در این رساله، مدل تحلیلی برای افزاره npt-igbt ، که یکی از انواع پرکاربرد کلیدهای نیمه هادی قدرت می باشند، ارائه می شود. این مدل که از حل معادلات نیمه هادی در ساختار سه بعدی بدست آمده است ، دقیقتر از مدلهای قبلی می باشد و انتظار می رود که نتایج تخمین زده شده توسط آن به نتایج آزمایش نزدیکتر باشد. با استفاده از روابط نهایی بدست آمده، مشخصه جریان - ولتاژ افزاره ترسیم می شود. سپس اثر تغییر پارامترها...

هدف از این رساله دست یابی به تکنولوژی رسد بلور نیمه هادی insb و اندازه گیری مشخصات ان و نهایتا ساخت اشکار سازهای فوتو رسانای insb می باشد. برای این منظور ضمن معرفی روشهای استاندارد رشد بلور با استفاد از روش برجیمن عمودی، نمونه هایی از تک بلور insb رشد داده شد. برای مقایسه این نمونه با نمونه های تجارتی، مشخصات بلور اندازه گیری قرار گرفت . این مشخصات عبارتند از تغییرات ثابت هال، رسانندگی، تحرک ال...

نانو بلور های فلز سولفید شامل zns، cds، pbs، ag2s و hgs با مورفولوژی های گوناگون شامل ذرات، میله ها، کره ها و درختسان ها با استفاده از یک روش سولوترمال تهیه شدند. واکنش ها در دما و زمان های مختلف، در حضور عامل سولفیدکننده ی جدید از دسته ی تیوبازشیف ها (2- (بنزیل ایدن آمینو) بنزن تیول) بدون حضور سورفکتانت انجام شدند. اثر عوامل مختلف نظیر دما، زمان، نوع حلال و غلظت عامل سولفیدکننده بر روی مورفولو...

یک سلول uhv شکست اتمی هیدروژن جهت تولید هیدروژن اتمی به منظور تمیز سازی درجای نمونه های نیمه هادی ساخته شده است. این سلول به منظور تمیز سازی نمونه های گروه سه تا پنج جدول تناوبی عناصر نظیر gaas تنظیم و مورد آزمایش قرارگرفته است. درکارحاضر فرایند شیمیایی تمیزسازی هیدروژن نمونه های gaas توسط طیف سنجی جرمی مورد مطالعه قرارگرفت. روش xps روی نمونه ها در مراحل مختلف تمیزسازی به کارگرفته شد. دفع اکسید...

مدل‌سازی کلیدهای نیمه هادی در مبدل‌های سوئیچینگ از موضوع‌هایی می‌باشد که امروزه، بیشتر مورد توجه مهندسین طراح قرار گرفته است. زیرا به دیدگاه آن‌ها در انتخاب ساختار، مقایسه، تعیین مقادیر اجزای مبدل، حلقه کنترلی و پایداری اشراف بیشتری می‌بخشد. در این مقاله، روشی عددی برای تعیین منحنی ولتاژ و جریان تایریستور در مبدل‌های الکترونیک قدرت ارائه شده‌است. عناصر موجود در این مبدل‌ها را می‌توان از نظر منح...

در این مقاله راجع به نیمه هادیها و ترانزیستور کلیاتی مورد بحث قرار میگیرد که مطالعه آن برای کلیه علاقه مندان مفید می باشد .

: امروزه از یک سو، تجهیزات الکتریکی در هر کشتی برای ارتباطات، سیستم‌های موقعیت‌یابی، راندن موتورها مورد نیازند و از سوی دیگر، امکان کنترل موتورهای الکتریکی با سرعت متغیر در یک محدوده کوچک با توان بالا، قابلیت اطمینان و قیمت تمام شده، راه حل های رقابتی، استفاده از رانش الکتریکی را ضروری ساخته است. یکی از بخش های تشکیل دهنده‏ی سیستم رانش الکتریکی کانورترها هستند که به منظور دستیابی به سطوح ولتاژ ...

اگر به بررسی موبیلیتی (µ) در ترانزیستورهای لایه نازک آلی در سال های اخیر بپردازیم یک روند افزایشی را در آن به سه دلیل (1-ترکیب نیمه هادی های آلی جدید 2-اتصالات سورس ودرین وشکل بندی کلی ترانزیستور بهینه شده است 3-پارامترهای لایه رسوب شده نیمه هادی آلی بهینه شده اند) مشاهده می کنیم که ما نیز جهت رسیدن به موبیلیتی قابل قبول تحت ولتاژاعمالی گیت پایین روی آنها تمرکز می کنیم. مثلاٌ pentance یکی از عمد...

د در این مقاله، در رهیافتِ تنگ­بست و به روش تابعِ گرین به محاسبۀ رسانش و عدد اِشغالِ الکترونی یک مولکول بنزن پرداخته ایم، که به­صورتِ اتّصال­های اُرتو، مِتا و پارا به دو هادی فلزّی ساده متّصل شده است. اثرِ عواملی همچون محل اتّصالِ هادی ها، قدرتِ دوپارش و اِعمالِ ولتاژ، را روی مقدارِعدد اِشغالِ الکترونی در مسیرهای ممکنِ عبورِ الکترون بررسی کرده­ایم. نتایجِ محاسبات حسّاسّیتِ نسبتاً زیاد مقدارِ عدد اِشغال را به این عوامل نشا...