عصر جدید برای گرافین در سال 200? با تولید صفحه های گرافین به صورت تجربی آغاز شد. خبر تولید گرافین هیجان زیادی در دنیای فیزیک به وجود آورده و پس از مشاهده خواص منحصربه فرد آن در آزمایشگاه گام بلندی برداشته شد. گرافین از نقطه نظر کاربردی و بنیادی، به عنوان ماده اولیه وسایل نانوالکتریکی و خواص الکترونی برجسته اش جالب توجه است. طیف الکترونی گرافین در انرژی های پایین و حول نقاط دیراک، جایی که نوار ر...

در سال های اخیر، پیشرفت های زیادی در زمینه گازهای فرمیونی فراسرد مشاهده شده است. شاید جالب ترین آن ها توانایی کنترل قدرت و علامت برهم کنش های بین ذرات از طریق تشدیدهای فشباخ باشد. مهم ترین پیشرفت مربوط به مطالعه عبور از حالت ابرشارگی باردن-کوپر-شریفر به حالت مولکول های چگالش بوز-اینشتین (عبور bcs-bec)، در مخلوط-هایی از دو حالت فوق ریز از اتم مشابه، نزدیک تشدید فشباخ می شود. قابلیت تنظیم برهم ...

در این پایان نامه ماده کوارکی قطبیده که از کوارک های بالا، پایین و شگفتی، با اسپین های بالا و پایین تشکیل شده است را در دمای صفر مطلق در نظر گرفته و به مطالعه خصوصیات آن در حضور و در غیاب میدان مغناطیسی پرداخته ایم. بعضی از خصوصیات این سیستم مانند انرژی، معادله حالت و قطبش را محاسبه نموده ایم. برای محاسبه انرژی از مدل کیسه ای mitاستفاده کرده ایم. در اینجا نشان داده ایم که انرژی ماده کوارکی قطبی...

با توجه به طیف خطی انرژی گرافین اثرات ویژه و جالبی در آن مشاهده شده است که در این میان می توان به رسانندگی بسیار زیاد گرافین اشاره نمود. با اعمال یک میدان مغناطیسی عمودی به قسمتی از نوار کرافین می توان آن قسمت را به گرافین فرومغناطیس تبدیل کرد. کنترل ترابرد اسپین در گرافین فرومغناطیس با پتانسیل مغناطیسی در این پایان نامه مورد بحث خواهد بود. ترابرد الکترون در سد مغناطیسی بررسی می شود،

نانو اسپینترونیک که همان کاربرد فناوری نانو در تولید قطعات اسپین – الکترونیکی می باشد یکی از زمینه های بسیار پر کاربرد و جذاب از علوم و فناوری نانو است. در نانو اسپینترونیک از درجه آزادی اسپین الکترون به منظور انجام محاسبات استفاده می شود. به عنوان کاربردی از نانو اسپینترونیک در صنعت، می توان از مقاومت های مغناطیسی بزرگ (gmr) نام برد که از آنها در دیسک های سخت استفاده می شود. تولید جریان های ...

در این پایان نامه، پیکربندی اسپینی و ترابرد وابسته به اسپین در سیلیسین مورد مطالعه و بررسی قرار می گیرد. سیلیسین یک ساختار لانه زنبوری تک لایه از اتم های سیلیکون می باشد که برهم کنش اسپین-مدار ذاتی در آن بر خلاف گرافین درخور توجه است. پیش تر با استفاده از روش تنگ-بست مدل هامیلتونی موثری برای الکترون ها و حفره های کم انرژی در اطراف نقاط kو kبه دست آمده است. با استفاده از این هامیلتونی و با در نظ...

در این مقاله، اثرات پراکندگی وابسته به اسپین بر روی خواص ترابرد الکتریکی و درهم تنیدگی الکترون ها، مانند جریان الکتریکی، رسانش الکتریکی، عامل فانو، نوفه شلیکی و درجه درهم تنیدگی، را در یک سیستم مزوسکوپیکی مانند سیم های کوانتمی متصل به دو الکترود نیمه بی نهایت ایده ال بررسی می کنیم. محاسباتمان مبتنی بر روش ماتریس انتقال در تقریب جرم مؤثر می باشد. با استفاده از فرمول بندی لاندائور و ضریب عبوردهی،...

در این رساله با استفاده از فرمول بندی پراکندگی لاندائو-بتیکر به بررسی رسانش در گرافین تک لایه می پردازیم . گرافین تک لایه یک نیمرسانای بدون گاف است که اخیرا توجه زیادی را به خود جلب کرده است . ما نشان خواهیم داد با حضور جفت شدگی اسپین مدار می توان در این ماده دو بعدی گاف ایجاد نمود . نتایج نشان می دهند جفت شدگی اسپین مدار راشبا علاوه بر ایجاد گاف در نوار، می تواند روی ترابرد اسپین حامل های ...

در این اثر انتقال اسپین را در اتصالات سیلیسنی سیلیسن نرمال / سیلیسن فرومغناطیس / سیلیسن نرمال که یک الکترود به سیلیسن فرومغناطیس ضمیمه شده است مطالعه و بررسی می کنیم. سپس در می یابیم که یک میدان تبادلی از سیلیسن فرومغناطیس ناشی می شود و جریان اسپین در میان اتصال یک رفتار نوسانی دارد که با طول سیلیسن فرومغناطیس رابطه دارد و قابل تنظیم باولتاژ گیت است. به طور خاص یک جریان اسپین به دست می آوریم که...

چکیده در این پژوهش رسانش وابسته به اسپین در سیستمی بر پایه نانورشته های گرافنی در چهارچوب فرمول بندی لانداورو با استفاده از هامیلتونی هابارد در تقریب میدان متوسط و رهیافت تابع گرین بررسی شده است. قسمت مرکزی در این سیستم یک نانوصفحه گرافنی لبه زیگزاگی است که به دو نانورشته گرافنی دسته صندلی به عنوان الکترودهای چپ و راست متصل می شود. این سیستم در غیاب میدان های خارجی به عنوان یک فیلتر کننده اس...