نتایج جستجو برای: تقویت کننده کم توان

تعداد نتایج: 207955  

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه فردوسی مشهد - دانشکده مهندسی 1390

رشد روز افزون فناوری بی سیم همراه و در خواست ها برای سیستم هایی با عمر باطری بیشتر توجهات را به سوی طراحی هایی با مصرف توان کمتر جلب کرده است. در این بین تقویت کننده های قدرت بدلیل مصرف توان زیاد نیاز به طراحی دقیقی دارند. تلاش های زیادی برای افزایش بازدهی تقویت کننده های قدرت چه در سطح مداری و چه در سطح سیستمی صورت گرفته است. در سطح مداری، یکی از پرکاربردترین روش ها استفاده تقویت کننده های قدر...

ژورنال: :مهندسی برق و الکترونیک ایران 0
حمید رحیم پور h. rahimpour حسین میار نعیمی h. miar-naimi

در این مقاله ابتدا اثر ناهمسانیهای بین دو مسیر در تقویت کننده های توان linc بررسی می شود و سپس این عدم تطابق­ها در ساختار ارائه شده به صورت وفقی برطرف می شوند. دراین ساختار از الگوریتم گرادیان مزدوج استفاده شده تا مقدار بهینه ضرایب مختلط برای کالیبره کردن دو مسیر بدست آید. این ضرایب مختلط به صورت اتوماتیک به گونه­ای تغییر می کنند تا خطای اندازه و فاز بین دو مسیر را برطرف سازند. در این ساختار تق...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه صنعتی شیراز - دانشکده مهندسی برق و الکترونیک 1390

در سال های اخیر تکنولوژی های مخابراتی پیشرفت بسیار زیادی داشته است، رشد فوق العاده صنعت بی سیم، دسترسی جهانی به اینترنت و افزایش تقاضای انتقال اطلاعات با سرعت بالا، برداشتن گام های بزرگ در زمینه تکنولوژی های مخابراتی را ضرورتی اجتناب ناپذیر می نماید. یک گیرنده مخابراتی به عنوان یکی از ارکان سیستم های مخابراتی سیگنالی در حدود نانو ولت را دریافت می کند، بنابراین تقویت کننده کم نویز به عنوان دومین...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه رازی - دانشکده فنی و مهندسی 1388

در این پایان نامه کاربرد شبکه های عصبی پرسپترون چند لایه و تابع بنیادی شعاعی برای مدل کردن ترانزیستورهای توان بالا و فرکانس بالای ldmos ارائه شده است. اخیرا علاقه به ترانزیستور ldmos به خاطر کاربردهایش در تقویت کننده های توان rf در سیستم های ارتباطی بی سیم افزایش یافته است. اما غیر خطی بودن قطعه مسئله مهمی در این تقویت کننده هاست چون به هنگام اعمال سیگنال های با فرکانس نزدیک به هم در ورودی منجر...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه رازی - دانشکده فنی و مهندسی 1393

در سیستم های مخابراتی همواره نیاز به تقویت کننده های توان خطی با بازده بالا داریم. برای داشتن بازده بالا می توان از تقویت کننده های مد سوییچینگ کلاس e، f وf-1 استفاده کرد. با توجه به اینکه این نوع تقویت کننده در ناحیه اشباع عمل می کنند بنابراین دارای خاصیت خطی نمی باشند و نمی توانند جایگزین تقویت کننده های خطی در فرستنده های wcdma شوند. برای حل این مشکل می توان از تکنیک هایی مانند doherty، linc...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه شهید باهنر کرمان - دانشکده مهندسی 1392

سیستم های بی سیم با سرعت شگفت آوری مسیرتوسعه خود را به سمت دستگاه هایی با پهنای باند بالاتر، مصرف توان کمتر و از لحاظ ساخت مقرون به صرفه تر می پیمایند.سیستم های ارتباط بی سیم فراپهن باند یکی از موارد پژوهشی مهم در حوزه های علمی و صنعتی هستند. با استفاده از سیستم های مذکور می توان در ارتباطات بی سیم به پهنای باند و سرعتی حتی فراتر از ارتباطات سیمی و کابلی دست یافت. ساختار و طراحی مدار سیستم های ...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تبریز 1390

مدارهای مجتمع فرکانس بالا برای همه وسایل الکترونیکی قابل حمل که در ارتباطات بی سیم استفاده می شوند، لازم هستند. مدارات فرکانس بالای اولیه با استفاده از تکنولوژی های sige یا gaas ، به دلیل خواص فرکانس بالای فوق العاده آنها،پیاده سازی می شدند.اخیرا، سایز ترانزیستور mos در تکنولوژی cmos به طور مداوم در حال کم شدن بوده است تا خواص فرکانس بالای آن را بهبود دهد؛ که باعث شده پروسه های cmos برای استفاد...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تربیت مدرس 1390

در این پایان نامه یک تقویت کننده کم نویز در باند فرکانسی 22–29 ghz برای کاربردهای رادار خودرو ارائه می گردد. برای رسیدن به بهره توان کافی به همراه پایداری و ایزولاسیون معکوس مناسب، از دو طبقه ساختار آبشاری استفاده شده است. برای ایجاد تطبیق امپدانس پهن باند، از یک فیلتر نردبانی میان گذر در ورودی و دو شبکه تطبیق l در خروجی استفاده می شود. تطبیق امپدانس بین دو طبقه با استفاده از ترکیب شبکه های pea...

پایان نامه :دانشگاه آزاد اسلامی واحد کرمانشاه - دانشکده مهندسی برق و الکترونیک 1393

در این پروژه یک تقویت کننده کم نویز با ساختار بدون سلف در تکنولوژی 130 نانو ( 0.13 µm ) با پهنای باند 3.5 گیگا هرتز با ولتاژ تغذیه 1.8 ولت طراحی و شبیه سازی شده است که بهره توان آن 27 دسی بل ، تلفات ورودی کمتر از 12- دسی بل ، عدد نویز بسیار مطلوب 2.8 دسی بل ، خطینگیdbm 6.1 و ضریب پایداری بسیار خوب بیش از 110 میباشد.

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه شهید باهنر کرمان - دانشکده فنی 1392

در این پایان نامه تکنیک های کاهش و حذف نویز طبقه تطبیق ورودی در تقویت کننده کم نویز پهن باند، ارائه شده است. پس از بررسی روش های موجود، برای کاهش و حذف نویز طبقه تطبیق ورودی در تقویت کننده پهن باند، سه تقویت کننده کم نویز پهن باند معرفی شده است. در مدار پیشنهادی اول برای کاهش رابطه معکوس بین توان مصرفی و شرط حذف نویز، یک توپولوژی جدید معرفی شده است که منجر به بهبود توان مصرفی و عدد نویز مدار م...

نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال

با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید