وقتی که ابعاد ترانزیستور به حد نانو می رسد، فرض یکنواختی توزیع چگالی حامل ها در کانال ترانزیستور نادرست می گردد. توزیع غیر یکنواخت و تصادفی ناخالصی ها در کانال ترانزیستور باعث ایجاد تغییراتی در مشخصه ترانزیستور می گردد و باعث می شود که پارامترهای ترانزیستور از جمله ولتاژ آستانه، جریان حالت خاموش و ... تا حدی غیر قابل پیش بینی گردد. عدم پیش بینی پارامترهای یک افزاره، طراحی مدارات مجتمع را با مشک...

در فصل اول به بررسی مطالب مربوط به شناخت نانولوله های کربنی و مفاهیم اولیه نانو لوله ها پرداخته شده است. در این بخش با انواع نانولوله ها و بردارهای پایه و باندهای الکتریکی نانولوله های کربنی آشنا شده و در ادامه انواع روش های ساخت از جمله روش به کار گرفته شده در این پایان نامه آورده شده در انتها خواص مختلف نانولوله ها و همچنین کاربرد آنها به عنوان انگیزه اصلی پایان نامه بیان شده است. در فصل دوم ...

چکیده یک مدار منطقی ترکیبی، یک شبکه سخت افزاری است که بر مبنای گیت های منطقی طراحی می شود و نیازهای توابع منطقی را برآورده می سازد. برای افزایش کارایی و کاهش هزینه مصرفی در تولید، معیارهای بهینه سازی مانند تعداد گیت و ترانزیستورهای مصرفی در نظر گرفته می شود. روش های مختلفی در این زمینه برای پیدا کردن نقاط کمینه در نظر گرفته شده است، که معروف ترین روش های بهینه سازی روش جدول کارنو و الگوریتم ...

اثرات کانال کوتاه یکی از حساس ترین نکات در ساخت ترانزیستورها در ابعاد کمتر از میکرو ونانو است وبه مانع اصلی فن آوری ساخت ترانزیستور در مقیاس نانوتبدیل شده است و باعث تخریب عملکرد وتغیر ویژگیهای الکتریکی شده است. یک نمونه از اثرات کانال کوتاه اشباع سرعت است که در آن حامل در دستگاه به سرعت به اشباع رسیده با جود آن که حالت اشباع بوجود نیامده است. در سال های اخیر ترانزسیتورهای اثر میدانی مبتنی بر گ...

یکی از موارد مهم در فرآیند ساخت افزاره‌ها در مقیاس نانومتر، آندرلپ بین ناحیه گیت و نواحی درین– سورس است. در این مقاله برای اولین بار اثر آندرلپ بین ناحیه گیت و نواحی درین- سورس برای ترانزیستور اثر میدانی نانولوله کربنی تونل‌زنی بررسی شده است. برای مطالعه و شبیه‌سازی مشخصات الکتریکی افزاره از حل خودسازگار معادله‌های پواسون- شرودینگر و روش تابع گرین غیرتعادلی استفاده شده است. عملکرد افزاره برحسب ...

در این پایان نامه روش تحلیل و ساخت نوسان ساز rsg-mosfet مبتنی بر فناوری mos ارائه شده است. گیت در این ترانزیستور به صورت معلق روی کانال قرار دارد، و دو طرف آن مقید شده است. هدف نهایی از طراحی این افزاره، مجتمع کردن همه اجزا مورد نیاز مدار مجتمع، بر روی تراشه ای واحد است. ضریب کیفیت نوسان ساز rsg-mosfet در مقایسه با مدار lc، به مراتب بیشتر است. بنابراین نوسان ساز rsg-mosfet، را می توان به عنوان ...

در این رساله طراحی و تحلیل بخش آنالوگ گیرنده غیرهمدوس uwb مبتنی بر آشکارسازی انرژی در سطح سیستمی و مداری ارائه می شود. اثرات غیر ایده آل بلوکهای گیرنده به منظور دست یابی به مشخصات فنی طراحی، در شبیه سازی سیستمی با سیمولینک matlab مورد توجه قرار گرفته است. در ota مقادیر iip3 و توان مصرفی مورد نیاز برابر dbm15 و mw2 است. همچنین در مربع کننده iip3، توان مصرفی و بهره در ber 3-10 به ترتیب برابر dbm1...

در این پایان نامه عملکرد یک ترانزیستور bjt لایه نازک بررسی گردیده است. به این منظور یک ساختار bjt جانبی دو امیتری متقارن (sde lbjt) روی زیر پایه soi طراحی و بررسی شده است. از توزیع ناخالصی های مناسب جهت بهبود کارآیی ترانزیستور استفاده شده است. شبیه سازی ها نشان می دهد که ترانزیستور خصوصیات dc خوبی دارد. در ابتدا تغییرات بهره جریان با عرض بیس بررسی شده است مشاهده شده که با کاهش عرض بیس مقدار بهر...

چکیده ندارد.

مدلسازی و تولید تصاویر اپی پولار با هدف تولید تصاویر نرمالی که در آنها نقاط متناظر در امتداد سطرهای یکسان قرار گرفته اند، در کاربردهایی که به تناظریابی تصاویر وابسته می باشند، نقشی کلیدی داشته و موجب افزایش کارایی، دقت و سرعت آنهامی گردد. از مهمترین این کاربردها می توان به مثلث بندی هوایی، تولید تصاویر متناظر، تولید مدل رقومی و تصاویر اورتو اشاره نمود. در مورد دو مثال آخر و به ویژه تولید مدل‌...