در این پژوهش برای اولین بار نانوذره های کلوئیدی ژرمانیوم به عنوان یک منبع نور آبی توسط یک روش ساده تهیه شده و مورد مطالعه قرار گرفته است. در این روش از ترکیب پلی وینیل پایرولیدین به عنوان ماده عامل دار کننده سطحی ذره ها و کنترل اندازه آن ها استفاده شده است. برای بررسی ویژگی های نوری نانو ذره ها تهیه شده، پرتو جذبی بازه ی مرئی- فرابنفش و پرتو نشری آن ها مورد مطالعه قرار گرفت. همچنین از روش، پرتو...

بلورهای نیمه هادی کاربرد وسیعی در ساخت قطعات الکترونیکی و مدارهای مجتمع دارند. ژرمانیوم یکی از بلورهای نیمه هادی است که در صنایع الکترونیک و مخابرات به صورت دیود و ترانزیستور به کار می رود. در کاربردهای الکتریکی علاوه بر این که ژرمانیوم باید به شکل تک بلور باشد، درجه ی خلوص آن نیز از اهمیت زیادی برخوردار است. مهمترین تکنیک رشد این نیمه هادی، رشد از فاز مذاب و به روش چکرالسکی می باشد. در این روش...

در این پایان نامه با استفاده از قالب اکسید آلومینیوم متخلخل آندی نانوسیم های کبالت با قطرهای 20، 35 و 150 نانومتری ساخته شدند. ساختار و خواص مغناطیسی نمونه ها با استفاده از میکروسکوپ الکترونی روبشی، پراش پرتوی x، دستگاه مغناطوسنج نیروی گرادیان متناوب و میکروسکوپ نیروی اتمی مورد بررسی قرار گرفتند. بیشترین میدان وادارندگی و نسبت مربعی بودن برای نانوسیم کبالت با قطر 20 نانومتر (میدان وادارندگی 171...

اثر متقابل بین خاصیت پیزوالکتریک و انتقال بار در مواد پیزوالکتریک نیم رسانا، منجر به تولید پدیده جدید به نام پیزوترونیک می شود که اساس عملکرد نانوژنراتورها را تشکیل می دهد. در پایان نامه حاضر، عملکرد نانوژنراتور بر اساس آرایه ای از نانوسیم های پیزوالکتریک برای برداشت انرژی مکانیکی و تبدیل آن به انرژی الکتریکی مطالعه و با استفاده از روش المان محدود شبیه سازی شده است. در این رابطه، توزیع پتانسیل ...

کاربردهای فوق العاده ی نانوسیم های مغناطیسی و اهمیت و ارزش پدیده gmr در نانوسیم های متشکل از مواد مغناطیسی و غیرمغناطیسی ما را بر آن داشت تا برای تحقیق و پژوهش در این عرصه گام نهیم و سعی کنیم تا با بررسی اثر شرایط الکتروانباشت پالسی بر کاهش مقدار مغناطش در نانوسیم های آلیاژی cocu در غلظت های مختلف مس، به شرایط بهینه برای ساخت نانوسیم های چند لایه ای دست یابیم. در تحقیق و پژوهش حاضر علاوه بر تلا...

در این تحقیق نانوسیم های اکسید قلع به روش بخار- مایع- جامد(vls) و رشد در فاز بخار سنتز شده است. تاثیر زمان بر روی رشد نانوسیم ها، تاثیر ضخامت لایه کاتالیستی، تاثیر حضور کاتالیست در روشvls، تاثیر دمای سنتز و تاثیر فاصله زیرلایه تا منبع پودری(دمای زیرلایه) مورد بررسی قرار گرفت. نتایج بدست آمده نشان داد که هر چه مدت زمان سنتز افزایش یابد طول نانوسیم های بیشتر می شود. همچنین بررسی اثر دما نشان داد ...

ساخت نانوسیم های فرومغناطیس – غیرمغناطیس چندلایه نیکل- مس در قالب آلومینای حفره دار (تهیه شده با روش آندایز نرم) با استفاده از فرآیند الکتروانباشت پالسی متناوب بررسی خواص مغناطیسی و ساختاری چند لایه ای نیکل – مس با تغییر ضخامت لایه مغناطیسی بوسیله تغییر تعداد پالس مربوط به نیکل و تغییر مقدار مس موجود در محلول الکترولیت و همچنین تغییر مدت زمان عریض سازی نانوحفره ها

در این مقاله با استفاده از روش تابع گرین در رهیافت تنگ بست و رژیم پاسخ خطی، به مطالعه ی رسانش الکتریکی یک نانوسیم شامل اتم های سطحی مرتعش که بین دو هادی صلب ساده قرار گرفته است، پرداخته ایم. با بهره گیری از فضای فوک، اثر برهمکنش الکترون ـ فونون را در ضریب عبور الکترونی مورد بررسی قرار داده ایم. نتایج نشان می دهد که مکان قله های تشدیدی رسانش با افزایش قدرت برهمکنش الکترون ـ فونون به سمت انرژی ها...

نانوسیم های کبالت به روش الکتروانباشت شیمیایی و با استفاده از قالب های آلومینای آندی ساخته شده است. اثر اعمال میدان مغناطیسی خارجی در حین فرآیند الکتروانباشت بر خواص مغناطیسی نانوسیم های ساخته شده مورد مطالعه قرار گرفته است. بررسی منحنی های مدت زمان پر شدن کامل حفره های آلومینا نشان می دهد که بااعمال میدان مغناطیسی، سرعت انباشت یونها تحت تأثیر قرار می گیرد.الگوهای پراش اشعه x نیز نشان می دهد که...

لایه نشانی از علوم پرکاربرد در صنعت به شمار می آید. تکنولوژی ساخت ادوات خاص این تکنیک در سال های اخیر پیشرفت چشم گیری داشته است، به طوری که دقت بالای این وسایل باعث افزایش مشهود کیفیت لایه ها گردیده است. ما در این تحقیق، در ابتدا به معرفی کامل ملزومات آزمایشگاه لایه نشانی خواهیم پرداخت و شیوه های متنوع لایه نشانی مرسوم را مورد مطالعه قرار خواهیم داد. در کنار استفاده از این وسایل، تسلط کافی پژوه...