نانو سیم نانو ساختاری با قطری در مقیاس نانومتر است. برای ‏ساخت نانوسیم ها از چند روش می توان استفاده کرد که برای مثال روش قالب، روش بخار- مایع- جامد ‎(vls)‎ و لیزر را می توان نام برد. در این پایان نامه ‏با استفاده از قالب اکسید آلومینیوم متخلخل آندی نانوسیم های co99-sn1)100-xpx) با روش الکتروانباشت شیمیایی به صورت جریان متناوب ساخته شدند‎ که در آن مقدار ‎ ‎x‎ ‎‎ از صفر تا ‎10‎ تغییر می کند. ‎‏ا...

آلیاژ فرومغناطیس fept یکی از مهم ترین مواد مغناطیسی مورد استفاده در ساخت حافظه های مغناطیسی با دانسیته ی مغناطیسی بالا می باشد. در این پروژه این آلیاژ با استفاده از روش مگنترون اسپاترینگ و با استفاده از هدف های آهن و پلاتین با خلوص99/ 99% بر روی زیر لایه si/sio2(001) و لایه بافر ptir پوشش داده شد . این آلیاژ با در صد های برابر آهن و پلاتین دارای بهترین خواص مغناطیسی و ساختاری می باشد . ساختار f...

با پیشرفت تکنولوژی، نیاز به محیط های ثبت مغناطیسی با ظرفیت بالا کاملاً احساس می شود. سیستم های ثبت مغناطیسی عمودی بخاطر پایداری گرمایی زیادشان یکی از نامزدهای حافظه های ثبت با چگالی بالا محسوب می شوند. در این میان محیط هایی که بتوانند ناهمسانگردی عمودی لازم برای حافظه های مغناطیسی را فراهم سازند بسیار مورد توجه قرار گرفته اند. نانوسیم های آلیاژی feco و feni توجه زیادی را به خود معطوف ساخته اند، ...

در این پایان¬نامه با استفاده از روش هم¬رسوبی نانوذرات زینک فریت ( (?zn?fe?_2 o?_4 جایگزین شده با عنصر کروم تهیه و سنتز شده¬اند. نمونه¬های تهیه¬شده دارای فرمول ?zn?cr?_2x ?fe?_(2(1-x)) o?_4 می¬باشند که در آن¬ ( x=%0,%0.05, %25, %50, %100 ) می¬باشد . میانگین اندازه نانو ذرات تهیه شده در حدود 30.8 نانو متر محاسبه شده اند . اثر پارامترهای مختلف مانند دمای بازپخت در چهار دمای مختلف 200، 400 ،600 و?8...

حسگرهای مغناطیسی بر مبنای اثر امپدانس مغناطیسی mi (تغییر امپدانس الکتریکی یک رسانای مغناطیسی تحت اعمال میدان مغناطیسی خارجی) امروزه قابلیت خود را در عرصه فناوری نشان داده¬اند. مناسب¬ترین مواد برای کاربرد در اثر امپدانس مغناطیسی، مواد مغناطیسی نرم همانند آلیاژهای آمورف و مواد مغناطیسی نانو بلور هستند. جهت دست¬یابی به پاسخ امپدانسی مناسب¬تر به¬وسیله آلیاژهای آمورف، روش¬های گوناگونی وجود دارد که د...

دراین پژوهش ابتدا قالب های اکسید آلومینای آندی به روش آندایز دو مرحله ای ساخته می شوند. با این روش قالب هایی با حفره های استوانه ای با اسید اکسالیک ایجاد می شود. سپس با استفاده از این قالب ها، آرایه ای از نانوسیم های کبالت-سرب و نیکل-سرب به روش الکتروانباشت متناوب ساخته و در ابتدا اثر اضافه کردن سرب به این نانوسیم های آلیاژی بررسی می شود. سپس نمونه ها ‏در دماهای مختلف تابکاری شده و پس از تابکار...

چکیده هدف از این پروژه، رسوب دهی هم زمان نیکل، منگنز و گالیوم درون حفرات قالب اکسید آندی آلومینیوم به صورت آلیاژی می باشد. این آلیاژ حافظه دار مغناطیسی است و سنتز آن به صورت نانوسیم برای اولین بار می تواند راهگشای کاربردهایnems باشد. به همین منظور ابتدا رسوب دهی آلیاژ نیکل-منگنز بهینه شده و سپس گالیوم به سیستم رسوب دهی اضافه گردید. تاثیر پارامتر های رسوب دهی مثل دانسیته جریان، غلظت نمک ها و ph...

که این آلیاژهای حافظه دار شکلی به دلیل خواص گوناگونی نظیر سوپرالاستیسیته مغناطیسی، مگنتو مقاومت بزرگ، اثر مگنتوکالریک معکوس و اثر حافظه داری شکلی توجه زیادی را جلب کرده اند. در این پژوهش خواص ساختاری و مغناطیسی آلیاژ حافظه دار ni43mn41co5sn11 مورد بررسی قرار گرفته است. این آلیاژ به عنوان نوعی آلیاژ هسلر شناخته می شود که انتقال فاز از آستنیت با ساختار مکعبی به فاز مارتنزیت با ساختار اورتورومبیک...

     امروزه مواد مغناطیسی نرم همچون آلیاژهای نانوساختار و آمورف به­دلیل خواص منحصر به فرد فیزیکی، مکانیکی و مغناطیسی بسیار مورد توجه قرار گرفته­­اند. در سال­های اخیر، آلیاژهای آمورف پایه آهن  به دلیل خواص مغناطیسی عالی درکنار هزینه نسبتا پایین گسترش زیادی یافته­اند. در این تحقیق، تاثیر زمان آسیاکاری بر روی میکروساختار آلیاژ Fe-C-Ta تولید شده به­روش آلیاژسازی مکانیکی بررسی شد. همچنین، امکان تشکی...

در این پروژه رفتارهای آلیاژ حافظه دار فرومغناطیسی نیکل- منگنز-گالیم به صورت تجربی مورد بررسی قرار گرفته است. برای این منظور دو تجهیز جانبی (تجهیز اعمال میدان مغناطیسی ثابت و تجهیز اعمال تنش فشاری ثابت) طراحی و ساخته شده است. نمونه تک کریستال نیکل- منگنز-گالیم با ساختار 5m تحت بارگذاری های شبه استاتیکی قرار گرفت. یک دسته از آزمایش هایی که انجام شده است، به منظور بررسی رفتار تنش-کرنش آلیاژ در مید...