در این مقاله در رهیافت تنگابست و به روش تابع گرین، ویژگی های ترابرد اسپینی در یک نانونوار سیلیسینی زیگزاگ که به دو الکترود نیم نامتناهی فلزی متصل شده است را در حضور میدان های الکتریکی، تبادلی و بی نظمی بررسی می نماییم. محاسبات ما نشان می دهد که در حضور میدان الکتریکی عمود بر ورقه سیلیسین و بی نظمی، گذار فاز فلز- نیم‌رسانا در سامانه رخ می دهد. همچنین با تغییر پهنایی از نوار که میدان الکتریکی به ...

در این مقاله، خواص الکترونی و اپتیکی سه نمونه از جدیدترین ساختارهای پنج ضلعی تک لایه شامل C4B2، C2B4 و C2N4 بر مبنای نظریۀ تابعی چگالی (DFT) و با اجرای کد محاسباتی Wien2k مورد مطالعه قرار گرفته است. در بخش خواص الکترونی، با رسم ساختار نواری و منحنی های چگالی حالت های کلی و جزئی، این نتایج حاصل شد که این ساختارها از نظر الکترونی، به ترتیب با داشتن گاف انرژی ای در حدود 0.2، 1.2 و 3.1 الکترون-ولت ...

Renewable energy research has created a push for new materials one of the most attractive material in this field is quantum confined hybrid silicon nano-structures (nc-Si:H) embedded in hydrogenated amorphous silicon (a-Si:H). The essential step for this investigation is studying a-Si and its ability to produce quantum confinement (QC) in nc-Si: H. Increasing the gap of a-Si system causes solar...

ما جفت شدگی موج d را نزدیک تشدید فشباخ بررسی خواهیم کرد. با استفاده از پتانسیل نوزیرز و اشمیت ـ رینک که دامنه پراکندگی انرژی ـ پایین دو جسمی را ایجاد می کند با کمینه سازی انرژی به پاسخ تحلیلی معادله گاف و حالت زمینه در دمایt=0  خواهیم رسید.

در این پژوهش به بررسی اثر گاف انرژی و پارامترهای ساختاری بر رسانندگی گرافین دولایه می پردازیم. با قرار دادن یک لایه گرافین بر روی گرافین تک لایه، گرافین دولایه، سیستمی متفاوت با خواص قابل تغییر، تشکیل می شود. یکی از جالب ترین خواص گرافین دولایه گاف انرژی قابل تغییر آن است. این گاف با اعمال بایاس بین دو لایه یا داپینگ یکی از لایه ها ایجاد می شود که منجر به اختلاف پتانسیل بین دولایه می گردد. سی...

در این مقاله به سنتز و مشخصه یابی خصوصیات نانوساختاری یکی از نیمه هادی های مهم حسگری که در موضوع آشکارسازی، تشخیص و شناسایی کارایی بالایی دارد، پرداخته شده است. در این تحقیق با استفاده از روش شیمی تر و به کارگیری یک عامل مهارکننده )2- مرکاپتواتانول(، نانوذرات سولفید سرب سنتز گردید. بررسی خواصی از قبیل ساختار بلوری، اپتیکی، مورفولوژی (شکل) و اندازه نانو ذرات سولفید سرب توسط پراش اشعه x، اسپکتروس...

دراین پایان نامه نانوذراتروی اکسید دوپه شده با b وga به روش سولوترمال ونانوذرات سرب سلنید به روش های تجزیه حرارتی سنتز و با تغییر لیگاندهای مختلف بدست آمده اند. نانوذراتبا آنالیز xrd، طیف سنجی uv و pl مشخصه یابی شده، وموفولوژی آن ها توسط تصاویر sem و afm تعیین شد. مورفولوژی ذرات سنتز شده صورت نانوذره بوده که این نانوذراتدر نواحی مربوطه جذب خوبی را نشان می دهند. نانوذراتسنتز شده به روش سونوشیمی ...

استفاده از انرژی خورشید به عنوان یک منبع رایگان، در دسترس و نامحدود، منجر به ساخت سلول های خورشیدی شده است. سلول ­های خورشیدی متداول که با مواد نیمه هادی مانند سیلیسیم یا ژرمانیوم ساخته می شوند علیرغم بازده خوب دارای هزینه بالایی هستند. از این رو نسل جدیدی از سلول های خورشیدی با عنوان سلول خورشیدی رنگدانه ای مورد توجه قرار گرفته است. جذب نور در این سلول ها توسط یک ماده ی رنگی صورت می پذیرد و سب...

در این پژوهش، نانوذرات اکسید تیتانیوم آلاییده با آهن در غلظت مولی Fe/Ti از 1 تا 10% و دمای بازپخت 400 تا oC800 توسط طیف سنجی پراش اشعه x ، تصویربرداری میکروسکوپ الکترونی تراگسیلی (TEM) و طیف سنجی بازتاب پخشی (DRS) مورد مطالعه قرار گرفت. اندازه نانوذرات سنتز شده با استفاده از تصویربرداری میکروسکوپ الکترونی تراگسیلی از 6 تا nm 100 تخمین زده شد. مطالعات اپتیکی طیف سنجی بازتاب پخشی نشان داد که آلای...

وابستگی دمایی مغناطو - اپتیکی و مغناطو - رسانش نوری در بازه 200 تا 300 کلوین اندازه گیری شده است. یخچال اپتیکی مورد اندازه گیری ساخت آزمایشگاه محلی است. برای این نمونه، گاف انرژی اندازه گیری شده در دمای اتاق ev 2.211 به دست آمد. ضریب دمایی گاف انرژی اندازه گیری شده با روش جذب نوری ev/k -5.48×10-4 و با اندازه گیری رسانش نوری ev/k -4.90×10-4 به دست آمد. اندازه گیری ضریب میدان مغناطیسی گاف انرژی ن...