترموالکتریکی (رسانندگی الکتریکی، سهم الکترونی رسانندگی گرمایی، عامل...

با استفاده از یک روش تابع گرین تعمیم یافته و فرمولبندی لانداور، اثر دما بر مشخصه های جریان- ولتاژ (i-v) مولکول c60 در سیستم فلز/c60/ فلز به صورت عددی بررسی می شود. علاوه بر این، تاثیر قدرت جفت شدگی الکترون- فونون بر خواص الکترونی این مولکول نیز مورد بحث قرار می گیرد. مشخصه های i-v مولکول در دو حد دمایی t=3k و t=300k تعیین می شوند. نتایج ما نشان می دهد، مولکول c60 که در دماهای پایین خاصیت نیم رس...

در این تحقیق بر اساس تکنیک تابع گرین برخی خواص ترابرد اسپینی یک ساختار حلقوی متشکل از سه نقطه کوانتمی مورد توجه قرار گرفته است. در این ساختار، یکی از نقاط کوانتومی غیر مغناطیسی در نظر گرفته می شود و برهم کنش اسپین- مدار راشبا روی این نقطه کوانتومی اعمال می شود، درحالیکه دیگر نقاط کوانتومی در این ساختار می توانند خاصیت مغناطیسی داشته باشند. همچنین با تنظیم پارامترهایی مانند انرژی آنسایت نقاط کوا...

اخیراً چسب های رسانای الکتریسیته به عنوان جایگزین بالقوه لحیم های دارای سرب، توجه و تمرکز زیاد پژوهشگران را به خود معطوف کرده اند. این چسب ها براساس مسیر رسانایی، به دو دسته کلی همسانگرد و ناهمسانگرد تقسیم م یشوند. کاربرد اصلی چسب های رسانای همسانگرد در زمینه قطعات الکترونیک است. مطالعاتی که در زمینه چسب های رسانای الکتریسیته انجام شده است، نشان می دهد که این چسب ها نسبت به فناوری سنتی اتصال...

در این مقاله در رهیافت تنگابست و به روش تابع گرین، ویژگی های ترابرد اسپینی در یک نانونوار سیلیسینی زیگزاگ که به دو الکترود نیم نامتناهی فلزی متصل شده است را در حضور میدان های الکتریکی، تبادلی و بی نظمی بررسی می نماییم. محاسبات ما نشان می دهد که در حضور میدان الکتریکی عمود بر ورقه سیلیسین و بی نظمی، گذار فاز فلز- نیم‌رسانا در سامانه رخ می دهد. همچنین با تغییر پهنایی از نوار که میدان الکتریکی به ...

نانوالکترونیک شاخه¬ای از علم و فناوری نانو است که بیشتر درباره الکترونیک وابسته به اسپین یا اسپینترونیک بحث می کند. از سال 1990 که ترانزیستور اثر میدانی اسپینی مبتنی بر برهم کنش اسپین-مدار پیشنهاد شد تاکنون کوشش زیادی برای تزریق و آشکارسازی جریان¬های اسپین قطبیده در ماده نیمه رسانا انجام گرفته است که باعث گسترش اسپینترونیک شده است. مطالعه ی خواص ترابردی بار و اسپین در حضور برهم¬کنش اسپین- مدار ...

لایه های نازک شفاف رسانا از نانولوله های کربنی چند جداره/ نانوسیم نقره با استفاده از پوشش دهی چرخشی ساخته شدند. اثر بازپخت نمونه های ساخته شده از دمای اتاق تا دمای ºc350 به مدت 30 دقیقه به منظور بهبود خواص الکتریکی و نوری لایه ها بررسی گردید. اندازه گیری ها نشان می داد که بازپخت لایه های نازک ساخته شده در بهبود خواص لایه ها مؤثرند. دمای بازپخت بهینه برای بهبود خواص مذکور، دمای ºc285 به دست آمد....

با در نظر گرفتن نظریه اسپین- فرمیون که از مکانیزم افت و خیز اسپینی برای توجیه جفت شدگی در ابررساناهای دمای بالا استفاده می کند، پذیرفتاری اسپینی یا همان عملگر قطبش را برای مسین های حفره دار و الکترون دار محاسبه نمودیم. در حالتی که گاف انرزی را ثابت در نظر بگیریم بخشی از محاسبات را به طور تحلیلی انجام داده ایم. در مورد گاف وابسته به تکانه ابتدا در دمای صفر رفتار عملگر قطبش برحسب فرکانس را نمایش ...

در این مقاله رسانندگی الکتریکی یک سیستم ناپایدار نظریة QCD در دمای پایین بررسی شده است. یک راه مطالعه چنین سیستم‌هایی، اعمال یک میدان الکتریکی وابسته به زمان و بررسی رفتار زمانی خارج از تعادل سیستم است. اعمال میدان الکتریکی باعث تولید زوج‌های کوارک و آنتی کوارک از فاز محبوس QCD و ایجاد یک جریان الکتریکی می‌شود. با استفاده از رابطة بین شدت میدان الکتریکی اعمال شده و جریان الکتریکی حاصل از آن می‌...