چکیده ندارد.

در این مقاله، ترابرد الکترونی یک نانولوله نیمرسانای زیگزاگ شبه یک بعدی، که به دو الکترود فلزی متصل است، بررسی می­شود. الکترودها، از نوع نانولوله زیگزاگ فلزی هستند. رفتار این سیستم، ممکن است شبیه یک ترانزیستور اثر میدانی باشد. با استفاده از مدل بستگی قوی و روش تابع گرین، چگالی حالتهای موضعی و رسانایی سیستم در ترابرد بالستیک و رژیم خطی، به صورت عددی محاسبه می شود. سپس با ارائه یک مدل مداری برای آ...

گالیوم آرسناید ترکیبی از عنصرهای گروه‌های III-V جدول تناوبی عناصر است. گالیوم آرسناید در ساختاری بلوری مشهور به zinc blende متبلور می‌شود. این ساختار به ساختار شبکه‌ی بلوری الماس بسیار شبیه است، اما در الماس فقط یک نوع اتم (کربن) وجود دارد در حالی که در این ماده هر موضع اتمی به تناوب توسط یکی از اتم‌های آرسنیک یا گالیوم اشغال می‌شود. از این نیمرسانای استفاده‌ی گسترده‌ای در تکنولوژی و ساخت قطعات...

در مقاله حاضر، سقوط قطره سیال فرو در سیال غیر مغناطیسی تحت اثر میدان مغناطیسی یکنواخت در جریان دوفازی به صورت عددی مطالعه می شود. برای این منظور، از روش ترکیبی شبکه بولتزمن مدل شان- چن و روش حجم محدود استفاده شده است. معادله شبکه بولتزمن با استفاده از اضافه کردن ترم نیروی مغناطیسی جهت به روزرسانی میدان جریان حل می شود، در حالیکه معادله القاء مغناطیسی به روش حجم محدود برای محاسبه میدان مغناطیسی ...

لایه های نازک نیمرسانای اکسیدی شفاف به خاطر اثرات الکتریکی و نوری آنها در ناحیه طیف مرئی همواره مورد توجه بوده اند،کاربردهای وسیع آنها در دستگاههای نوری، الکترونیکی، ترانزیستورها، دیودها وغیره باعث شده که بیشتر مورد توجه قرارگیرند.

با حل مستقیم معادله ترابردی بولتزمن به روش تکرار، بستگی تحرک پذیری به دما و چگالی الکترونها در نیمرسانای te cd0.2 hg0.8 محاسبه و با دو نیمرسانای cdteو hgte مقایسه شده است. در محاسبه تحرک پذیری، پراکندگی از فونون های آکوستیکی، پیزوالکتریک، اتم های ناخالصی یونیده و فونون های اپتیکی قطبی برای یک نوار رسانش غیر سهموی با توابع موج ترکیبی در نظر گرفته شده است. نتایج محاسبات با داده های تجربی و محاسبه...

ترکیبات سه تایی شیشه هایxsb- (60-x)v2o5-40teo2با0?x?15 (درصد مولی) با استفاده از روش سرمایش سریع مذاب تهیه شدند. طیف جذب نوری این شیشه ها در ناحیه طول موجی 1100-190 ثبت شدند. مکان لبه جذب و بنابراین مقادیر گاف نواری بدست آمد که مرتبط با ساختار شیشه ها است. برای این شیشه ها مقادیر گاف نواری در بازه 14/2-57/1 (ev) بدست آمد. روش انطباق طیف جذبی(asf) برای بدست آوردن گاف ها بکار گرفته شد. در این روش...

در این پایان نامه مسئله ترابرد الکترون ها در دو نیمرسانایinn وaln درحضور میدان های الکتریکی ضعیف با استفاده از حل معادله بولتزمن به روش برگشت پذیر مورد بررسی قرارگرفته است . نتایج این مطالعه نشان می دهد که درمیدان های الکتریکی ضعیف ( v/cm 104 ) ، تنها الکترون های واقع در دره مرکزی? در ترابرد الکترون ها سهیم می باشند و گذارهای بین دره ای و بین نواری وجود ندارد ، درحالیکه در میدان های الکتریکی قو...

به کمک روش نشست بخار شیمیایی و کوره الکتریکی، سنتز انواع نانو ساختارهای تک بعدی نیمرسانای نیتروژندار با موفقیت انجام شد. برای این منظور، اقدام به طراحی یک سیستم رشد نانوساختارهای نیمرسانای نیتروژندار کردیم. این سیستم متشکل از کوره الکتریکی، کپسول های گاز فعال و حامل، لوله های اتصال و شیرهای سوزنی، درپوش ها، لوله آلومینا و کوارتز، فلومترها، گازشو و سیستم خنک کننده کوره می باشد. واکنش شیمیایی میا...