در این مقاله مبتنی بر روش تابع گرین در رهیافت تنگابست، ترابرد الکترونی یک نانو نوار گرافنی شامل یک نقص پیوندی و همچنین یک نانو سیم پلی استیلنی شامل یک پیوند اضافی، مورد بررسی قرار گرفته است. نتایج نشان می دهد که رسانش الکترونی نسبت به تغییر مکان نقص پیوندی در موارد تشدیدی و غیر تشدیدی، رفتاری متفاوتی از خود نشان می دهد. تنها در مواردی که پیوندهای دوگانه داریم، با تغییر مکان پیوند مقدار رسانش در...

در این مقاله رسانش الکترونی مولکول خطی سه اتمی که بین دو هادی نیمه نامتناهی ساده قرار دارد، با استفاده از روش استاندارد تابع گرین در رهیافت تنگ بست، به دست می آید. با در نظر گرفتن اثر برهمکنش الکترون ـ فونون و تغییرات دما در رژیم بی دررو، رسانش الکترونی سامانه ی مرکزی بررسی می شود. نتایج نشان می دهد که با افزایش قدرت برهمکنش الکترون ـ فونون میزان پراکندگی الکترونی در اثر برخورد با اتم های مرتعش...

در این تحقیق با استفاده از روش تابع گرین در رهیافت تنگابست به مطالعه‏ی ترابرد الکترونی یک سامانه ی چند مولکولی فتالوسیانین مس متصل دو هادی فلزی پرداخته شده است. نتایج نشان می دهد که در گاف های این سامانه چگالی حالت های الکترونی مستقل از تعداد مولکول ها یا طول سامانه رفتار می‏کند. همچنین افزایش طول سامانه علاوه بر کاهش رسانش تونل زنی، باعث ظهور دره ها و قله هایی در گاف های طیف رسانش می شود و بست...

در این مقاله با استفاده از روش تابع گرین در رهیافت تنگابست با فرض برهمکنش نزدیک ترین همسایه به بررسی رسانش و چگالی حالت های الکترونی یک نانو بلور نامتناهی با ساختار مکعبی ساده شامل یک بار یا دوقطبی الکتریکی واقع در سطح مقطع آن می پردازیم. نتایج نشان می دهد که با انتقال بار الکتریکی از مرکز به سمت سطح نانو بلور، ضریب عبور سامانه افزایش می یابد درحالی که انتقال دوقطبی از مرکز به سمت سطح نانو بلور...

با استفاده از محاسبات کوانتومی مبتنی بر نظریه تابعی چگالی و روش شبه پتانسیل، خواص الکترونی انبوهه آهن و کبالت و همچنین آلیاژ آهن و کبالت محاسبه شد و سپس با اعمال نظریه توابع وانیر و فاز بری، رسانایی ذاتی غیر عادی هال در این ساختارها استخراج گردید. مشاهده شد که شکافتگی­های نواری ناشی از برهم کنش اسپین­مدار در تراز فرمی، سهم اصلی را در انحنای بری داراست. نتایج به دست آمده توافق قابل قبولی با اندا...

این مقاله در حالت عمومی ، روش های رسیدن به حل تحلیلی و دقیق معادلات دیفرانسیل رسانش با مشتقات جزئی حالت پایا و نتیجتا حصول دقیق تابع توزیع دما ، در هندسه های نامنظم که دارای مرز یا مرزهایی غیر موازی با محور های مختصات در دستگاه دکارتی اند (با انواع مختلف شرایط مرزی) را معرفی می کند. برای رسیدن به این هدف و وضوح بیشتر در بحث ، در یک حالت خاص ، صفحه ای با شکل مثلث قائم الزاویه دارای راس قائمه ی و...

مقدمه: نانو لیپوزوم ها، کپسول های نانومتری کروی با غشاء لیپیدی می باشند که به عنوان حامل های دارویی برای بهبود رسانش عوامل درمانی مورد مطالعه قرار می گیرند. این تحقیق به منظور ارتقای اثرگذاری داروی گیاهی سیلیبینین از طریق بارگذاری این دارو در نانولیپوزوم برای رسانش به سلول های سرطانی کبد می باشد. سیلیبینین نیز یکی از داروی های ضدسرطان است که خاصیت ضدتوموری آن در کاهش ماده n-nitrosodiethylamine ...

فتالوسیانین‏ مس یکی از ترکیبات مهم خانواده‏ی فتالوسیانین‏های فلزی است که کاربرد فراوانی درصنعت‏های نساجی و نقاشی به عنوان رنگدانه و همچنین الکترونیک و اپتوالکترونیک به عنوان لایه‏ی بافر در دیود‏های آلی نورگسیل، ترانزیستورهای اثر میدانی آلی،حسگرهای نوری، شیمیایی و غیره دارد. با وجود انجام مطالعات تجربی و نظری روی فتالوسیانین مس، هنوز هم بسیاری از رفتارها و خواص این ماده قابل مطالعه و تحقیق است. ...

انباشت لایه های نازک اکسید روی غیر آلائیده و همچنین آلایش یافته با عناصر قلع، نیتروژن و استفاده همزمان نیتروژن و عناصر گروه iii با استفاده از روش اسپری پایرولیزز مد نظر می باشد. هدف، بهبود خواص فیزیکی لایه های اکسید روی با استفاده از عناصر آلاینده است و از این رو توجه خاصی به تغییر نوع رسانش از n به p در اثر آلایش ساختار صورت گرفته. دسترسی به لایه هایی با خواص ایده آل از نوع n و p امکان معرفی ن...

هدف اصلی این تحقیق، تاثیر میدان مغناطیسی روی رسانش الکتریکی نانوساختار در مدل بستگی قوی است. بدین منظور ابتدا فرض کردیم که ذره های باردار و میدان مغناطیسی مستقیماً با یک دیگر برهم کنش ندارند، نتایج نشان می دهد که اثر آهارانف- بوهم روی رسانش الکتریکی حلقه تاثیر می گذارد و رسانش الکتریکی را کمتر می کند. اگر میدان مغناطیسی به اندازه کافی قوی باشد رسانش الکتریکی به طور کامل صفر می شود. در ادامه تا...