وقتی که ابعاد ترانزیستور به حد نانو می رسد، فرض یکنواختی توزیع چگالی حامل ها در کانال ترانزیستور نادرست می گردد. توزیع غیر یکنواخت و تصادفی ناخالصی ها در کانال ترانزیستور باعث ایجاد تغییراتی در مشخصه ترانزیستور می گردد و باعث می شود که پارامترهای ترانزیستور از جمله ولتاژ آستانه، جریان حالت خاموش و ... تا حدی غیر قابل پیش بینی گردد. عدم پیش بینی پارامترهای یک افزاره، طراحی مدارات مجتمع را با مشک...

در عصر تکنولوژی اطلاعات استفاده از ابررایانه ها امری اجتناب ناپذیر است. در این رایانه ها ترانزیستورهای با سرعت بسیار بالا و زمان سویچینگ بسیار کوتاه ، حرف اول را می زنند . بنابراین مطالعه پژوهش در ساختارهای چندلایه ای می تواند ما را در شناخت ساختار و اصلاح و بهینه سازی عملکرد اینگونه ترانزیستورها جهت استفاده بهتر یاری نماید.در ساختارهای مدوله آلائیده گاز حفره ای دوبعدی به دلیل اختلاف در گاف نوا...

در این پایان نامه به آنالیز و طراحی و همچنین شبیه سازی یک میکسر در باند فرکانسی ghz 0.5-6 با استفاده از تکنولوژی tsmc rf cmos 0.18 µmپرداخته شده است. هسته اصلی این میکسر ساختار کسکود می باشد که باعث افزایش بهره و خطسانی و نویز فیگر می شود، اما معمولا داری توان تلفاتی نسبتا بالایی می باشد. در این پایان نامه برای بهبود معضل یاد شده، از تکنیک تزریق بدنه استفاده شده است. استفاده از دژنراسیون مقاومت...

با توجه به کاهش ابعاد وسایل الکترونیکی به منظور بهبود عملکرد آن ها، نیاز به مدلسازی حرارتی اجزای الکترونیکی همچون ترانزیستورهای نیمه هادی حس می شود. از طرف دیگر با کوچک شدن ابعاد سیستم و با توجه به عدم اعتبار قانون فوریه به عنوان مدل کلاسیک انتقال حرارت، مدل تأخیر فاز دوگانه به همراه شرط مرزی پرش دمایی به عنوان جایگزین مناسبی برای قانون فوریه در سیستم های با ابعاد نانو ارائه شده است. در این رسا...

در دهه اخیر، نیمه هادی ganبه دلیل گاف انرژی و رسانندگی گرمایی بزرگ تر نسبت به نیمه هادی gaas ، در کاربردهای توان بالا مورد توجه قرارگرفته است. به دلیل همین ویژگی ها، ganاین قابلیت را دارد که در دماها و ولتاژهای بالا نیز کار کند. علاوه بر این سرعت اشباع الکترون در ganنیز نسبت به gaasبیشتر بوده و به همین دلیل، این نیمه هادی برای کاربردهای فرکانس بالا نیز مناسب می باشد. در ترانزیستورهای hemt با فن...

در این پایان¬نامه طراحی مدارهای cmos در فرکانس¬های با طول موج میلیمتری مورد بررسی قرار گرفت و عملکرد قطعات فعال و غیرفعال در این فرکانس¬ها بیان شد. به¬دلیل اثرات پارازیتی موجود در فرکانس¬های بسیار بالا، مدل قطعات شامل سلف، خازن و خط انتقال، باید با استفاده از آنالیز جریان¬های شارش یافته در زیرلایه و سایر قسمت¬های قطعه، در نرم¬افزارهای شبیه¬سازی سه بعدی الکترومغناطیسی به¬دست ¬آید. طراحی این قطعا...

امروزه در سیستم های مخابراتی پهن باند و کاربردهایی که نیاز به تقویت کنندگی در باند وسیع با فاز خطی دارند، از روش های مداری مختلفی برای طراحی تقویت کننده ها استفاده می شود. رایج ترین آن ها، تقویت کننده های با ساختار توزیع شده می باشد. این نوع تقویت کننده ها دارای دو بخش اصلی در ساختار خود هستند، اول خطوط انتقال آن ها که باعث ایجاد یک پهنای باند وسیع می شود و دوم قطعات فعال که به منظور افزایش بهر...

در تکنولوژی های جدید cmos بلوکهای آنالوگ و سیگنال مرکب با مشکلاتی مواجه شده اند چون قابلیت عملکرد آنالوگ ترانزیستورها در تکنولوژی های جدید تنزل می یابد. برای مثال گین ذاتی ترانزیستورها کم شده است، کاهش ولتاژ تغذیه سوئینگ ولتاژ را کاهش می دهد اما نویز به این نسبت کم نمی شود و در نتیجه نسبت سیگنال به نویز که یکی از مشخصه های مهم می باشد، کاهش می یابد. به عبارت دیگر مدارات مجتمع آنالوگ به اندازه م...

با پیشرفت تکنولوژی در صنعت نیمه¬هادی و کوچک شدن ابعاد ترانزیستورها به سمت ناحیه نانومتری، تغییرات آماری افزاره¬ها به خاطر مشکلات موجود در حین مراحل تولید و تغییرات تصادفی از نوسانات اتم¬های ناخالصی شده، تبدیل به یک نگرانی بحرانی شده است. همچنین یافتن راهی برای کاهش اثرات مشکلات این تغییرات برای تکنولوژهای نسل بعدی، مستلزم شناخت دقیق منابع این تغییرات در افزاره¬ها می¬باشد. این منابع تغییرات باعث...

استفاده از تکنیک تحریک سلول های زیستی از طریق الکترودها در درمان یا بهبود بسیاری از بیماری ها ناشی از ناتوانی سلول های بافت خاصی از بدن یا عملکرد نامناسب آن ها، بسیار رایج و مؤثر می باشد. از اینرو در سال های اخیر تجهیزات بیومدیکال قابل کاشت توجهات بسیاری را به خود معطوف کرده اند و مطالعات بسیاری در زمینه ی نحوه طراحی و ساخت این تجهیزات انجام شده است. به عنوان یکی از مهمترین بخش های تحریک کننده ...