در این مقاله ساختار جدیدی از مبدل‌های DC به DC بدون ترانسفورمرِ متقارن به‌منظور افزایش بهره ولتاژ آن ارائه شده است. می‌توان با توسعه ماژولار سیستم پیشنهادی، حداکثر بهره ولتاژ مبدل و همچنین تنش کلیدهای قدرت را به‌دلخواه تنظیم نمود. ساختار ارائه‌شده مبتنی بر مدارات خازن/سلف کلیدزنی‌شونده بوده و به‌گونه‌ای طرح شده است که همه کلیدهای مبدل توسط یک مدار مدولاسیون پهنای باند (PWM) کنترل می‌شوند. جریان ...

در این مقاله، مبدل بهینه‌سازی ضریب توان یک‌طبقه با کلید‌زنی نرم برای راه‌اندازی دو رشته‌ از چراغ‌های LED ارائه شده است. در مبدل پیشنهادی، یک ترانسفورمر به یک ساختار نیم‌پل رزونانس سری نا‌متقارن اضافه شده است تا بتوان به جریان ورودی شکل داد. همچنین، شرایط کلید‌زنی نرم در جریان صفر (ZCS) و ولتاژ صفر (ZVS) برای کلید‌ها فراهم شده است. جریان‌های خروجی نیز با یکدیگر برابر و مستقل از ولتاژ خروجی‌اند ک...

چکیده: در این مقاله یک ساختار جدید از ترانزیستور اثر میدانی فلز نیمه­هادی در تکنولوژی SOIمعرفی می­شود که مشخصات  DCو فرکانسی بهتری نسبت به ساختارهای متداول دارد. ایده اصلی مقاله بر مبنی تغییر چگالی حامل­ها توسط یک تکه اکسید اضافی چسبیده به لایه­ مدفون اکسید در سمت درین است. بهبود عملکرد قطعه توسط شبیه­­ساز دوبعدی بررسی می­شود. در ساختار پیشنهادی ولتاژ شکست از V13 در ساختار  متداول به V19 در ساخ...

بهینه‌سازی سنجه‌های محیط پلاسمایی کلید گازی سه الکترودی تریگاترون، به دلیل کاربرد گسترده‌ی آن در اغلب تجهیزهای پلاسمایی، مورد مطالعه و بررسی قرار گرفت. مبانی نظری کار مبتنی بر شبیه‌سازی مدار تخلیه شامل: خازن اصلی، ضریب القایی مدار و مقاومت پلاسما در حالت کلید بسته، با یک نوسان‌گر کندمیرا بوده است. ولتاژ کلید در محدوده‌ی 6 تا 15 کیلوولت، فشار داخل کلید در بازه‌ی 1 تا 5/1 اتمسفر و شکاف جرقه در گس...

مبدل های ولتاژ جزء مهم ترین ادوات الکترونیک قدرت می باشند که در بخش های مختلف صنعت به کار می روند.در این بین مبدل های چند سطحی به دلیل مزایایی که نسبت به نوع دو سطحی دارند بیشتر مورد توجه هستند. از اینرو در این پایان نامه ابتدا انواع مبدل های چندسطحی مورد بررسی قرار می گیرد و روش های مختلف مدولاسیون و کلیدزنی در آنها مورد بررسی قرار می گیرد. از جمله مهمترین مبدل های چندسطحی، مبدل خازن شناور می ...

در این مطالعه، هفت ساختار جدید بر پایه ترکیب اینورترهای چند سطحی سری و اینورترهای چند سطحی با کلیدزنی سری-موازی منابع ولتاژ dc ارائه شده است. در چهار ساختار پیشنهادی فقط از منابع ولتاژ dc و در سه ساختار پیشنهادی از ترکیب منابع ولتاژ dc و خازن ها استفاده شده است. در فصل دوم که به پیشینه تحقیق می پردازد چند نمونه از اینورترهای چند سطحی سری و اینورترهای چند سطحی سری-موازی مورد بررسی قرار گرفته و ...

در این مقاله یک مبدل dc-dc تک کلیده بدون ترانسفورماتور جدید با ضریب بهره بالا و تنش ولتاژ کم در دو سر کلید پیشنهاد می شود. در مبدل پیشنهادی تنها یک کلید به کار رفته است به همین دلیل کنترل آن ساده می باشد و تلفات هدایتی کلید نیز در مبدل پیشنهادی پائین می باشد. بهره ولتاژ مبدل پیشنهادی در مقایسه با مبدل افزاینده مرسوم و کاهنده-افزاینده بالاتر می باشد و مبدل پیشنهادی در ناحیه وسیع تری نسبت به مبدل...

ایده مبدل شبه منبع امپدانسی از مبدل منبع امپدانسی گرفته شده است. اینورتر شبه منبع امپدانسی برای اولین بار در سال 2007 پیشنهاد شد. این مبدل تمام توانایی­ های مبدل منبع امپدانسی را دارا می­ باشد و می­ توان آن را برای تبدیل توان  dc-to-ac، ac-to-dc، ac-to-ac و dc-to-dc استفاده نمود. مبدل شبه منبع امپدانسی یک شبکه امپدانس منحصر به فرد متشکل از دو سلف، دو خازن و دو المان سوئیچینگ است. از مزایای مبدل...

در این مقاله یک اینورتر چندسطحی سه‌فاز جدید با منابع ولتاژ ورودی برابر پیشنهاد شده است. در ساختار اینورتر پیشنهادی چندسطحی در حالت کلی شش کلید قدرت یک‌طرفه وجود دارد و بقیه کلیدهای موجود دوطرفه ولتاژ و جریان می‌باشند. در ساختار این اینورتر دیود وجود ندارد. منابع DC موجود در ساختار پیشنهادی برای هر سه فاز مشترک می‌باشد. همچنین به دلیل نبود خازن الکترولیت در ساختار اینورتر پیشنهادی، کنترل این این...

با توسعه زیرساخت های مخابراتی، تبادل سریع داده ها بین اجزای شبکه با یکدیگر و با یک مرکز کنترل در شبکه های توزیع امکان پذیر شده است. همچنین کمینه سازی تلفات انرژی و انحراف ولتاژ باس ها، از مهم ترین اهداف بهره برداری در شبکه های توزیع به شمار می روند. بنابراین، ایدۀ کنترل زمان حقیقی تجهیزات شبکه توزیع برای بهره برداری بهینه از آن ها تعمیم یافته است. از طرفی، توسعه روزافزون کاربرد منابع تولید پراک...