در این رساله، با استفاده از تقریب بستگی قوی تک نواری و رهیافت تابع گرین، اثر ناهمواری بر مقاومت مغناطیسی تونل زنی (tmr) در پیوندگاه های fe/mgo/fe محاسبه شد. پدیده ی tmr در اثر تونل زنی اسپین الکترون در پیوندگاه های مغناطیسی تونل زنی مشاهده می شود. این پیوندگاه ها از لایه های فرومغناطیسی که توسط لایه ی نازک عایق از هم جدا شده اند، تشکیل شده است. به دلیل مشاهده ی مقادیر زیاد tmr برای سد بلوری mgo...

تونل زنی در شرایط زمین شناسی و ژئوتکنیکی پیچیده مخصوصاً در نواحی شهری اغلب اجتناب ناپذیر است. آنالیز پایداری و تعیین میزان نشست سطحی زمین در پروژ ۀ واقعی تونل زنی سپری اهمیت خاصی دارند. هدف از این تحقیق تعیین فشاری است که از ریزش جبهۀ تونل یک تونل سطحی حفر شده به وسیله tbm متعادل کننندۀ فشار زمین (epb) جلوگیری می کند. در این پژوهش به منظور بررسی تأثیر فشار جبهۀ کار بر رفتار تونل، از روش های تحلی...

فرآیند رشد و تولید سطوح و فصول مشترک با شکل و خواص متفاوت، به دلیل کاربرد در ساخت قطعات الکترونیکی از موضوعات مورد توجه در کارهای نظری و تجربی به شمار می¬رود. به همین دلیل در رساله¬ی حاضر به دو مبحث پراخته می¬شود که ارتباطی بسیار نزدیک دارند. مبحث اول به رشد سطوح با استفاده از توابع همبستگی خاص و روش¬های نشست استاندارد اختصاص دارد. تمامی سطوح تولید شده در این روش¬ها ناهموار بوده و ریخت شناسی آن...

پایان نامه حاضر به مطالعه و بررسی مقاومت مغناطیسی تونل زنی در نانو ساختار نامتجانس gaas/ gamnas مبتنی بر نیمرسانای مغناطیسی رقیق در حضور میدان مغناطیسی خارجی و همچنین بایاس اعمالی خارجی به صورت تئوری می پردازد .محاسبات در مدل الکترون تقریبا آزاد (جرم موثر) ودر چهارچوب تئوری ماتریس انتقال در رژیم همدوسی صورت گرفته است

این پایان نامه به مطالعه عددی انتقال همدوس در نانو ساختارها می پردازد.اگر انتقال الکترون درقطعات مقیاس نانو کمتر از مسیر آزاد میانگین در برخورد غیر کشسان بشود ؛ طبیعت کوآنتومی الکترون ها ظاهر می شود.اگر مقیاس ابعاد کمتر از 100 نانومتر بشود , اثرات کوآنتومی ظاهر شده و بر عملکرد قطعه تاثیر می گذارد.انتقال بالستیک انتقال الکترون ها با مقاومت الکتریکی ناجیز در پراکندگی است. بنابراین در شبیه سازی دس...

ویژگی¬های الکتریکی و نوری خاص گرافین، ازجمله تحرک پذیری بالای حاملین در دمای اتاق، عدم وجود گاف باندی، قابلیت انعطاف پذیری بالا و وجود ترابرد بالستیک حاملین در دمای اتاق، آن را به یک ماده ایده¬آل برای استفاده در حوزه نانو الکترونیک تبدیل کرده است.تحرکپذیری بسیار بالای حامل¬ها در دمای اتاق و ترابرد بالیستیک، گرافین را جایگزین بالقوه ی سیلیکون به عنوان نیمرسانا در مدارهای مجتمع، مدارهای منطقی و ا...

ساختارهای سد دوگانه - چاه کوانتومی به واسطه ویژگی ها و کاربردهای بسیاری که در زمینه های مختلف علم و تکنولوژی دارند، اخیراً توجه زیادی به خود جلب کرده اند. دیودهای تونل زنی تشدیدی یکی از وسایلی هستند که از این ساختارها استفاده می کنند. با توسعه چنین وسایلی مطالعه تئوری و بررسی خصوصیات و ویژگی های این ساختارها امری ضروری به نظر می رسد. همچنین با توجه به محدودیت امکانات آزمایشگاهی و البته محدودیت ا...

نانوتیوپهای کربنی سیستمهای با خواص الکتروـ مکانیکی جالبی هستند که بعلت داشتن مدول یانگ بالا می توانند بعنوان مواد عملگر و حسگر استرین جایگزین مواد پیزوالکتریک شوند. بر اثر تونل زنی یک الکترون به داخل نانوتیوپ و پتانسیل الکتروستاتیکی ناشی از اندرکنش آن با بارهای قطبیده نیرویی کششی موازی با محور نانوتیوپ ایجاد می شود. همچنین براثر نیروی الکتروستاتیک عمود بر نانوتیوپ، کمی خمیدگی در آن ایجاد می شود...

گرافین بدون عیب دارای خصوصیات مکانیکی فوق‌العاده‌ای است، ولی گرافین دارای عیوب ساختاری ازجمله عیب استون-والز است که باعث تغییر خواص فیزیکی آن می‌گردد. از طرفی، گرافین به‌طورکلی در اثر شرایط ترمودینامیکی به‌ صورت کاملاً صاف نیست و دارای موج‌هایی است و وجود ناهمواری در سطح گرافین باعث تغییر رفتار گرافین می شود. در این مقاله خصوصیات مکانیکی گرافین موج‌دار دارای عیب استون-والز تحت کشش تک ‌محوره مورد...