نیمرسانای از نیمرساناهای گروه دارای کوچکترین گاف انرژی نسبت به نیمرساناهای دیگر می باشد. از این ترکیب می توان در سخت آشکار سازهای ، مادون قرمز در محدوده طول موجی 10 - 5 میکرون وهمچنین به عنوان گوس متر برای اندازه گیری شدت میدان مغناطیسی استفاده نمود. با توجه به کوچکی گاف انرژی یک برهمکنش قوی بین حالتهای باند هدایت و حالتهای باند ظرفیت ایجاد می شود که نتیجه آن غیر سهمی بودن باند های انرژی است. پ...

در سالهای اخیر با پیشرفت در کوچک سازی قطعات نیمرسانای تونلی، جنبه زمانی فرایند تونل زنی مورد توجه زیادی قرار گرفته است. علاوه بر اهمیت ذاتی کوانتوم مکانیکی مسئله، زمان تونل زنی از نظر فهم دینامیک تونل زنی در قطعات با سرعت بالا نیز از اهمیت بسزایی برخوردار است، زیرا زمان تونل زنی پارامتر کلیدی در تعیین راندمان قطعات الکترونیکی می باشد. با توسعه شاخه جدید اسپینترونیک، زمان تونل زنی حاملان بار با ...

گالیوم آرسناید ترکیبی از عنصرهای گروه‌های III-V جدول تناوبی عناصر است. گالیوم آرسناید در ساختاری بلوری مشهور به الماس گونه متبلور می‌شود. این ساختار به ساختار شبکه‌ی بلوری الماس بسیار شبیه است، اما در الماس فقط یک نوع اتم (کربن) وجود دارد در حالی که در این ماده هر موضع اتمی به تناوب توسط یکی از اتم‌های آرسنیک یا گالیوم اشغال می‌شود. از این نیمرسانای استفاده‌ی گسترده‌ای در تکنولوژی و ساخت قطعات ...

نیمرسانای اکسید قلع با گاف نواری پهن، به دلیل داشتن خواص الکتریکی و اپتیکی مطلوب، توجه زیادی را به خود جلب کرده است. آلایش آن با عناصر واسطه مغناطیسی، منجر به استفاده از آن در صنایع اسپینترونیک می شود. در این پایان نامه خواص ساختاری، الکترونی، مغناطیسی و اپتیکی اکسیدقلع خالص و آلاییده با کبالت، آهن و منگنز، با استفاده از کد محاسباتی wien2k، مورد بررسی قرار گرفته است، برای محاسبات، تقریب های gga...

در این پژوهش از بین نیمرساناهای گروه iii–v، گالیوم نیترید بدلیل داشتن دمای کوری بالای دمای اتاق و گاف نواری بزرگ به عنوان ماده مورد بررسی انتخاب گردید. سعی ما در این پژوهش یافتن ساختارهایی با ویژگی مناسب برای استفاده در مطالعات ترابردی بوده است. در قسمت اول خواص الکترونی، مغناطیسی نانو روبان خالص، دارای نقص و آلایش یافته gan با عناصر واسطه(cr, mn , fe, ni ) ، با استفاده از رهیافت نظریه تابعی چگ...

در این رساله به مطالعه رفتار چاه کوانتمی پهن در حضور میدان الکتریکی و مغناطیسی عمود بر سطح دستگاه، به طور جداگانه و همزمان در تقریب موضعی چگالی می پردازیم. در محدوده چگالی های 1 - 3 x 1011 cm-2، در چاه کوانتمی پهن گاز الکترونی دو لایه ای بوجود می آید که در میدان الکتریکی صفر، چگالی دو لایه با هم برابر است . اعمال میدان الکتریکی باعث بهم خوردن تقارن لایه ها شده و بنابراین چگالی لایه ها شده و بنا...

در این پژوهش، شیشه های (60-x)v2o5 -40teo2-xsb به روش فرونشانی مذاب تهیه شدند سپس به روش چهار سیمه رسانش الکتریکی نمونه ها در گستره دمایی 407-295 درجه کلوین تعیین شد. نمونه های مورد بررسی از رابطه آستین- مات پیروی می کنند که خود موید رسانش جهشی پلارون کوچک است. از رابطه رسانندگی- دما، تغییرات انرژی فعالسازی الکتریکی، اثر تغییر فاصله یونهای وانادیم بر رسانش الکتریکی و همچنین فاکتور تونل زنی در نم...

چکیده ندارد.

در این پایان نامه پس از شرحی کوتاه در باره دلیل علاقه به پلی کریستال کردن نیمه هادی برای تولید افزاره های نیمه هادی، مخصوصا" ترانزیستور لایه نازک ، روشهای اصلی پلی کریستالی کردن سلیکان لایه نشانی شده در دمای قابل تحمل توسط شیشه عادی معرفی شده و سرانجام روش جدید بلوری کردن سلیکان با کمک ژرمانیوم و در حضور میدان الکتریکی و در دمای کمتر از 550درجه سانتیگراد ارائه شده است . سپس برای شناسایی کیفیت ا...

در این پایان نامه تغییر طول موج لیزر نیمرسانای فابری- پرو در اثر تغییر جریان الکتریکی تزریقی شبیه سازی شده است. مدل مورد بررسی یک لیزر نیمرسانای 5 لایه از ماده ی ingaasp/inp است