* نسيون لوئسم هد : نارهت ، و تمه عطاقت هاگشناد ،نارمچ ،يكــ شزپ هدكشــ ناد ،نارــ يا يكــ شزپ موــ لع هاگشــ يامزآ يميشويب نفلت : 88058742 email: [email protected] فده و هنيمز : ياهديسا رد هنيمآ تظلغ مسيناگراوركيم دشر رب يتوافتم تارثا فلتخم ياه يمامت دننامه و دنراد اه يتظلغ رد داوم صاخ دشر يارب مسيناگراوركيم تظلغ رد اما مزلا يم يمس رتلااب ياه دنشاب . عون هب هتسب ريداقم نيا دوب ده...

كچ ي هد فده و هقباس : ي ک ي طقس زورب للع زا اه ي ،ررکم ا لماوع تلاخد ي ژولونوم ي ک ا رد ي ن قم طققس عون ي وراد دقشاب ي س ي روپسولک ي ،ن ح لدم رد طقس شهاک بجوم ي ناو ي CBA/j×DBA/2 م ي تنآ ددرگ ي داب ي اه ي ان و راققتم TGF-β لماوع زا عت مهم يي ن گلماح تشونرس هدننک ي سررب روظنم هب رضاح هعلاطم تسا ي ات ث ي ر اس ي روپسولک ي ن م رب ي از ا ي ن تنآ عون ي داب ي س و اه ي اکوت ي ن TGF...

Ž . Ti,Al NrMo multilayered hard coatings have been designed to fulfil future applications concerning wear-prevention on tool steels. They have been deposited by reactive dc magnetron sputtering on high-speed steel substrates with modulation periods Ž . Ž . between 6.5 and 8 nm. Experimental X-ray diffraction XRD , Rutherford backscattering spectrometry RBS and computational modelling of those ...

AlN thin films have been grown on R((1-12) surface-cut)-Al2O3, SiO2-glass and C((001) surface-cut)-Al2O3 substrates, by using a reactive-RF-sputter-deposition method. X-ray diffraction (XRD) shows that AlN film has (110) orientation of wurtzite crystal structure for R-Al2O3 and (001) orientation for SiO2-glass and C-Al2O3 substrates. The film thickness was analyzed by Rutherford backscattering ...

شور و داوم اه : 35 عون يتبايد 2 نس اب 9 ± 54 لاس ) درم و نز ( دروم روكوس ود ينيلاب يئامزآ راك دراو و باختنا يدهاش 2 دندش ههام . دعب هرود زا 2 هتفه ناراميب ،نپوكيل يئاذغ عبانم فرصم عنم اب يزاسكاپ يا 8 هتفه نپوكيل لمكم هدننك تفايرد هورگ ود هب ) mg/d 10 ) ( 16 = n ( اي وبسلاپ ) 19 = n ( دندش ميسقت . رد هك دش هداد شزومآ ناراميب هب دنهدن رييغت ار دوخ يندب تيلاعف و يئاذغ ميژر ناكمالاا يت...

لمعتست ةديدج طوطخ ريوطتل ساسلأا ثحبلا اذه عضي ةلصفنم فورحب ةيبرعلا صوصنلا ةباتآ يف . طوطخلا هذه دعاست ىلع ،بتكلا ةعابط يف لمعتست نأ نكميو تادنتسملل يللآا مهفلا و ،دئارجلا و ىرخلأا داوملا لآ و ،تايرودلا ةعوبطملا . طوطخلا هذه لثم جاتنإ دنع يه امآ ىقبت ةيبرعلا ةباتكلل ىرخلأا صئاصخلا لآ نإف عبطلابو . و رورملاب ةلصفنم فورحب ةيبرعلا صوصنلا ةباتكل انتوعد معدت ةيوق ةجح مدقن هتأشن ذنم يبرعلا طخلل ثدح ...

1 لوئسم هدنسیون : ناریا ،نارهت ،نارهت هاگشناد ،یمیش یسدنهم هدکشناد ،يژولونکتویب هورگ ،رایشناد . یکینورتکلا تسپ : [email protected] 2 ناریا ،يراس ،ناردنزام تاقیقحت و مولع یملاسا دازآ هاگشناد ،ییاذغ عیانص و مولع هدکشناد ،دشرا سانشراک . 3 ناریا ،نارهت ،نارهت هاگشناد ،یمیش یسدنهم هدکشناد ،يژولونکتویب هورگ ،دشرا سانشراک . 4 و مولع یملاسا دازآ هاگشناد ،یمیش هدکشناد ،رایداتسا ناریا ،يراس ،نار...

Germanium–tin (GeSn) alloys at sufficiently high Sn concentration, above several atomic percent, are the only group IV semiconductor exhibiting a direct bandgap and have generated much recent interest for optoelectronic applications into mid-infrared region. Because large lattice mismatch between GeSn Si results in considerable strain thin layers defect density thicker strain-relaxed layers, mo...

تعمج تانايبلا . ةيجهنم ةعجارم تناك ةساردلا هذه :هقیرطلا و ةصالخا تاملكلا لامعتساو تانايبلا ةدعاق يف ثحبلا للاخ نم زجالحا " :یتلاا تناك ةصالخا تاملكلا .ثحبلا یف قمعتلا ريياعلما . " ةطبثلما لماوعلا " و "ءاسنلل ةدلاولا لبق ةياعرلا " لوصو" ٬" یف قمعتلا وةساردلا دعب .OR ،AND تناك ةيقطنلما لماوعلا تلااقم تددحو تضفر ةطبارتم ريغ تلااقم ، هفلتخلما تلااقلما تلااقلما رايتخلاا رايعم .تلااقلما لذل اصخلم اها...