: آنتن های مایکرواستریپ در سال های اخیر به صورت گسترده در سیستم های مخابراتی مدرن و رادار مورد استفاده قرار گرفته اند. مهم ترین مزایای این نوع آنتن ها عبارتند از: وزن کم، قیمت ارزان، ابعاد کوچک، قابل ساخت هم زمان با مدارهای چاپی و کاربرد آن به عنوان آنتن های با قطبش خطی و دایره ای است. آنتن های مایکرواستریپ دارای دو عیب اساسی پهنای باند کم و بهره پایین هستند. برای افزایش پهنای باند و بهره این آ...

در این مقاله کاربرد یک موجبر مجتمع شده در زیر لایه با تیغه زیگ زاگی شکل، برای تحریک آنتن شکافی طولی موازی نشان داده شده است. دو رابطه ی اصلی یرای طراحی ساختار موجبر مجتمع شده در زیر لایه و به دست آوردن پارامترهای ساختار مورد نظر، برای تحریک شکاف موازی طولی توسط تیغه زیگ زاگی شکل، در موجبر مجتمع شده در زیر لایه تعیین شده است. تیغه زیگ زاگی درست زیر شکاف طولی قرار گرفته است. شکاف مورد نظر در امتد...

در این رساله ضمن مروری بر خواص الکترومغناطیسی پلاسماها به بررسی اصول کار آنتن های پلاسمایی و بیان کاربردهای آنها خواهیم پرداخت. نظریه ی پراکندگی امواج الکترومغناطیس از ستون های پلاسما در حالت های سرد و گرم به عنوان بحث مقدماتی در این رساله ارائه خواهد شد. در ادامه پراکندگی امواج الکترومغناطیس از سه نوع آنتن پلاسمایی مورد بررسی قرار می-گیرد و دیاگرام های سطح مقطع پراکندگی و الگوی پراکندگی این آن...

در این مقاله، یک آنتن پچ مایکرواستریپ سه بانده با پلاریزاسیون دوگانه ، شامل یک پچ مستطیلی، با برش هایی در هر چهار لبه ارائه می شود، که برای بکارگیری در ایستگاه پایه موبایل مناسب است. یکی از باندها، gsm900، و باند دیگر dcs1800 و umts2100 را پوشش می دهد. آنتن ارائه شده دیکوپلینگ پورت خوبی، کمتر از -30db برای پلاریزاسیون دوگانه خطی، در باندهای عملکرد از خود نشان می دهد. ساختار آنتن بر اساس پیکربند...

از جدید ترین روشهای بهبود راندمان ماشین کاری تخلیه الکتریکی(edm)، افزودن پودر به دی الکتریک در این فرآیند است. در این مقاله، با افزودن پودر آلومینیم با اندازه کوچکتر از 25 میکرون به دی الکتریک به بررسی تغییر پارامترهای ماشین کاری، مانند اندازه گپ، نرخ براده برداری و زبری سطح، پرداخته و پارامترهای ماشین کاری در شرایط پرداخت و نیمه پرداخت در دو حالت با پودر و بدون پودر مقایسه شده است. نتایج نشان ...

چکیده ندارد.

در این مقاله ساختار آنتن تشدیدی عایقی مستطیلی، تغذیه شده توسط یک خط مایکرواستریپ بررسی و تکنیکهای بهبود رفتار آن مرور شده است. بدین منظور نحوه عملکرد تشعشعی آنتن عایقی مطالعه و روشهای مختلف بهبود آن و بطور خاص افزایش پهنای باند آن بررسی شده است. سپس ساختار جدیدی با هدف افزایش پهنای باند امپدانسی آن پیشنهاد شده است. در ساختار معرفی شده با بهره گیری از ساختاری یکپارچه ولی چندبخشی با ابعاد مختلف، ...

sio2در این مقاله به بررسی رفتار نوری لایه های نازک (teos )تهیه شده به روش سل ژل چرخشی با استفاده از پیش ماده تترااتیل اورتوسیلیکات ، در دماهای مختلف(600– 400) درجه سانتی گراد پرداخته شده uv-vis است. از نتایج حاصل از آزمون برای به دست آوردن لبه جذب و گاف انرژی لایه ها و از آزمون بیضی سنجی (الیپسومتری)  برای به دست آورن ضریب شکست نوری و ضرایب دی الکتریک آنها استفاده شد. نتایج نشان داد که لایه های...

در سال های اخیر ضخامت گیت دی اکسید سیلیکون در تکنولوژی cmosبه کمتر از دو نانومتر رسیده است. این تمایل بی سابقه به کوچککردن ترانزیستور ها، علاوه بر مزایای فراوان تکنولوژیکی، مشکلاتیهمچون افزایش تونل زنی کوانتومی، افزایش جریان نشتی و نفوذ اتمبور از گیت دی الکتریک فرانازک را به همراه داشته است مواد نانوکامپوزیت هیبریدی آلی به خاطر ویژگی های خوب الکتریکی همچون جریان نشتی پایین و ثابتدی الکتریک بالا...

چکیده در سال های اخیر بلورهای فوتونی به خاطر خواص جالبشان در کنترل انتشار امواج الکترومغناطیسی توجه زیادی را جلب کرده اند. به طوری که از آنها در ساخت قطعات فوتونی خصوصا در مدارهای مجتمع فوتونی استفاده های زیادی شده است. کاربردهای بلور فوتونی به دو عامل وجود گاف در ساختار نواری فوتونی و پاشندگی تنظیم پذیر در داخل بلور بلور فوتونی بستگی دارد. عامل اول طراحی موجبر ها و فیلترهای فرکانسی را ممکن می...