در این پایان نامه ویژگی های برخی نانولایه ها بر مبنای نظریه تابعی چگالی با استفاده از روش امواج تخت بهبود یافته خطی بعلاوه اوربیتال های موضعی (apw+lo) با کد محاسباتی وین بررسی می شود. نخست در این پایان نامه ویژگی های ساختاری، الکترونی و مغناطیسی تنگستن (w)، دیسپوروسیوم (dy) و agbr مطالعه می شود. دستگاه هایی که دارای اوربیتال های d و f در حال پرشدن می باشند، جزء دستگاه های همبسته قوی به شمار می...

در این پایان نامه پوشش های نانوساختار نیکل فسفر با روش الکترولس بر روی زیر لایه آلومینیومی تهیه گردید. با استفاده از خاصیت فوتورفلکتنس و مدولاسیون طول موجی طیف بازتاب نمونه ها گاف نواری نمونه ها محاسبه شده و عوامل موثر بر مقدار گاف نواری مانند سونش مورد بررسی قرارگرفت. برای به دست آوردن ثوابت اپتیکی پوشش ها شامل ضریب شکست و ضریب خاموشی از روش بیضی سنجی استفاده شد. همچنین چگالی پکیدگی نمونه ها ن...

در این پروژه خواص الکترونیکی و اپتیکی ترکیب cugase2 و ترکیب هایی با جانشینی ag و au به جای cu در ترکیب نامبرده مورد بررسی قرار گرفته است. محاسبات با تقریب شیب تعمیم یافته(gga) در چارچوب نظریه ی تابعی چگالی (dft)انجام شده است. محاسبات الکترونیکی نشان می دهند که ترکیب هایcugase2، aggase2و augase2 دارای گاف های نواری غیرمستقیم با مقادیر به ترتیب 23/1، 4/1 و 87/0 الکترون ولت هستند که این مقادیر ب...

ترکیبات pbse و pbs نیمرساناهایی با گاف نواری باریک می باشند و به صورت تجاری مورد استفاده قرار می گیرند. نقاط کوانتومی نیمرسانای iv-vi مثل pbse به علت شعاع بوهر بزرگ شان، محبوس شدگی کوانتومی قوی و خواص نوری منحصربه فردی دارند. به همین دلیل، این ماده برای کاربرد در حوزه های مختلف نوری و الکتریکی، از جمله ساخت ادوات فوتونیکی مثل آشکارسازهای نوری، مناسب است. با توجه به اینکه خواص نوری این نانوبلوره...

چکیده ندارد.

بلورهای فوتونیکی ساختارهایی از مواد دی الکتریک هستند، که ضریب شکست در آن ها به صورت تناوبی تغییر می کند. از این ساختارها می توان در قسمت های اصلی وسیله های کنترل نور استفاده نمود، برای این منظور به بلور فوتونیکی دو بعدی از ستون های دی الکتریک مثلاً gaas نیازمندیم، با ایجاد نقصی در این بلور به عنوان مثال با حذف سه ستون در یک امتداد می توان یک کاواک l3 ایجاد نمود. نقص l3 اولین نوع از کاواک های بلو...

خواص الکترونی تیتانات کلسیم catio3 در فازهای پارالکتریک و فروالکتریک به طور نظری با استفاده از اصول اولیه نظریه تابعی چگالی dft هوهنبرگ – کوهن - شم مورد مطالعه و بررسی قرار گرفته است. نتایج فاز پاراالکتریک یک گاف نواری غیر مستقیم در حدود 2ev در راستای γ- r و پیوندی قوی بین تراز 3d تیتان با اربیتالهای 2p اکسیژن در نوار ظرفیت را نشان می دهد. مطالعات فاز فروالکتریکی آن یک گاف نواری مستقیم در نقطه ...

در این کار تجربی فیلم‏های نازک اکسید وانادیم آلاییده شده با مولیبدن با روش سل-ژل و با حل کردن پودر v2o5 در آب اکسیژنه 15%)) تهیه شدند. پودر آمونیوم هپتامولیبدیت تترا‏هیدرات در مقداری آب مقطر حل شد و با محاسبه مقادیر آلاینده به سل اضافه شد و در نهایت سل قرمز- قهوه‏ای رنگی شکل گرفت. فیلم‏های نازک اکسید وانادیم آلاییده شده با مولیبدن در محیط‏های متفاوت تحت اتمسفر، گاز نیتروژن، اکسیژن و آرگون در دم...

نمونه هایی از فیلم های نازک اکسید روی آلاییده با تیتانیم رشد داده شده بر روی زیر لایه (0001) با استفاده از روش لایه نشانی با لیزر پالسی تهیه شد. با اندازه گیری مغناطش این نمونه ها توسط اسکویید مگنتومتر، نتیجه شد که نمونه ها در دمای اتاق فرو مغناطیس است. با استفاده از اثرمگنتو اپتیکی فارادی زاویه چرخش فاراده و mcd را به صورت تابعی از انرژی در فاصله 4- 5/1 الکترون ولت و همچنین چگالی حامل های هر ی...

ساختار مس گونه cis به عنوان ماده جاذب برای سلول های خورشیدی لایه نازک کاربرد تجاری گسترده ای دارد. در این تحقیق روش ساخت لایه نازک ‎ cis ‎و cigs به روش الکتروشیمیایی توضیح داده شده است. ابتدا لایه های ‎ci ‎ و cig با استفاده از روش آبکاری الکتریکی لایه نشانی شده اند سپس نمونه ها در کوره تحت دمای 470‎ درجه سانتی گراد سلنیوم دار شده اند. این فرایند بر روی بستری از شیشه های ‎soda-lime ‎ که مولیبدن ...