در این پایان نامه ابتدا به بررسی مشخصات دینامیکی و اشباع تقویت کننده ی نوری نیمه هادی می پردازیم و روش تئوری کنترل را برای کنترل و بهینه سازی یک سیستم، در فصل اول تشریح می کنیم. در فصل دوم، برای نخستین بار ساختاری ارائه می شود که مشخصات دینامیکی و اشباع تقویت کننده ی نوری نیمه هادی را تا حد زیادی بهبود می بخشد. بطوریکه با استفاده از این ساختار در bulk-soa زمان بازیابی گینی در حد زمان بازیابی گی...

امروزه در اغلب سیستم های مخابرات نوری از لیزرهای نیمههادی به عنوان منبع نور استفاده می شود که در انواع فضای آزاد آن، به علت بالا بودن تلفات کانال انتقال، استفاده بهینه از این نوع لیزرهای با توان بالا، امری اجتناب ناپذیر می باشد. افزایش نرخ خطا تنها مربوط به تلفات کانال انتقال نبوده و تنزل مشخصات عملکردی منبع نوری در گذشت زمان و در شرائط محیطی مختلف، عامل مهم دیگر افزایش خطا در این گونه ارتباطات...

در این مقاله ساختار الکترونی -کریستالی ترکیب های نیمه هادی گالیم نیترید، آلومینیوم نیترید و آلومینیوم گالیم نیترید که قطبش پذیری خودبه خودی در راستای محور 0001 دارند و از خصلت پیزوالکتریکی خوبی برخوردار هستند، مورد مطالعه قرار گرفتند. بررسی پارامترهای ساختاری، گاف نواری، عامل قطبش پذیری و شدت آن برای نیمه هادی های دوگانه آلومینیوم نیترید، گالیم نیترید و تأثیر متقابل آنها در جایگزینی گالیم با آل...

در این پایان نامه، ویژگی تقویت کننده نوری نیمه هادی که سبب می شود به عنوان یک آشکارساز استفاده شود بررسی شده است. نشان داده شده که یک آشکارساز علاوه بر آشکارسازی، سیگنال نوری را تقویت کننده نیز می کند. پس از آن مدل سازی دقیقی از رفتار آشکارسازی تقویت کننده نوری برای پالس های در حوزه پیکو ثانیه و فمتو ثانیه انجام شده است. بدین منظور از معادله شرودیگر بهبود یافته که بیان کننده نحوه تغیرات پالس در...

با استفاده از عناصر نیمه هادی تقویت کننده های عملیاتی یکپارچه و لامپهای سه قطبی به عنوان منبع تغذیه ساخته شده است که مقدارآن از صفر تا 5000 ولت متغییر بوده و دقت آن "دو در ده بتوان منفی چهار " است .

فرایند حافظه کوتاه مدت با در برداشتن شکست ساختاری در میانگین، ممکن است به علت کاهش هیپربولیکی تابع خودهمبستگی یا دیگر خصوصیات، فرایند انباشته کسری را به تصویر کشد. در پژوهش حاضر به بررسی وجود احتمالی این امر با آزمون های نیمه پارامتریک و پارامتریک حافظه بلندمدت و تشخیص و تعیین نقاط زمانی شکست توسط آزمون های OLS مبنی بر SupF ،CUSUM و بای و پرون (1998 ،2003) پرداخته شده است. نتایج مشاهده شده حاکی...

استفاده از کدهای تصحیح خطا از جمله کد همینگ برای مقابله با خطاهای نرم در حافظه ها بسیار مرسوم است. از جمله می توان به مقاوم سازی حافظه ها با این گونه کدها در کاربردهای هوا فضایی اشاره کرد. در سال های اخیر با پیشرفت تکنولوژی قطعات نیمه¬هادی و افزایش چگالی حافظه¬ها، یک ذره پر انرژی از تشعشعات فضایی می¬تواند چند بیت حافظه را به صورت هم زمان دچار واژگونی کند. این بیت های تغییر یافته به هم نزدیک و د...

چکیده نیترید آلومینیوم ضمن اینکه ازمقاومت به شوک حرارتی عالی برخوردار است، از نظر خواصی چون ثابت دی الکتریک (6/8) و استحکام دی الکتریک (kV/mm25-20) مشابه دیگر مواد سرامیکی است که در صنعت الکترونیک مورد استفاده قرار گرفته اند. نیترید آلومینیوم نانوساختار  در بین نیمه هادی های سرامیکی بالاترین گاف انرژی(eV 2/6) را دارد. نیترید آلومینیم به دلیل برخورداری از ویژگی های ذکر شده ، قابلیت فراوانی برای ...

با گسترش نقش مبدل ها در صنعت و با توجه به تاثیر منفی آنها روی کیفیت توان ، بیشتر طراحان سعی در ارائه راه حلی جهت کاهش اعوجاج هارمونیکی کل (thd) ناشی از این مبدل ها دارند .یکی از این مبدل ها که نقش مهمی در اعوجاج هارمونیکی شبکه دارد یکسوکننده ها هستند. در بیشتر کاربردهایی که نیاز به ولتاژ dc است معمولاً از یکسوکننده پل استفاده می شود . یکسوکننده های پل دیودی ساده، ارزان، بدون نیاز به کنترل و مقاو...

رابطه ساده بین الکترونگاتیویتی اپتیکی، گاف انرژی، ضریب شکست و قطبش الکترونی برای نیمه هادی chalcopyrite سه گانه ارایه شده است. گاف انرژی از الکترونگاتیویتی اپتیکی برآورد شده و مقادیر ضریب شکست و قطبش الکترونی از گاف انرژی با در نظر گرفتن یک رابطه خطی بین آنها برآورد شده است. مقادیر محاسبه شده در توافق قابل قبولی با نتایج تجربی وپژوهش های پیشین است. بررسی حاضر نشان دهنده اهمیت رابطه بین این پارا...