در این مقاله با استفاده از روش تابع گرین در رهیافت تنگ بست و رژیم پاسخ خطی، به مطالعه ی رسانش الکتریکی یک نانوسیم شامل اتم های سطحی مرتعش که بین دو هادی صلب ساده قرار گرفته است، پرداخته ایم. با بهره گیری از فضای فوک، اثر برهمکنش الکترون ـ فونون را در ضریب عبور الکترونی مورد بررسی قرار داده ایم. نتایج نشان می دهد که مکان قله های تشدیدی رسانش با افزایش قدرت برهمکنش الکترون ـ فونون به سمت انرژی ها...

در این مقاله با اتصال دو زنجیرۀ اتمی یک نواخت به اتم­های دو جای گاه متقابل نانونوارهای گرافن به بررسی رسانش الکترونی و گاف انرژی آن می پردازیم. محاسبات به کمک روش تابع گرین و رهیافت بستگی قوی در تقریب همسایۀ اول انجام می­شود. بررسی منحنی­های رسانش بر حسب انرژی الکترون ورودی نشان می دهد که برای یک نانونوار زیگزاگ گرافن به عرض یک حلقۀ بنزنی هیچ گافی در نوار انرژی سامانه وجود ندارد، در حالی که در ...

چکیده سابقه و هدف: با توجه به موارد استفاده و کاربرد وسیع پمپ های تزریق سرم و سرنگ و عوارض شناخته شده عملکرد نامطلوب آنها و عدم اطلاع از وضعیت آن در بیمارستان های وابسته به دانشگاه متبوع و به منظور بررسی عملکرد این پمپ ها، این تحقیق در سال 1393 انجام شد. مواد و روش ها: تحقیق به روش توصیفی انجام گرفت. کلیه مراکز دارای بخش­های ccu، icu وnicu که در زمان بررسی 10 مرکز بودند، بررسی شدند. عملکرد پمپ­...

د در این مقاله، در رهیافتِ تنگ­بست و به روش تابعِ گرین به محاسبۀ رسانش و عدد اِشغالِ الکترونی یک مولکول بنزن پرداخته ایم، که به­صورتِ اتّصال­های اُرتو، مِتا و پارا به دو هادی فلزّی ساده متّصل شده است. اثرِ عواملی همچون محل اتّصالِ هادی ها، قدرتِ دوپارش و اِعمالِ ولتاژ، را روی مقدارِعدد اِشغالِ الکترونی در مسیرهای ممکنِ عبورِ الکترون بررسی کرده­ایم. نتایجِ محاسبات حسّاسّیتِ نسبتاً زیاد مقدارِ عدد اِشغال را به این عوامل نشا...

محاسبه ضریب هال در رهیافت نیمه کلاسیک نیاز به مشتق های اول و دوم انرژی در نزدیک سطح فرمی دارد. بدین منظور ما از توابع وانیر بیشینه-جایگزیده استفاده می کنیم و ویژه مقادیر انرژی و مشتقات آنها را در پایه این توابع، در هر نقطه اختیاری k در فضای وارون، به دست می آوریم. در این کار توابع وانیر بیشینه - جایگزیده را برای فلزات مکعبی pb ، pd ، li ، cu ، au ، ag و al محاسبه کردیم. سپس با استفاده از آنها ر...

در این تحقیق با استفاده از فرمول بندی تابع گرین و رابطه لانداور-بوتیکر به بررسی رسانش و پدیده مغناطومقاومت در مولکول پلی تیوفن می پردازیم و اثرات برهمکنش الکترون-فونون، الکترون-الکترون و حضور میدان الکتریکی ناشی از ولتاژ اعمالی را بر روی خواص رسانندگی بررسی خواهیم کرد. مولکول پلی تیوفن در این تحقیق به وسیله هامیلتونی سو-شریفر-هگر توصیف میشود و الکترودها در تقریب باند پهن بررسی میشوند. بر اساس ن...

پس از آنکه در سال 2004 تک لایه دو بعدی گرافین در آزمایشگاه ساخته شد، توجه دانشمندان به بررسی ویژگی های این ماده معطوف گردید. القای خواص ابررسانایی و فرومغناطیسی بوسیله اثر مجاورت در گرافین، موجب شد تا زمینه ی مناسبی برای مطالعه ویژگی های ترابردی اتصالات پایه-گرافینی شامل ابررسانا، فرومغناطیس و عادی (گرافین در حالت عادی) پدید آید. هم چنین مقاومت مغناطیسی غول آسا، gmr، پدیده دیگری است که کشف آن د...

در این مقاله رسانش اسپینی گرافین گاف دار را محاسبه و نحوه تغییرات آن را با پارامتر های مختلفی از جمله مغناطش، اندرکنش کولنی و گاف انرژی بررسی می کنیم. برای هامیلتونی سیستم از مدل هابارد استفاده می کنیم. در دو وضعیت رسانندگی را به دست می آوریم. یکی بدون در نظر گرفتن اندرکنش کولنی بین الکترون ها و دیگری با حضور اندرکنش کولنی بین الکترون ها. می بینیم که در حالت غیر اندرکنشی با افزایش مغناطش و گاف ...

سیکل تبرید اجکتوری، نسبت به سیکل تراکمی، دارای مزایایی چون قابلیت استفاده از منابع گرمایی با کیفیت پایین (مانند حرارت بازیافتی در فرایندهای صنعتی، انرژی خورشیدی)، کاهش انتشار آلاینده ها، نداشتن قسمت متحرک (به جز یک پمپ)، عمر طولانی، قابلیت اعتماد بالا، هزینه تعمیر و نگهداری کم، کاسته شدن صدا و ارتعاشات ناشی از حذف کمپرسور و صرفه جویی در مصرف انرژی الکتریکی، می باشد. اما ضریب عملکرد این سیستم پا...

سیکل تبرید اجکتوری، نسبت به سیکل تراکمی، دارای مزایایی چون قابلیت استفاده از منابع گرمایی با کیفیت پایین (مانند حرارت بازیافتی در فرایندهای صنعتی، انرژی خورشیدی)، کاهش انتشار آلاینده‌ها، نداشتن قسمت متحرک (به جز یک پمپ)، عمر طولانی، قابلیت اعتماد بالا، هزینة تعمیر و نگهداری کم، کاسته‌شدن صدا و ارتعاشات ناشی از حذف کمپرسور و صرفه‌جویی در مصرف انرژی الکتریکی، می‌باشد. اما ضریب عملکرد این سیستم پا...