پلاسمون ها دارای مدهای تشدیدی هستند که به شکل و اندازه نانوذرات بستگی دارند. رفتار تشدیدی پلاسمون ها بدلیل محبوس بودن الکترون های رسانش در داخل نانوذرات فلزی است و در اثر این محدودشدگی، یک جابجایی الکترومغناطیسی القایی می تواند پولاریزاسیون سطحی ایجاد کند. بدلیل قطبش پذیری قوی نانوذرات در حالت تشدید پلاسمونی، انرژی موج الکترومغناطیسی فرودی جذب پلاسمون شده و باعث افزایش میدان موضعی در حجم نانوذر...

رسانش در دمای پایین برای سیستم های دو بعدی مانندترانزیستوراثرمیدان فلز-اکسید-نیمه رسانا مدتی است که مورد توجه قرار گرفته است. آزمایش ها نشان می دهند که یک نیمه رسانا آلاییده در چگالی الکترونی ناخالصی پایین از خود رفتار عایق ودر چگالی الکترونی بالا خاصیت فلزی نشان می دهد. در یک سیستم دو بعدی نظیر ساختار چند لایه ای الکترون ها با ناخالصی های باردار وخنثی برهم کنش ن سهیم می باشند. دراینجا اثر آنه...

گرافین تک لایه ای از اتم کربن با ساختار شبکه ای لانه زنبوری است که دارای ساختار نواری شبه نسبیتی می باشد. به همین علت ترابرد کوانتومی الکترون ها در ساختارهای گرافینی با رساناهای معمولی به طور اساسی متفاوت است. در اتصالات بالستیک گرافینی با پهنای بزرگ رسانش و ضریب فانو در نقطه ی خنثایی بار، مستقل از نوع لبه ها، به ترتیب به مقادیر جهانی 4e^2/pi h و 1/3 ‎ می رسند.‎ به تازگی اثر کشش در گرافین تو...

با حل مستقیم معادله ترابردی بولتزمن به روش تکرار، بستگی تحرک پذیری به دما و چگالی الکترونها در نیمرسانای te cd0.2 hg0.8 محاسبه و با دو نیمرسانای cdteو hgte مقایسه شده است. در محاسبه تحرک پذیری، پراکندگی از فونون های آکوستیکی، پیزوالکتریک، اتم های ناخالصی یونیده و فونون های اپتیکی قطبی برای یک نوار رسانش غیر سهموی با توابع موج ترکیبی در نظر گرفته شده است. نتایج محاسبات با داده های تجربی و محاسبه...

در این مقاله رسانش بایاس صفر را بر حسب دما در اتصالی مطالعه می کنیم که بین یک نانو سیم فلزی و یک ابررسانای موج- d قرار گرفته است. ابررسانا را در جهت111 ( و ) 111 ( در نظر می گیریم و بر اساس نظریه پراکندگی رسانش بایاس صفر را بر حسب دما و شدت پتانسیل اتصال به دست می آوریم و نتایج را با موارد حجیم (مقایسه خواهیم کرد. نتایج نشان می دهند که در جهت ) 111 ( منحنی های رسانش بطور کیفی تفاوتی بین نانو سی...

در این پایان نامه به بررسی ترابرد وابسته به اسپین نانوساختارهای مغناطیسی از قبیل نانوسیم های فرومغناطیس، پادفرومغناطیس و فری مغناطیس پرداخته می شود. محاسبات در رهیافت بستگی قوی و با استفاده از روش تابع گرین انجام می شود. نتایج مربوط به یک نانوسیم فرومغناطیس نشان می دهد که وجود نقص مغناطیسی و افزایش تعداد آن احتمال چرخش اسپین الکترون عبوری را افزایش و چگالی حالت های سامانه را کاهش می دهد. بررسی ...

هدف این پایان نامه،بررسی خواص ترابری الکترون درنیم رساناهای4h-sic و6h-sic درحد میدان های الکتریکی شدید بااستفاده از روش مونت کارلو می باشد. درمیدان های الکتریکی ضعیف ،تنهاالکترون های واقع دردره مرکزی گامادرترابردالکترون هاسهیم اند وگذارهای بین دره ای وبین نواری وجودندارند.درحالیکه درمیدان های الکتریکی قوی،الکترون های واقع دردره های مجاورنیزدرترابرد الکترون ها نقش دارندوگذارهای بین دره ای وبین ...

با ترکیب معادله دیراک نسبیتی و معادل? بوگلیبوف دژن بازتاب آندریف را در اتصال فلز- ابررسانا در یک سیستم گرافنی بررسی میکنیم . که بازتاب آندریف در گرافن چندین ویژگی غیر معقول دارد 1- الکترون و حفره در ساختار نواری دره های مختلفی را اشغال میکنند 2- در بازتاب نرمال علی رغم عدم تطابق طول موج فرمی در دو طرف اتصال بین فلز و ابررسانا، تبدیل الکترون به حفره با احتمال واحد رخ میدهد 3- زاویه بازتاب ممکن ا...

در این مطالعه ما رسانش الکتریکی یک نانو لوله کربنی ایده ال و یک نانو لوله کربنی در حضور پتانسیل خارجی یکنواخت را به کمک رهیافت بستگی قوی در نظریه پاسخ خطی مطالعه کرده و به کمک این رهیافت در تقریب همسایه نزدیک، به کمک ساز وکار تابع گرین رسانش این دستگاه را به دست می آوریم، نتایج به دست آمده نشان می دهد که در حضور پتانسیل خارجی علاوه بر محدودتر شدن ناحیه رسانش تشدیدی، در ابتدای (انتهای) پنجره مجا...

در این تحقیق با استفاده از فرمول بندی تابع گرین و رابطه لانداور-بوتیکر به بررسی رسانش و پدیده مغناطومقاومت در مولکول پلی تیوفن می پردازیم و اثرات برهمکنش الکترون-فونون، الکترون-الکترون و حضور میدان الکتریکی ناشی از ولتاژ اعمالی را بر روی خواص رسانندگی بررسی خواهیم کرد. مولکول پلی تیوفن در این تحقیق به وسیله هامیلتونی سو-شریفر-هگر توصیف میشود و الکترودها در تقریب باند پهن بررسی میشوند. بر اساس ن...