در این پایان نامه تابش ترمزی نسبیتی در حضور دی الکتریک تراوا بررسی می شود. فوتون و الکترون توسط میدانهای کوانتومی توصیف می شوند. برای توصیف فوتون، میدان الکترومغناطیسی در حضور دی الکتریک تراوا کوانتیزه و برای توصیف الکترون از کوانتش مرتبه دوم معادله دیراک بهره گرفته می شود. نتایج تابش ترمزی در حضور دی الکتریک تراوا با نتایج تابش ترمزی در فضای تهی مقایسه می شود. این مسأله هنگامی که محیط دارای ضر...

در این پایان نامه تأثیر مواد با ضریب شکست منفی روی پهنا و تعداد نوارهای گاف در بلورهای فوتونی دو بعدی مورد بررسی قرار گرفته است. با حل معادله ی ماکسول در دو بعد و استفاده از روش بسط موج تخت نوارهای گاف و مدهای مجاز به دست می آیند. با استفاده از نرم افزار مطلب نمودارهای پاشندگی و چگالی حالت را برای هر دو مد tm و te برای شش ساختار خاص رسم شده اند. ساختارها از استوانه های هم مرکز در زمینه ای مرب...

قالب سازی برای شارش مناسب نور در مقیاس طول موج آن، چالش بزرگ بحث بلورهای فوتونی می باشد. موجبرهای بلور های فوتونی معمولا با ایجاد نقص های خطی بدست می آید، مشروط بر این که بلور فوتونی در فرکانس مورد نظر دارای گاف باند فوتونی باشد. اخیرا، با معرفی بلورهای فوتونی مدرج فرآیند موجبری بدون نیاز به ایجاد نقص داخل ساختار انجام شده است. این بلورها به وسیله ی ایجاد تغییرات تدریجی در پارامترهای بلور فوتون...

در کار حاضر، رفتار هیدرودینامیکی جت سیال با و بدون اعمال میدان الکتریکی مطالعه شده و اثر شدت و جهت اعمال میدان الکتریکی بر ناپایداری و شکست جت به روش تجربی مورد بررسی قرار گرفته است. نتایج به‌دست آمده نشان می‌دهند که در جت‌های آزادی که فقط تحت تاثیر گرانش می‌باشند، مشخصات جت سیال وابسته به عدد رینولدز است؛ در این نوع جت‌ها، قطر متوسط جت و طول شکست آن با عدد رینولدز رابطه‌ی مستقیم دارد. اعمال می...

در این تحقیق، نانوپودر سرامیکی pb(zr1-xtix)o3 به ازای x =0/48، در نزدیکی مرز مورفوتروپیک، به دو روش همرسوبی و احتراق ژل تهیه شدند. تاثیر دمای تکلیس بر ساختار و ویژگی های نانوپودرهای pzt تهیه شده به روش احتراق ژل بررسی شد. پارامترهای اپتیکی از جمله ضریب شکست، قسمت حقیقی تابع دی الکتریک و فونون های اپتیکی، در گستره عددموج 400cm-1 تا 4000cm-1، به کمک روابط کرامرز- کرونیگ محاسبه شدند. گاف اپتیکی نم...

در رساله حاضر ابتدا پلی اتیلن(ldpe) به دو روش سیلانی و پراکسیدی شبکه ای گردید که پارامترهای الکتریکی نظیر ثابت ، اتلاف دی الکتریک و استحکام شکست xlpe حاصل حاکی از مناسب بودن آمیزه برای عایق کابلهای با ولتاژ ضعیف و متوسط بود. به منظور بهبود خواص مکانیکی و استحکام شکست ، ldpe را با کوپلیمرهای اتیلنی نظیر اتیلن متیل اکریلات و اتیلن وینیل استات در دستگاه رول میل و برابندر اختلاط و سپس شبکه گردید که...

در این مقاله ویژگی های ساختاری، الکترونی، اپتیکی و ثابت های کشسانی ترکیب های هویسلر Co2CrZ(Z=Al,Ga) مورد مطالعه قرار گرفته است.محاسبات با استفاده از روش امواج تخت تقویت شدۀ خطی با پتانسیل کامل در چارچوب نظریة تابعی چگالی با استفاده از تقریب GGA و کد محاسباتی Wien2k انجام گرفته است.در این تحقیق خواص ساختاری ترکیب های Co2CrZ(Z=Al,Ga) ازجمله ثابت شبکه،مدول انبوهه و مشتق آن محاسبه شده است.در این مح...

در سال های اخیر ضخامت گیت دی اکسید سیلیکون در تکنولوژی cmosبه کمتر از دو نانومتر رسیده است. این تمایل بی سابقه به کوچککردن ترانزیستور ها، علاوه بر مزایای فراوان تکنولوژیکی، مشکلاتیهمچون افزایش تونل زنی کوانتومی، افزایش جریان نشتی و نفوذ اتمبور از گیت دی الکتریک فرانازک را به همراه داشته است مواد نانوکامپوزیت هیبریدی آلی به خاطر ویژگی های خوب الکتریکی همچون جریان نشتی پایین و ثابتدی الکتریک بالا...

در این پایاننامه، انتشار امواج الکترومغناطیسی در بلورهای فوتونی یک بعدی شامل محیط های جاذب یا تقویت کننده (بهره)، موادی با ضریب شکست مختلط ،n ?=n+i? به طور تحلیلی مطالعه شده است. روش ماتریس انتقال و شرط براگ به طور مناسب اصلاح شد ه اند. نتایج انتشار موج در یک بلور دولایه ای دی الکتریک-فلز و یک بلور جاذب سینوسی به عنوان مثال ارائه شده است. طیف انعکاسی، جذبی و تراگسیلی ساختار بلور فوتونی دی الک...

در ‌این پژوهش اثر آهنگ انباشت روی ثابت‌های اپتیکی لایه‌های نازک مس در بازه طول موج (nm 3300 - 175) به روش کریمرز-کرونیگ بررسی شده‌اند. ‌این لایه‌ها به روش تبخیر در خلاء توسط پرتو تفنگ الکترونی و با آهنگ انباشتی در بازه (Å/s 20 - 6/0) در دمای K 313 و زاویه °5/8 تهیه شده‌اند و سپس ‌اندازه‌گیری‌های اپتیکی توسط دستگاه اسپکتروفتومتر (Carry 500) انجام شده است. برای بررسی اثر آهنگ انباشت روی ثابت‌های ...