بر اساس مشخصه های i-v و بررسی های ریزساختار های سطح نمونه ها معلوم شد که نمونه لایه نشانی شده با دمای زیرلایه حدود 180 درجه سانتیگراد دارای کمترین مقاومت ویژه تماس و زبری سطح است. نمونه های با دمای زیرلایه کمتر از 130 درجه سانتیگراد دارای ریخت شناسی ضعیف و سطح غیریکنواختی بودند. همچنین برای نمونه های با دمای لایه نشانی بیشتر از 230 درجه سانتیگراد مقاومت ویژه تماس، سطوحی با ساختار سوزنی و زبری س...

این تحقیق بمنظور تولید لایه های نازک از ذرات دی اکسید تیتانیم در اندازه نانو و بررسی نمونه های tio2 همراه با مخلوط نانوتیوبهای کربنی چند دیواره و مقایسه با لایه های بدون نانوتیوب و همچنین بررسی عوامل موثر بر ساختار کریستالی، مورفولوژی و دیگر خواص این نمونه ها انجام شد. جهت سنتز تیتانیا از روش سل-ژل و برای تهیه لایه های نازک از لایه نشانی چرخشی استفاده کردیم. از تترا ایزو پروپیل اورتو تیتانات ب...

لایه?های نازک اکسیدآهن با ضخامت 300 نانومتر به روش لایه ?نشانی الکتروشیمیایی بر روی شیشه رسانا FTO �نشانده و در دمای 300 درجه سانتی?گراد پخت شده?اند. به منظور تعیین ساختار، مورفولوژی سطح ، بررسی خواص الکتروکرومیک و اپتیکی لایهنازک اکسید آهن به ترتیب از آنالیزهای XRD،SEM ، ولتامتری چرخه?ای (CV)، کرونوآمپرومتری (CA) و �UV/Visاستفاده گردید. نتایج نشان می?دهند که لایه نازک اکسید آهن با فاز کریستالی...

در این تحقیق، انتخاب روش مناسب برای لایه نشانی تیتانیوم روی زیرلایه مسی جهت ساخت هدف‬های هسته ای برای تولید نوترون در شتابدهنده های ذرات، مورد بررسی قرار گرفته است. برای ساخت چنین هدف هایی لازم است پوشش مناسبی از تیتانیوم روی زیرلایه مسی به روش لایه نشانی ایجاد گردد. از بین روش های مختلف لایه نشانی، دو روش لایه نشانی یونی و کندوپاش به دلیل بالا بودن بهره پوشش دهی و پایداری پوشش لایه های تیتانیو...

اکسید تیتانیم به دلیل اثر فتوکاتالیستی به شکل پوشش ها و لایه های نازک در تولید سطوح خود تمیز شونده اهمیت بالایی دارد. شفافیت بالای لایه های نازک اکسید تیتانیم در طیف نور مرئی باعث شده این ماده برای ایجاد لایه خود تمیز شونده روی شیشه مناسب باشد. هدف از این پژوهش بررسی خواص و یافتن شرایط بهینه برای ایجاد لایه نازک اکسید تیتانیم به روش لایه نشانی اتمی ald می باشد. در ابتدا سامانه لایه نشانی اتمی...

سولفید کادمیوم (cds)از نیمه هادی های ترکیبی گروه های ii-vi با گاف انرژی پهن و مستقیم ev42/2 به دلیل نقش مهمی که در قطعات اپتوالکترونیک و پیل های فوتوولتایی دارد توجه ویژه ای را به خود جلب کرده است. در این پایان نامه، لایه های نازک نانوکریستال سولفید کادمیوم با استفاده از محلول های سولفات کادمیوم، تیواوره و آمونیاک به روش لایه نشانی حمام شیمیایی (cbd)بر روی زیرلایه های شیشه ای تهیه شده اند. تأث...

در این مقاله، ساختار Ni/Cu به عنوان اتصال اهمی بر روی زیرلایه مولتی کریستال سیلیکون به روش الکتروشیمیایی (آبکاری الکتریکی) لایه �نشانی و مقاومت الکتریکی آن بهینه شده است. به منظور ایجاد ساختار مورد نظر، نیکل به دو روش آبکاری غیرالکتریکی و الکتریکی بر روی زیرلایه�های n+-Si� لایه نشانی شده و پس از گرمادهی (جهت بهبود خواص کریستالی)، لایه�ای از مس به روش آبکاری الکتریکی به منظور کاهش مقاومت سطحی و ...

در این مطالعه، نیترید کربن گرافیتی (g-C3N4) از چگالش گرمایی ملامین در دو دمای 450 و 550 درجه سانتیگراد ساخته شد. همچنین، الکترود نانوساختارهای متخلخل دی اکسید تیتانیوم (TiO2 NP) به عنوان بستر برای لایه نشانی g-C3N4 با روش آندیزاسیون بر روی فویل تیتانیوم (Ti) ساخته شد و سپس برای بهبود رسانندگی الکتریکی به روش الکتروشیمیایی احیا گردید. لایه ن...

با افزودن عناصر واسطه به اکسید اسپینل منگنز-کبالت (MCO) می‌توان هدایت الکتریکی دمای بالا و چسبندگی پوشش‌های محافظ بر روی اتصال‌دهنده‌های پیل سوختی اکسید جامد را بهبود بخشید. در این پژوهش، نانوپودرهای اسپینل با ترکیبCux(Mn, Co)3-xO4 (x= 0، 2/0 و 4/0) به روش سل-ژل بر پایه‌ی شیوه‌ی پچینی سنتز شد. آلیاژ فولاد زنگ‌نزن 430 به عنوان اتصال دهنده با استفاده از روش لایه نشانی الکتروفورتیک (EPD) توسط ترکی...

در این تحقیق، لایه های نازک اکسید ایندیم قلع (ito) به روش تبخیر با پرتو الکترونی واکنش پذیر بر روی زیرلایه های شیشه ای لایه نشانی شده اند. لایه های نمونه با ضخامت های اسمی 50، 100، 170 و 250 نانومتر با نرخ انباشت ثابت nm/s 10/0 تهیه شدند. دمای زیرلایه ها در خلال لایه نشانی در دمای 400 درجه سانتیگراد ثابت نگه داشته شد. از تکنیک بازتاب سنجی اشعه ایکس (xrr) با زاویه نور خراشان، برای مشخصه یابی ...