نتایج جستجو برای: گیت فرورفته
تعداد نتایج: 567 فیلتر نتایج به سال:
هدف تحقیق: توصیف آماری جامعه ورزشکار تیمهای ملی(در 9 رشته ورزشی) از نظر میزان شیوع عوارض پانزده گانه(کج گردنی، شانه افتاده، کجی ستون فقرات چرخش جانبی لگن خاصره، پای پرانتز، پای ضربدری، انحراف مچ پا به داخل، گردن به جلو، شانه گرد، سینه فرورفته، انحراف تنه، گودی کمر، برآمدگی شکم، کف پای صاف ، پشت گرد) . - بررسی همبستگی عوارض مذکور با عواملی چون، رشته های ورزشی، میزان ساعات پرداختن به فعالیت های و...
افزایش تعداد ترانزیستور های به کار رفته در ریزپردازنده ها، باعث شده که گیت دی الکتریک دی اکسیدسیلیکون برخلاف کوچک شدن از 100 نانومتر به 2/1نانومتر نمی تواند نیاز آینده ترانزیستورها را برآورده کند. بنابراین یک جایگزین مناسب که دارای ثابت دی الکتریک بالا بوده و مشکلات دی اکسید سیلیکون مانند افزایش جریان نشتی، جریان تونل زنی و نفوذ بور را نداشته باشد لازم و ضروری است. تیتانیا یا دی اکسید تیتانیوم...
در سال های اخیر ضخامت گیت دی اکسید سیلیکون در تکنولوژی CMOSبه کمتر از دو نانومتر رسیده است. این تمایل بی سابقه به کوچککردن ترانزیستور ها، علاوه بر مزایای فراوان تکنولوژیکی، مشکلاتیهمچون افزایش تونل زنی کوانتومی، افزایش جریان نشتی و نفوذ اتمبور از گیت دی الکتریک فرانازک را به همراه داشته است مواد نانوکامپوزیت هیبریدی آلی به خاطر ویژگی های خوب الکتریکی همچون جریان نشتی پایین و ثابتدی الکتریک بالا...
در کالبدگشایی یک رأس بز ماده پنج ساله از نژاد بومی، یک توده توموری در کبد مشاهده گردید. از نظر ظاهری این توده بزرگ و منفرد با اندازه تقریبی 11 سانتی متر ،رنگ پریده با مرکز فرورفته و لبه های نامنظم بود. بررسی هیستوپاتولوژیک ، مجاری و ساختمانهای غده مانند را همراه با استرومای همبندی فراوان آشکار ساخت. وجود سلولهای تولید کننده موسین و ترشحات داخل سینوزوئیدی نشان داد که منشأ این تومور از مجاری صفرا...
در سال های اخیر ضخامت گیت دی الکتریک اکسید سیلیکون در تکنولوژی مکمل فلز- اکسید- نیمه رسانا (cmos)، به کم تر از 2 نانومتر رسیده است. مسائلی هم چون افزایش تونل زنی کوانتومی، افزایش جریان نشتی و نفوذ اتم بور از گیت دی الکتریک فرا نازک اکسید سیلیکون از نگرانی های عمده برای کاهش ضخامت گیت دی الکتریک می باشند. بنابراین باید به دنبال جایگزینی برای گیت دی الکتریک اکسید سیلیکون باشیم. اخیرا مواد کامپوزی...
شایع ترین عامل به وجود آورنده جریان غیر ماندگار، باز و بسته کردن شیرهای قطع و وصل جریان است. این عمل باعث انتشار امواج فشاری در سیستم میشود. شدت امواج فشاری به عواملی از قبیل نوع شیر، سرعت باز و بسته شدن شیر، هیدرولیک سیستم و خواص الاستیکی لولهها بستگی دارد. یکی از مکانهایی که محاسبه ضربه قوچ در آن دارای اهمیت میباشد، سیستم انتقال آب نیروگاههای برقابی است. اگر در زمان بهرهبرداری از نیروگ...
طرح vcsoa ها نقاط اشتراک زیادی با طرح soa های fabry – perot در یک صفحه ، vcsel ها و فیلترهای fp دارد. سالهای زیادی است که این دستگاه¬ها مورد مطالعه قرار می¬گیرند]11-13[. تا حال مدل¬های تئوری که ساخته شده¬اند، اساس محکمی را برای ساخت تئوری vcsoa فراهم می¬کنند. طرح-هایی که در این فصل برای vcsoa ها پیشنهاد می¬گردد، تا حدود زیادی به طراحی ارائه شده در ussb برای vcsel های قبلی است. اولین مقاله تئوری...
درهمتنیدگی و ناهمخوانی کوانتومی دو نوع مهم همبستگی کوانتومی هستند که بیشتر محاسبات کوانتومی بر پایه ی آن ها می باشد. ناهمخوانی کوانتومی مفهومی کلی تر از درهمتنیدگی است چراکه ناهمخوانی برای بعضی حالت های جداپذیر با درهمتنیدگی صفر می تواند وجود داشته باشد. این همبستگی های کوانتومی نقش بسزایی در افزایش سرعت انتقال اطلاعات در سیستم های کوانتومی ایفا می کنند. ما در این پایان نامه گیت های کوانتومی ای...
عملیات های منطقی یکی از موضوعات اساسی در ساختار کامپیوترهای امروزی هستند. امروزه، علاقه زیادی به گسترش روش های جایگزین برای بدست آوردن گیت های منطقی، بوسیله محاسبات آشوبناک وجود دارد. در این پایان نامه، روش اجرای جدیدی برای گیت های منطقی با قابلیت پیکربندی مجدد با استفاده از خانواده ای از نگاشت های آشوبناک یک متغیره ارائه شده است. به دلیل ویژگی منحصر به فرد این خانواده می توان ولتاژ پایه یکسانی...
چکیده در این پایان نامه برای محاسبه مشخصه جریان-ولتاژ، ابتدا با در نظرگرفتن اثر طول گیت (lg)، معادلات حل شده اند و از صحت و درستی آنها در مقایسه با مقالات و داده های موجود اطمینان حاصل شده، سپس یک مدل جدید تحلیلی برای بررسی مشخصه ولتاژ-جریان ترانزیستورهای اثر میدانی با ساختار نامتجانسalgan/gan ارائه گردیده و فرض شده که در آن پتانسیل کانال در نواحی بدون گیت به طور خطی و تدریجی تغییر می کند. با...
نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال
با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید