گرافین، نامزد مناسبی برای نانوالکترونیک مدرن است. از آن جا که در گرافین نوار رسانش و ظرفیت با هم در تماس هستند، در نتیجه گرافین شبه فلزی با گاف انرژی صفر خواهد بود. برای به کارگیری گرافین در صنعت الکترونیک، نیاز است که گاف انرژی در نوار انرژی آن ایجاد گردد. در واقع گاف انرژی معیاری از ولتاژ آستانه و نرخ خاموش-روشن شدن در ترانزیستورهای اثر میدانی است. در سال های اخیر روش های گوناگونی برای ایجاد ...

تغییر سطح فرمی در سطح کاتالیست بر فعالیت کاتالیستی اثر می‌گذارد. یک روش برای تغییر این سطح، استفاده از میدان الکتریکی خارجی در فرایند کاتالیستی هتروژن است. در این پژوهش HZSM-5 بارگذاری شده با اکسید فلز آهن در یک میدان الکتریکی خارجی با قدرت مناسب برای تجزیه و تحلیل فعالیت کاتالیزوری قرار داده شد. این پژوهش اولین گزارش ارائه شده برای اثر تشدید زئولیت و میدان الکتریکی خارجی برای تولید اولفین است ...

در این پژوهش طراحی و مدلسازی اتمی سوئیچ الکترومکانیکی لغزشی چند حالته مبتنی بر نانو نوار گرفاینی آلفا دولایه با بهره گیری از نظریه تابعی چگالی و ترکیب آن با تابع گرین غیرتعادلی ارائه میشود. ساختار سوئیچ پیشنهادی به صورتی است که لایه گرفاین زیرین ثابت و لایه بالایی آن متحرک است. چینشهای متمایز از طریق حرکت لایه بالایی نسبت به لایه پایینی در راستای محور افقی و با فواصل جابجایی 9.44Å ، 8.41 Å، 3.9...

نانوذرات سرب سولفید، قلع سولفید، نقره سولفید و جیوه سولفید با یک روش جدیدو از طریق تجزیه گرمایی سنتز شدند.اندازه گیری طیف نشری و برانگیختگی ذارت توسط دستگاه فوتولومینسانس نشان داد که فاصله انرژی بین نوار ظرفیت و نوار هدایت این نانوذرات به ترتیب 12/3، 13/3، 134/3و 11/3 الکترون ولت برای نقره سولفید، جیوه سولفید، سرب سولفید و قلع سولفید می باشد که موید خاصیت نیمه سانایی آن ها می باشد. لازم به ذکر ...

نتیجه گیری در این پروژه، در زمینه ی نظری، خواص الکترونیکی، اپتیکی و ترموالکتریکی cosb3و mco4sb12 (m=la, tl, y) مطالعه شده است. قرار دادن اتم های y ، la و tl در تهیجاهای شبکه ای آنتیموان کبالت باعث گسترش شبکه بلوری این ترکیب می شود. که افزایش پارامترهای شبکه، خواص الکترونیکی را به شدت تغییر می دهد. رفتار پیوندها در این ترکیب مربوط به دو نوع پیوند متفاوت در آن است، که یکی مربوط به پیوند قوی بین...

در این پایان نامه با استفاده از معادلات حاکم بر گذار بین حالت های جایگزیده موجود در گاف انرژی و حالت های گسترش یافته نوارهای رسانش و ظرفیت در نیم رسانای سیلیکان هیدروژنه آمورف، قابلیت هدایت نوری حالت پایا محاسبه شده است. حالت های جایگزیده به صورت توزیع نمایی مربوط به کشیدگی نوار رسانش و ظرفیت و نیز حالت های پیوندی معلق در نظر گرفته شده است. وابستگی قابلیت هدایت نوری به دما و شدت نور تابشی مورد ...

در این مطالعه ویژگی‌های ساختاری، الکترونی و اپتیکی سرامیک 3 BaZrO در فاز مکعبی و تأثیر فشار بر ویژگی ­های یاد شده را بررسی شده است. محاسبه­ ها با استفاده از روش امواج تخت بهبودیافته­ ی خطی با پتانسیل کامل (FP-LAPW) در چارچوب نظریه­ ی تابعی چگالی انجام‌گرفته است و از نرم‌افزارهای WIEN2k و Quantum Espr...

در حال حاضر در مبحث ابررسانائی مطالعات متعددی روی تک بلورهائی از ابررساناهای دمای بالا (htsc ) به فرم لایه نازک صورت گرفته است. نوارهای ابررسانای htsc در حال پیشرفت برای استفاده در کابل های انتقال توان ac ، نوارهای لایه نازک همبافته برای بررسی کاربردهای منفعل میکروویو، مانند فیلترهای ارتباط بی سیم، قراردارند. در کاربردهای عملی کاهش اتلاف انرژی از اهمیت زیادی برخوردار است. در این پایان نامه قصد ...

خواص فیزیکی بلورهایی که نظم کاملی دارند بخوبی شناخته شده است . ولی تئوری فراگیری در مورد سیستم های بی نظم وجود ندارد در نتیجه استفاده از تکنیکی مختلف ریاضی و مدل سازی در بررسی این سیستمها اهمتیی ویژه ای می یابد. هدف این پایان نامه مطالعه عددی سیستم های بی نظم براساس مدل اندرسن است . در این مدل از یک هامیلتونی بستگی قوی استفاده می شود که در آن بی نظمی از طریق تراز اتمی بصورت کاتوره ای به جایگاهه...