محدودیت های عملکرد ذاتی ترانزیستورهایsi در دماها و توان های بالا انگیزه اصلی گرایش به سمت نیمه هادی هایی با شکاف انرژی بالا نظیر sic و gan بوده است. در بسیاری از کاربردها از قبیل کاربردهای نظامی و رادار لازم است مدارهایی با قابلیت های پهن باند مورد استفاده قرار گیرند. طراحی تقویت کننده های توان با کارایی بالا مهم ترین مساله ای ایست که در طراحی فرستنده ها باید مورد توجه قرار گیرد. در سال های اخ...

اگر به بررسی موبیلیتی (µ) در ترانزیستورهای لایه نازک آلی در سال های اخیر بپردازیم یک روند افزایشی را در آن به سه دلیل (1-ترکیب نیمه هادی های آلی جدید 2-اتصالات سورس ودرین وشکل بندی کلی ترانزیستور بهینه شده است 3-پارامترهای لایه رسوب شده نیمه هادی آلی بهینه شده اند) مشاهده می کنیم که ما نیز جهت رسیدن به موبیلیتی قابل قبول تحت ولتاژاعمالی گیت پایین روی آنها تمرکز می کنیم. مثلاٌ pentance یکی از عمد...

در این پایان نامه به مدل سازی اثرات کانال کوتاه در ماسفت های دوگیتی با گیت دو ماده ای پرداخته شده است. یک مدل دو بعدی برای پتانسیل کانال با استفاده از ترکیبی از روش های مد ناپایدار و روش تقریب چند جمله ای استخراج شده است. با استفاده از روش مد ناپایدار پتانسیل کانال به صورت مجموع پتانسیل یک بعدی برای حالت کانال بلند و تغییرات دو بعدی پتانسیل برای در نظر گرفتن کوتاه شدن کانال بیان شده است. تغییرا...

رشد فزاینده ی تعداد قطعات الکترونیکی نظیر ترانزیستورهای اثر میدانی که به ماسفت معروف هستند در هر تراشه که به ازای هر 18 ماه مطابق قانون مور[1] به دو برابر می رسد و نیز کاهش تابع نمایی اندازه ی این قطعات باعث شده است تا اکسیدهای فرانازک سیلیکونی که به عنوان گیت دی الکتریک ترانزیستورهای اثر میدانی امروزی هستند کارآیی قابل قبولی را در قطعات نداشته باشد و باعث از دست رفتن کنترل جریان در چاه نانو تر...

در ترانزیستورهای فلز-اکسید-نیمه رسانای مکمل (cmos) ضخامت گیت اکسید سیلیکون 1 تا 2 نانومتر است. کاهش ضخامت به 1 نانومتر برای تولیدات آتی این ترانزیستورها سبب افزایش جریان تونلی و همچنین جریان نشتی می گردد. از جمله مواد مناسب اکسید هافنیوم است که ثابت دی الکتریک بالایی دارد، گاف نواری آن پهن بوده و در تماس با زیرلایه سیلیکونی دارای تعادل حرارتی است. در کار حاضر فرایندهایی در جهت سنتز hfo2 به کار ...

پیشگویی مور، یک مقدار تخمینی از مقیاس گذاری است که به پیشگویی کام بخش تبدیل شده است که رشد نمایی صنعت نیمه رسانا و ترانزیستور اثر میدان فلز- اکسید- نیمه رسانا (mosfet) را از چهار دهه پیش سبب شده است. هم سوی پیشگویی مور، توسعه-های آتی صنعت نیازمند نانو ترانزیستورهایی با گیت اکسید با ثابت دی الکتریک بالا و انرژی گاف نواری بزرگ تر برای جایگزین کردن اکسید سیلیکون است. در کار حاضر، ما یک سری از آزما...

در این رساله به تحلیل و بررسی افزاره های قدرت به ویژه ترانزیستور ldmos پرداخته شد. این افزاره ها می توانند در تکنولوژی سیلیسیم روی عایق نیز شکل گیرند. این تکنولوژی مزایای بسیاری از جمله کاهش جریان های نشتی، ایزولاسیون بهتر میان افزاره ها، کاهش خازن های پراکندگی و سایر موارد را داراست. ساختارهای مختلفی نیز در گذشته برای بهبود مشخصات ترانزیستورهای ldmos که در تکنولوژی سیلیسیم روی عایق شکل گرفته ش...

چکیده ندارد.

دراین پایان نامه یک ترانزیستور فلز – نیمه هادی (مسفت ) بر روی عایق با ساختاری نوین پیشنهاد شدهاست. تلاش ها در راستای کاهش تجمع میدان الکتریکی در لبه ی گیت در طرف درین بوده است. توزیع بار در ساختار پیشنهادی نسبت به ساختار مرسوم در کانال بهبود نسبی یافته و این امر به وسیله کاهش تجمع میدان الکتریکی در لبه ی گیت در جانب درین رخ داده است، در نتیجه ولتاژ شکست به شکل ملموسی بهبود یافته است. به منظور ک...

تاثیر مهندسی کانال و نواحی کناری بر کارکرد فرکانسی و سوییچینگ ترانزیستور نانوتیوب کربنی و ماسفت سیلیکنی دو گیتی مطالعه گردیده است. پارامترهای عملکرد مانند فرکانس قطع، سرعت سوییچینگ، مشخصه دوقطبی و نسبت جریان حالت روشن به خاموش محاسبه و بهینه سازی شده اند. به دلیل ایجاد رفتار الکترواستاتیکی مطلوب، اتصالات سورس و درین یک بعدی مورد استفاده قرار گرفته است. کاهش فرکانس قطع در اثر نفوذ تابع موج در اک...