در این مقاله یک مدل جدید غیرخطی برای بهبود محاسبه مقاومت بدنه ترانزیستورهای PD SOI در مقیاس 45 نانومتر ارائه می‌گردد. این مدل بر پایه شبیه‌سازی‌های سه بعدی سیگنال کوچک ارزیابی می‌شود. در این مقاله فاکتورهای مشخص‌کننده مقاومت بدنه در ترانزیستورهای نانومتر، با استفاده از قابلیت شبیه‌سازی سه بعدی نرم‌افزار ISE-TCAD نشان داده می‌شود و سپس با استفاده از مدل پتانسیل سطح، رابطه‌ای ریاضی برای محاسبه مق...

چکیده در این پایان نامه برای محاسبه مشخصه جریان-ولتاژ، ابتدا با در نظرگرفتن اثر طول گیت (lg)، معادلات حل شده اند و از صحت و درستی آنها در مقایسه با مقالات و داده های موجود اطمینان حاصل شده، سپس یک مدل جدید تحلیلی برای بررسی مشخصه ولتاژ-جریان ترانزیستورهای اثر میدانی با ساختار نامتجانسalgan/gan ارائه گردیده و فرض شده که در آن پتانسیل کانال در نواحی بدون گیت به طور خطی و تدریجی تغییر می کند. با...

با نیاز روز افزون علم و تکنولوژی به افزایش سرعت پردازش و توان محاسباتی، انتقال اطلاعات در پهنای باند بالا و توسعه و کاربرد روزافزون نانوتکنولوژی در حوزه های مختلف، توجه بسیاری از محققان در سراسر دنیا به زیر شاخه-ای از فوتونیک به نام پلاسمونیک جلب شده است. به دلیل قابلیت تمرکز بالای نور در مرز فلز و دی الکتریک، حد تفرق نور شکسته شده و امکان هدایت اطلاعات، توسط نور، در ابعاد نانومتری فراهم می شود...

با کوچک شدن اندازه ترانزیستورهای اثر میدانی فلز- اکسید- نیمه رسانا (mosfet) مشکلاتی نظیر افزایش جریان نشتی، تونلی و نفوذ اتم های بور از گیت دی الکتریک بازدهی آن ها را کاهش داده است. حل این مشکلات نیازمند نانوترانزیستورهایی با گیت دی الکتریک با ثابت دی الکتریک (k) بالا به جای گیت دی-الکتریک امروزی، اکسید سیلیکون (2sio) می باشد. در این پژوهش، با سنتز و بررسی ویژگی های الکتریکی و نانوساختاری نانوک...

در این مقاله با استفاده از روش اجزا محدود میدان سرعت در منطقه تغییر شکل در حین نورد داغ ورق تعیین می گردد و به کمک آن توزیع کرنش در منطقه تغییر شکل و همچنین نیروی نورد پیش بینی میشود. آنالیز مورد استفاده قادر است اثر عوامل مختلف از قبیل دمای تغییر شکل ،کارسختی فلز،سرعت نورد،واصطکاک را برمیدان سرعت ارائه دهد. مقایسه نتایج بدست آمده از تئوری با نتایج آزمایش مربوط به نورد ورقهای فولادی نشان دهنده ...

آرایه ای از نانوسیم های اکسید روی از طریق لایه نشانی فلز طلادر محیط خلأ بر روی زیرلایه ی فلز روی به همراه اکسایش حرارتی در هوا در دمای oc 400 و به مدت 4 ساعت ساخته شد. الگویپراش پرتو ایکس مجموعه ای از قله های معینی مطابق با ساختار ورتسایت اکسید روینشان داد. تصویر میکروسکوپ الکترونی روبشی مشخص نمود که نانوسیم های اکسیدروی باطول چندین میکرون تشکیل شده اند. مطالعات طیف سنجی فوتوالکترون اشعه ی ایکس...

مدار تمام جمع کننده، به دلیل توانایی در پیاده‌سازی چهار عمل اصلی محاسباتی (جمع، تفریق، ضرب و تقسیم) به عنوان یکی از مهمترین و پرکاربردترین بخش‌های اصلی پردازنده‌های دیجیتالی در طرّاحی مدارهای مجتمع، شناخته می‌شود. بدین منظور، در این مقاله تلاش شده است که سلول تمام جمع‌کننده‌ی جدیدی با بهره‌گیری از تکنولوژی ترانزیستورهای نانولوله‌ی کربنی، جهت دستیابی به مداری با عملکردی مناسب و توان مصرفی کم، ارا...

سیمای ماکروسکوپیکی میدان الکترومغناطیسی کوانتومی اثر کازیمیر می باشد. این نیرو در اثر تغییر در انرژی نقطه صفر میدان الکترومغناطیسی به وجود می آید که خود این تغییر نیز ناشی از حضور مرزهای فیزیکی می باشد. در این پایان نامه ابتدا تاریخچه اثر کازیمیر را مرور می کنیم که نیروی بین دو صفحه رسانای ایده ال، موازی و بدون بار می باشد. سپس برهم کنش لیفشیتز را که حالت کلی تری نسبت به برهم کنش کازیمیر می باش...

مدار تمام جمع کننده، به دلیل توانایی در پیاده سازی چهار عمل اصلی محاسباتی (جمع، تفریق، ضرب و تقسیم) به عنوان یکی از مهمترین و پرکاربردترین بخش های اصلی پردازنده های دیجیتالی در طرّاحی مدارهای مجتمع، شناخته می شود. بدین منظور، در این مقاله تلاش شده است که سلول تمام جمع کننده ی جدیدی با بهره گیری از تکنولوژی ترانزیستورهای نانولوله ی کربنی، جهت دستیابی به مداری با عملکردی مناسب و توان مصرفی کم، ارا...

در این مقاله یک مدل جدید غیرخطی برای بهبود محاسبه مقاومت بدنه ترانزیستورهای PD SOI در مقیاس 45 نانومتر ارائه می‌گردد. این مدل بر پایه شبیه‌سازی‌های سه بعدی سیگنال کوچک ارزیابی می‌شود. در این مقاله فاکتورهای مشخص‌کننده مقاومت بدنه در ترانزیستورهای نانومتر، با استفاده از قابلیت شبیه‌سازی سه بعدی نرم‌افزار ISE-TCAD نشان داده می‌شود و سپس با استفاده از مدل پتانسیل سطح، رابطه‌ای ریاضی برای محاسبه مق...